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41.
42.
43.
对溴化钾原料进行纯化、成型与热处理,制备出?200 mm×20 mm的多晶料。采用电阻加热Czochralski法,在合理的温场下生长出了?140 mm×100 mm的溴化钾单晶。为了有效解决了放肩过程中晶体表面裂纹等问题,采用了一控(水温)、双变(拉速、转速)微提拉放肩新工艺生长晶体。X射线衍射分析表明,生长的晶体为立方晶系的KBr,空间群Fm3m,晶格常数为a=0.6599 nm。分析了晶体中相互作用力及能量关系,认为溴化钾晶体质点间的相互作用不仅存在离子键的相互作用,同时还存在三体力及Van der Waals力的作用。根据半经验公式计算出熔融状态下的溴化钾的配位数为4。另外,晶体的透光性能测试表明,厚度5 mm的样品的透射率为90%。 相似文献
44.
Er:LiGdF_4晶体生长及光谱性能 总被引:1,自引:1,他引:0
采用提拉法生长出掺铒氟化钆锂(Er3+:LiGdF4,Er:LGF)激光晶体。晶体生长工艺参数为:提拉速率为0.16mm/h,晶体转速为3r/min,冷却速率为10℃/h。X射线粉末衍射分析表明:晶体属于四方晶系,白钨矿结构,空间群为I41/a,计算的晶胞参数:a=0.5196nm,c=1.10286nm。晶体的吸收光谱和荧光光谱表明:晶体在659,980nm和1540nm附近的吸收峰较强,其中在1540nm处的吸收截面为1.09×10-20cm2。在激光二极管的532nm波长泵浦下,发射峰分别位于995nm和1530nm附近,其中1530nm处的半高宽为52nm。 相似文献
45.
本文回顾了高温氧化物超导体的发展历史, 特别是高温超导体的结构, 制备工艺以及超导机制等研究状况, 简要地介绍了高温超导体在军事上具有的重大的现实作用和巨大应用价值。 相似文献
46.
通过对K2WO4和K2W2O7两种助溶剂的对比、分析,选择K2W2O7做助溶剂,采用顶部籽晶(TSSG)法生长YbKGW晶体.设计了合理的工艺条件转速10~15r/min;降温速率0.05℃/h;生长周期15d.通过对YbKGW晶体粉末样品的X-ray衍射谱与KGW粉末样品的X-ray衍射谱对比分析,生长晶体为β-YbKGW晶体.利用TG-DTA测定YbKGW晶体的熔点及相变温度分别是1086℃和1021℃.通过对晶体缺陷的观察分析认为,晶体裂缝及包裹物等缺陷与生长工艺条件密切相关,应尽量减少生长过程中的温度、浓度及生长速度的波动,保持晶体的稳态生长. 相似文献
47.
用硅钼棒作加热体,用熔体提拉法生长了LiTaO3晶体,晶体的双折射梯度可达10^-5cm^-1数量级。用质子交换法制作了LiTaO3光波导基片,其抗光损伤能力高于LiNbO3,是优良的杨光学和非线性光学材料。 相似文献
48.
The solid-state diode-pumped laser was widelyusedin many fields.With the development of crystalgrowth,many good working materials were discov-ered,such as:Nd3+∶YAG,YVO4[1],YLF[2,3],andNd3+∶KY(WO4)2(Nd∶KYW),Yb3+∶KY(WO4)2(Yb∶KYW),Nd3+∶KGd(WO4)2(Nd∶KGW)in recent10years.Compared with Nd∶YAG,Nd∶KGWhas manyoutstanding properties:the emission cross section isbig at the output wavelength of1064and1351nm,concentrate quenching of high Nd3+(at a maxi mumof10%)(atomfraction)is v… 相似文献
49.
采用提拉法生长掺钕钆镓石榴石(neodymium-doped gadolinium gallium garnet, Nd: GGG)激光晶体,选择最佳工艺参数:提拉速率为2~4mm/h:转速为20~40r/min;冷却速率为20℃/h.测试了晶体的吸收和荧光光谱,结果表明:主吸收峰位于808nm,主发射峰位于9430cm-1,对应于Nd3 的4F3/1-4I11/2跃迁.对晶体样品进行了激光性能测试.结果表明:当泵浦功率为900mW时,对泵浦光的吸收效率为85%,激光输出波长约为1μm,激光输出功率为305mW,激光阈值功率为380mW,光-光转换效率达57.8%,斜效率达57.6%. 相似文献
50.
水热沉淀法合成SnO_2纳米晶 总被引:2,自引:2,他引:2
用水热沉淀法合成了不同粒径的 Sn O2 纳米晶 ,属于四方晶系 ,空间群为 P4/ mnm。计算表明 :随焙烧温度的升高 ,Sn O2 晶粒度增大 ;而平均晶格畸变率则随晶粒度的增大而减小 ,表明粒子越小晶格畸变越大 ,晶粒发育越不完整。TEM分析结果表明 :所合成的 Sn O2 纳米粒子基本呈球形 ;随焙烧温度的升高 ,Sn O2 粒子的粒径增大。热失重分析表明 :水热沉淀法所合成的 Sn O2 纳米粉末中杂质含量很少 ,纯度高。 相似文献