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37工位插针级进模设计制造 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了插针零件的冲压工艺及设计制造难点 ,阐述了排样设计过程 ,并介绍了模具结构特点及关键零件设计 ,提出了一种较新颖的弯曲成形调整方法 相似文献
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使用PbMg1/3Nb2/3O3-PbTiO3-PbCd1/2W1/2O3三元系电容器瓷料,采用流延工艺成膜,丝网印刷内电极,低温烧结的方法制备了陶瓷衬底。陶瓷衬底的烧结温度为930-950^0C。测量了陶瓷厚膜的基本特性,在室温时的相对介电常数εr大于14000,损耗tanδ约为1%,具有极高的品质因素(≥80μC/cm^2)。用SEM技术观察了陶瓷衬底的横断面和陶瓷厚膜表面形貌,内电极连续,厚膜层致密且表面起伏较小,可直接沉积发光层。制备了陶瓷厚膜为绝缘层的ZnS:Mn低压驱动电致发光器件,在50Hz正弦波驱动下,阈值电压仅为41V。 相似文献
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以陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件研究 总被引:7,自引:1,他引:7
研制了以四元系组分PMN-PT-PFN-PCW陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件,对陶瓷厚膜的制备条件和制得的厚膜与器件的发光性能的关系进行主详细的研究。特别对基片要求和印刷烧制等工艺进行了探讨。 相似文献
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高频电路与低频电路类比教学法刍议 总被引:2,自引:1,他引:1
刘祖刚 《电气电子教学学报》2001,23(2):108-109
较系统地讨论了高频电路与低频电路分类比较的一种类比教学方法,帮助学生温故知新。 相似文献
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刘祖刚 《电气电子教学学报》2004,26(2):113-114
负反馈放大器反馈深度与信号源内阻关系是一个易被误解的问题。本文在讨论负反馈放大器输出量对输入量调节控制作用的基础上.从闭环源电压增益的角度定量分析了信号源内阻对串联负反馈放大器和并联负反馈放大器反馈深度影响的重要问题,并在此基础上,对信号源内阻对负反馈放大器反馈深度的影响进行了物理解释。 相似文献