共析钢中的星形贝氏体

在某些钢中,当奥氏体等温转变形成贝氏体时,会出现一种形核于奥氏体晶粒内的“星”形组织。用扫描电镜详细地观察了0.32％Mo高纯度共析钢等温转变所形成的星形显微组织特征,发现这些星是由若干平行的分枝构成,分枝内部是存在于针状铁素体中的平行的长棒状碳化物和这些区域间的短棒状碳化物或碳化物粒子组成。连续磨片试验说明这些分枝是针状而不是片状。有迹象表明,贝氏体星界面前沿贝氏体区的形核促进了星的生长。     

高纯氮化镓外延材料的制备

用ＭＯＶＰＥ方法在蓝宝半底上生长了高纯氮化镓外延材料。     

套圈硬度过低的金相分析

GCr15钢是一种很成熟的钢种。这种钢在正常的奥氏体化温度下加热、保温,随后配以良好的淬火冷却和合适的低温回火,能获得硬度≥HRC61,淬回火组织由80％的马氏体,约5～6％的残留碳化物和9～15％的残留奥氏体组成。然而,由于热处理工艺的不当,有时在淬回火后的轴承零件上出现硬度相似文献   

成品钢球表面光洁度差的分析

一、前言滚动轴承工作时,钢球与套圈滚道呈点接触。其接触部分承受反复交变应力。通带为100～300kg/mm~2,最高可达500kg/mm~2。存这样的应力下钢球与套圈滚道表面最容易引起接触疲劳破坏(龟裂和剥落)。我厂制造钢球系用GCr15钢。钢球热处理采用不锈钢网篮装筐,在盐浴炉内加热840℃,人工提出倒入机械搅拌碳酸钠水溶液淬火槽中,让钢球沿水中滑板自身滚动淬火。最后取出除盐,经150℃3h低温油同     

径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟

对径向三重流MOCVD反应器的输运过程进行了二维数值模拟研究.在模拟计算中,分别改变反应腔几何尺寸、导流管位置、流量、压强、温度等条件,得到反应器流场、温场、浓度场的相应变化.根据对模拟结果的分析,发现反应腔内涡旋首先在流动的转折处产生,上下壁面温差的加大使涡旋增大,中管进口流量的增加对涡旋产生抑制作用,内管和外管流量的增加对涡旋产生扩大作用.得出输运过程的优化条件为:反应腔上下壁靠近,导流管水平延长,中管进口流量尽量大于内、外管流量,压强尽量低于105Pa,上下壁面温差尽量减小等.     

氮化镓缓冲层生长过程分析

研究了用金属有机物化学气相外延（ＭＯＶＰＥ）在蓝宝石上生长氮化镓（ＧａＮ）缓冲层的生长速率随生长温度（５００～６００℃）的变化关系．用原位激光反射厚度测量方法,发现生长温度、三甲基镓和氨气的摩尔流量、以及源进入双层反应室的模式都对生长速率有影响．提出了生长过程的微观模型,解释了ＭＯＶＰＥ生长ＧａＮ缓冲层过程中观察到的现象．     

氮化镓缓冲层的物理性质

用金属有机物气相外延（ＭＯＶＰＥ）方法在蓝宝石衬底上生长了不同厚度和不同退火过程的氮化镓（ＧａＮ）缓冲层,以及在缓冲层上继续生长了ＧａＮ外延层．研究了这些缓冲层的结晶学、表面形貌和光学性质以及这些性质对ＧａＮ外延层的影响．提出了一个模型以解释用ＭＯＶＰＥ方法在蓝宝石衬底上生长ＧａＮ外延层时存在一个最佳缓冲层厚度这一实验结果     

InGaN光致发光性质与温度的关系

分析了用金属有机物气相外延方法 (MOVPE)在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮 (In Ga N)的光致发光 (PL)性质 .发现在 4.7K至 30 0 K范围内 ,随着温度升高 ,In Ga N带边辐射向低能方向移动 ,峰值变化基本符合 Varshni经验公式 ;同时 In Ga N发光强度虽有所衰减 ,但比 Ga N衰减程度小 ,分析了导致 Ga N和 In Ga N光致发光减弱的可能因素 .     

GaN的MOCVD生长

ＧａＮ是重要的蓝光半导体材料．我们以ＴＭＧａ和ＮＨ３为源在（０１１２）α－Ａｌ２Ｏ３衬底上成功的用ＭＯＣＶＤ方法生长了ＧａＮ外延层，研究了ＧａＮ的表面形貌与结晶学、电学和光学特性．ＧａＮ（２１１０）面的双晶回摆曲线衍射峰的最小半高宽已达１６＇．并观测到ＧａＮ所发出的紫外和可见光波段的阴极荧光．