(111)Si上外延生长六方GaN的TEM观察

利用衍衬、ＳＡＥＤ、ＨＲＴＥＭ对在 (111)Ｓｉ上外延生长的六方ＧａＮ进行了观察分析。ＧａＮ外延层与缓冲层和基底的取向关系为 (0 0 0 1) ＧａＮ (0 0 0 1) ＡｌＮ (111) Ｓｉ,[112 0 ]ＧａＮ [112 0 ]ＡｌＮ [110 ]Ｓｉ。ＧａＮ外延层中存在倒反畴。ＧａＮ中位错以刃型位错为主。Ｉｎ0 1Ｇａ0 9Ｎ ＧａＮ的多重量子阱结构 (ＭＱＷ )具有阻挡穿透位错 ,降低位错密度的作用。由于在室温下具有 3 4ｅＶ的直接带隙 ,ＧａＮ已经成为制备一些光电子器件如蓝色、紫色、紫外发光二极管及激光二极管等的最佳候选材料[1,2 ] 。通常是在各种…     

InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管

报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的绿光InGaN/AlGaN双异质结结构,并研制成功发射波长为520-540nm的绿光LED     

InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管

报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结构 ,并研制成功发射波长为 52 0— 540 nm的绿光LED.     

InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管

采用金属有机物气相外延方法,研制了InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管.测量了其电致发光光谱,及发光强度与注入电流的关系.室温20mA的注入电流时,发光波长峰值为530nm,半高宽为30nm.注入电流小于40mA时,发光强度随注入电流单调递增     

不同晶面蓝宝石和氧源对ZnO薄膜生长的影响

在c面和r面蓝宝石上用氧气和甲醇作为氧源分别沉积了ZnO薄膜.用X射线双晶衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对ZnO薄膜综合表征.证实了,面蓝宝石的表面能比c面的小,更有利于增原子的迁移,从而实现ZnO的二维生长.发现甲醇作为氧源生长的薄膜晶体质量跟氧气作为氧源的相比有较大提高,这可能源于预反应的减弱和甲醇的表面活化作用.在r面蓝宝石上用甲醇作为氧源生长出了表面平整的ZnO薄膜,其(1012)面的非对称衍射的摇摆曲线半高宽仅0.10.     

MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED

报道用自行研制的LP－MOVPE设备,在蓝宝石（α－Al2O3)衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGsN双异质结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED,其发射波长分别为430－450nm和520－540nm。     

室温铁磁性Al_2O_3∶Mn的制备及性质

以Al2O3为衬底利用多能态离子注入法在离子注入设备上制备了一系列具有室温铁磁性的Al2O3∶Mn样品.在Al2O3的X射线衍射峰附近发现新的衍射峰,该衍射峰既可能对应一种未知新相,也可能对应Al2O3∶Mn固溶体.所有样品都具有磁滞现象和室温铁磁性.     

Fabrication of GaN epitaxial films on Al_2O_3/Si (001) substrates

Ｇａｌｌｉｕｍｎｉｔｒｉｄｅｈａｓａｄｉｒｅｃｔｅｎｅｒｇｙｂａｎｄｇａｐｏｆ3.39ｅＶａｔｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅａｎｄｍａｙｂｅａｐｐｌｉｅｄｔｏｂｌｕｅ,ｖｉｏｌｅｔａｎｄｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ(ＵＶ)ｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｅｖｉｃｅｓｓｕｃｈａｓｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅｓ(ＬＥＤｓ),ｌａｓｅｒｄｉｏｄｅｓ(ＬＤｓ),ａｎｄｈｉｇｈｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅｖｉｃｅｓ[1—3].Ｒｅｃｅｎｔｌｙ,ｃｏｌｕｍｎＩＩＩ—Ｖｎｉｔｒｉｄｅｓｈａｖｅｂｅｅｎｏｎｅｏｆ…     

GCr15钢中不常见的退火组织

通常采用GCrl5钢锻造的轴承套圈都要进行球化退火,以获得均匀分布球化组织。球化退火工艺是较为复杂的,影响球化退火质量的因素很多,特别是采用箱式电阻炉进行退火处理,更应严格掌握退火工艺。在日常生产的常规退火条件下,一般不会产生本文所提出的不常见的退火组织,JBl255—81标准中未列出其评级图片,原六局试行标准和JBl255—72标准也未列出这种组织的图片。给实际生产中的金相检验、鉴别和判定带来困难。在光学显微镜下也易造成误判。本文试图利用组织形态规律,揭示和分析实