AgNi电触头材料制备工艺进展

综述了AgNi电触头材料的四种制备工艺,分析了不同制备工艺对材料性能的影响,并提出了今后材料的研究重点：控制材料的微观组织,提高材料的综合性能,改进大电流下材料的抗熔焊性。     

多效膜蒸馏过程用于海水和浓海水的深度浓缩

研究了离子交换法选择性脱钙与多效膜蒸馏相结合用于海水淡化和淡化厂浓水深度浓缩的可行性。海水或浓海水中钙离子能脱除90%以上,可防止高倍数浓缩时海水中硫酸钙沉淀对膜造成污染。本文以膜通量、造水比和馏出液电导率为多效膜蒸馏过程的性能指标,研究了操作条件对过程性能的影响。膜通量最高可达6.07 L/(m2?h),造水比最高可达13.2;当海水浓缩至250 g/L时,馏出液的电导率小于200 μm/cm,膜通量和造水比仍可达3.61 L/(m2?h)和4.96。以除钙后的浓海水为料液,利用两种多效膜蒸馏组件分别进行了持续45天的操作稳定性实验研究,在试验期间膜组件性能没有明显下降。该研究结果表明,多效膜蒸馏结合选择性脱钙是适合于海水深度浓缩及资源综合利用的高效节能技术。     

糠醛废水回收综合处理技术

开发了一种糠醛废水回收综合处理的新工艺,包括糠醛废水预处理、预萃取、络合萃取精馏和废水后处理几个过程。含醋酸1～2％的糠醛废水经过处理后,可回收90％以上的醋酸,废水中的醋酸含量〈0．015％,有机溶剂的含量〈100ppm,达到安全排放和回收利用的目的。     

氮掺杂TiO2光催化杀菌性能的研究

以廉价的TiOSO4为原料,通过水解法制备正钛酸前驱体,然后向正钛酸前驱体中加入尿素作为氮源,经煅烧制备氮掺杂纳米TiO2,采用X射线衍射、紫外-可见吸收光谱和扫描电镜等方法对制备的样品进行了表征,研究了不同N/Ti配比、煅烧温度、TiO2浓度、细菌浓度对光催化杀菌的影响.结果表明,制备的样品均为锐钛晶型,氮掺杂使TiO2在可见光区的光吸收明显增强;煅烧温度和N/Ti配比对光催化杀菌效果影响显著;当TiO2的质量浓度为1.5g/L时杀菌效果最好;当细菌浓度低于106细胞/mL时,氮掺杂TiO2的杀菌率可达90%以上.     

直接达到液氦温度的G-M型制冷机及其应用

随着低温下具有高比热峰值的磁性稀土材料的发现,大幅度提高Ｇ－Ｍ型制冷机的性能具有了可能性。基于磁性稀土填料Ｅｒ３Ｎｉ、ＥｒＮｉ、ＧｄＲｈ等的特性,根据热力过程分析和数值计算结果,对双级Ｇ－Ｍ型制冷机进行了重新设计、加工,使其达到了液氦温度。介绍了我们研制的４．２Ｋ双级Ｇ－Ｍ型制冷机的设计和结构。该制冷机的最低制冷温度为２．５Ｋ,制冷量为５８０ｍＷ／４．２Ｋ、１１００ｍＷ／５．０Ｋ,热工效率高。同时     

Na20-- A1203 -- SiO2微晶玻璃体系熔体结构的分子动力学模拟

采用分子动力学方法模拟了7种组分的Na20-- A1203 -- SiO2体系微晶玻璃熔体结构,分析了体系的径向分布函数、键长分布和键角分布,得出了不同含量Na＋对Na20-- A1203 -- SiO2体系玻璃网络结构的影响。     

晶化时间对MgO-Al2O3-SiO2系微晶玻璃显微结构及性能的影响

通过差热分析(DTA)、X射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等测试手段研究了不同晶化时间对MgO-Al2O3-SiO2系微晶玻璃析晶性能、微观结构及抗弯强度的影响。研究结果表明,随着晶化时间的加长,晶粒尺寸逐步增大,抗弯强度逐渐增高。     

双级压缩离心式冷水机组补气控制方案

合理的中间补气控制对提高双级压缩离心式冷水机组的性能及安全运行具有极其重要的意义.本文对带有中间补气的双级压缩离心式冷水机组的理论循环进行分析,试验研究在给定导叶开度下,不同补气阀开度对双级压缩离心式冷水机组的制冷能力、功耗及能效比的影响,验证补气阀开度对机组的性能和安全运行的影响,最终得到匹配双级压缩离心式冷水机组的...     

高分子网络凝胶法制备纳米YAG粉体

以硝酸铝和硝酸钇为原料,采用高分子网络凝胶法制备纳米YAG粉体,对网络凝胶机理和胶体的煅烧过程进行了研究。研究表明干凝胶在900℃煅烧即可全部转变为YAG纯相,没有YAM、YAP等中间相生成。所制备的粉体粒度尺寸大小为20nm左右,颗粒呈球形,有轻微团聚。     

Chemical Thermodynamic Analysis of Silicon Doping in MOCVD of GaAs System

With chemical thermodynamic method,enthalpies,entropies and heat capacities of(SiH_3)_nAsH_(3-n)(1≤n≤3),(CH_3)_mSiH_(4-m)(1≤m≤4)and their radicals were calculated.Homogeneous reactions equilibrium of 65gas phase species in SiH_4(or Si_2H_6)doped MOCVD GaAs by TMG and AsH_3 system was analyzed,the re-lations of gas phase partial pressures with growth temperatures and input partial pressures were calculated.When the gas phase is saturated with a GaAs:Si solid,the gas phase partial pressures and solid phase siliconimpurity(Si_(Ga)-As,Ga-Si_(As),Si_(Ga)-Si_(As))concentrations were calculated under different growth temperatures andinput partial pressures.With the above results,some of the Si doping behavior in MOCVD of GaAs are ex-plained.