首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   55篇
  免费   0篇
  国内免费   2篇
电工技术   1篇
综合类   24篇
化学工业   4篇
金属工艺   1篇
建筑科学   5篇
武器工业   2篇
一般工业技术   19篇
冶金工业   1篇
  2019年   1篇
  2013年   2篇
  2010年   1篇
  2009年   3篇
  2008年   12篇
  2007年   3篇
  2005年   5篇
  2004年   3篇
  2003年   2篇
  2002年   1篇
  2001年   8篇
  2000年   6篇
  1997年   1篇
  1996年   3篇
  1995年   2篇
  1994年   1篇
  1993年   3篇
排序方式: 共有57条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
采用在熔盐法中引入微波场的人工晶体生长新技术,在低温下成功地合成出了片状晶体SrTiO3。首先在助熔剂NaCl-KCl中合成片状前驱体Sr3Ti2O7,然后在片状晶体Sr3Ti2O7上外延生长制备出片状晶体SrTiO3,采用XRD和SEM分析产物的结构。结果表明,利用微波熔盐法在750℃保温3h得到了尺寸为10μm的片状Sr3Ti2O7,将前驱体Sr3Ti2O7和TiO2在微波场中于700℃保温2h得到了10~20μm的片状晶体SrTiO3。和常规熔盐法相比,微波熔盐法降低了SrTiO3的合成温度,节省了晶化时间,大幅度地降低了能耗。  相似文献   
32.
黄端平  徐庆  张枫  陈文  刘韩星 《功能材料》2008,39(3):398-402
采用氨基多羧酸配合物法合成La1.9Sr0.1Ni0.9Cu0.1O4 δ超细粉料,对合成产物的结构和性能进行了表征.研究结果表明,配合物前驱体经900℃保温2h热处理即形成单一的K2NiF4结构,合成粉料的颗粒细小、均匀(约100nm).X射线衍射Rietveld分析结果显示,La1.9Sr0.1Ni0.9Cu0.1O4 δ为正交结构(空间群为Fmmm).与La1.9Sr0.1NiO4 δ相比,La1.9Sr0.1Ni0.9Cu0.1O4 δ表现出较好的烧结性能.与La2Ni0.9Cu0.1O4 δ相比,La1.9Sr0.1Ni0.9Cu0.1O4 δ具有较高的总电导率.在1400℃烧结的La1.9Sr0.1Ni0.9Cu0.1O4 δ的相对密度达到95.3%,在600~800℃的测试温度范围内陶瓷样品的总电导率为78~99S/cm,在800℃的测试温度下陶瓷样品的氧离子电导率为2.0×10-2S/cm.  相似文献   
33.
介绍了有机/无机类钙钛矿(C12H25NH3)2PbI4的晶体和薄膜的制备,并采用了XRD、SEM、AFM和PL表征材料的结构、形貌及光学特性等。XRD实验表明制备的(C12H25NH3)2PbI4晶体结晶度高。探索旋涂法制备工艺参数对薄膜结构的影响.在薄膜XRD中几乎只能观察到(0021)晶面的衍射峰.表明有机/无机类钙钛矿层沿平行与基片方向择优生长,SEM和AFM表明薄膜致密性较好,表面粗糙度较小。  相似文献   
34.
微波在无机化合物合成中的应用   总被引:9,自引:0,他引:9  
概述了和同波合成无机化合物材料的进展,介绍了几种微波合成材料及其工艺特点,展望了微波合成的将来发展。  相似文献   
35.
光降解催化剂的研究和应用   总被引:5,自引:0,他引:5  
简要阐述了光催化剂的作用机理载体及其应用:根据它们的组成和结构,将其分为单一氧化物、纳米硫化物、复合型光催化剂、层状结构光催化剂、AB2O4型和络合物光催化剂等。分析了光催化剂发展方向;也讨论了光催化剂的改性方法及其影响催化效果的因素。  相似文献   
36.
Thrtough-space interactions of π orbiatl andσ orbital in molecule tricyclo 4,2,2,2,dodecadiene -1.5 werestudied by means of DV-Xa SVF method using a modelmolecule that consist of two ethylenes with interdeck distanceD.The results show the through-space interactions of the titlemolecule decrease with the increasing of D,the through-spaceinteractions of π orbital are larger than that of σ orbital.Fur-thermore,through-bond interactions of the π orbtial and σ or-bital were analyzed basing on the calculations of the electronicstructure of the title molecule.Both through-space andthrough-bond interactions are large and the net interactionsare small.The calculated ionization potential energies of thetitle molecule which were obtained by transition-state proce-dure are in good agreement with the PE spectroscopy.  相似文献   
37.
随着能源危机和环境污染问题的日益突出,新能源的研发是当前人们密切关注的重要研究领域之一。除新能源的收集外,能量的存储也日益受到人们的重视。常见的储能器件有电池、燃料电池、超级电容器和电介质电容器等。其中电池和燃料电池的能量密度高,但功率密度低;传统电介质电容器的功率密度高,但储能密度低;超级电容器的功率密度和能量密度介于电池和传统电容器之间。电介质电容器具有介电常数高、介电损耗低、功率密度高、充/放电速度快、工作电压/电流大、可靠性好、温度稳定性好等优点,已经被应用于脉冲功率器件领域。双轴拉伸聚丙烯(BOPP)已经实现了商业化应用。但电介质电容器固有的储能密度较低,限制了其应用范围。如何提高电容器的储能密度成为亟待解决的一个关键问题,也是目前人们研究的重点。与块体材料相比,薄膜电容器的耐压强度高,因此其储能密度高。本文的关注点就是无机储能薄膜的研究现状及提高其储能密度的方法。目前已经对储能薄膜开展了大量的研究,其结构体系有很多,如钙钛矿结构、铋层状结构、焦绿石结构、单金属氧化物薄膜等。其中钙钛矿结构薄膜是研究最早、最多的一类。目前,用磁控溅射或激光脉冲沉积制备的无铅钙钛矿结构薄膜的储能密度达100 J/cm~3以上。然而,由于薄膜制备方法多、工艺复杂,会产生很多因素影响其性能,特别是储能密度。薄膜工艺的可重复性和性能的稳定性是非常重要的。综合文献资料可知,提高储能密度的方法主要有:(1)元素掺杂或多相复合形成固溶体,可以提高极化和耐压强度,从而提高储能密度,该方法是一种比较简单易行的常见方法;(2)制备工艺的改进也可以提高薄膜的储能密度,改进的方法有退火工艺、局域场工程、取向、应力、电极等方面的调控;(3)叠层结构等异质结构界面调控是近年来兴起的一种提高薄膜储能密度的方法,已取得明显效果。本文概述了评价电介质储能特性的主要参数,简要介绍了电介质的分类,归纳了钙钛矿结构、焦绿石结构、氧化物结构等几类储能薄膜的研究现状,分析总结了提高薄膜储能密度的方法,最后对无机储能薄膜的发展趋势进行了展望,以期对无机储能薄膜的研发提供一定的参考。  相似文献   
38.
合成了一种新的有机无机层状类钙钛矿(RNH3)2CuX4半导体薄膜,通过研究发现该薄膜的载流子迁移率的大小与有机组元的选择有关,有机组元的选择决定了产物在(00 2l)上的择优取向度,而薄膜在(00 2l)取向性越高,其载流子迁移率越大,该体系目前载流子迁移率达到了0.30 cm2V-1s-1,有望应用在场效应晶体管器件中作为通道材料。  相似文献   
39.
本文探索采用微波加热方式合成SrTiO3,研究合成体系的微波合成的加热机制,在合成中影响微波加热的主要因素包括合成体系的介电性质、保温材料的结构、生坯的致密度等.在SrTiO3的合成过程中,低温阶段TiO2和SrCO3对体系的升温速率的贡献相接近;高温阶段主要是TiO2的贡献,同时产物对升温有较大的影响,微波加热与常规合成加热方式的明显不同使其在合成的过程、合成的时间等方面有较大的区别.  相似文献   
40.
锂离子电池电解质的最新研究进展   总被引:6,自引:0,他引:6  
综述了近几年来电解质(即液态电解质和固态电解质)的研究进展,主要是介绍如何提高液态电解质的性能和固态电解质的性能。对液态电解质主要是电化学稳定性的提高,而对固态电解质则包括对离子电导率、电化学稳定、机械性能等的提高。虽然在锂离子电池中,对电池性能起决定作用的是电极材料,但只有对正、负极匹配合适的和性能好的电解质才能达到对锂离子电池性能的优化和提高。因而电解质性能的好坏对锂离子电池的性能有重要的影响。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号