排序方式: 共有31条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
在研究难熔金属氮化物/n-GaAs体系的势垒特性随退火温度的变化时,发现势垒特性温度提高而有所改善。深入研究发现,在负偏压预溅射氮离子后,难熔金属/n-GaAs的势垒特性仍有此变化。硅化物与砷化镓的接触本无此特性,但预溅射氮后出现此现象,因此,人们认为有可能N在GaAs表面形成或参与形成了一个P^+层。 相似文献
12.
A novel manifestation of super-lattice properties in GaAs/AlGaAs quantum well photodiode structure grown by MOCVD was observed. When a sample was illuminated, the C-V profiles at different temperature showed an oscillation of charge conccntration.It was explained in terms of quantum well behaving as "giant trap". The mechanism of transport at different temperature was discussed. We also gave a comparison of interface of hete-rojuncion GaAs/AlGaAs and the trap-like effect of quantum well. The deep level of "giant trap" of quantum well was measured by DLTS. Detailed balance between emission and capture of free carriers in quantum well was deduced. 相似文献
13.
采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管--Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si:H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I-V,C-V,G-f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射-复合模型,这是nc-Si:H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高,表现出较好的整流特性. 相似文献
14.
不同介质膜的InP MIS结构界面陷阱的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对经 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的不同介质膜 InPMIS结构样品的界而陷阶进行了研究.样品介质膜的生长是在特定实验条件下进行.分别利用C-V(Capacitance-Voltage)和 DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)技术进行研究.结果表明,在介质膜和InP之间InP 一侧有若干界面陷阱存在,获得了与界面陷阱有关的深能级参数.这些陷阱的来源可能是:(1)介质膜淀积过程中InP表面部分P原子挥发造成的P空位;(2)InP衬底材料中的原生缺陷;(3)介质膜淀积过程中等离子体引进的有关辐照损伤. 相似文献
15.
利用DLTS技术详细研究了经钴溅射并在不同温度下的RTA在n型和p型硅里引进的深能级。结果表明在n型硅里有五个深能级生成,这些能级的浓度较低,分布在2×10~(10)—1×10~(11)cm~(-3)范围内。它们可归因于替位的钴原子,钴与RTA的互作用或钴与缺陷的络合物。 相似文献
16.
17.
18.
19.
在研究难熔金属氮化物/n-GaAs体系的势垒特性随退火温度的变化时,发现势垒特性随温度(700~850℃)提高而有所改善。深入研究发现,在负偏压预溅射氮离子后,难熔金属/n-GaAs的势垒特性仍有此变化。硅化物与砷化镓的接触本无此特性,但预溅射氮后出现此现象,因此,人们认为有可能N在GaAs表面形成或参与形成了一个p 层。为深入了解产生这一现象的原因,对两种砷化镓样品:半绝缘和n型GaAs(100)样片,分别注入N 或N +Si ,以研究N在GaAs中的行为。退火消除损伤后,对样品进行霍尔测量和深能级瞬态谱研究。分析所得结果,发现N在GaAs中引入一深能级,位置在Ec=-0.38eV左右,并在退火后可使ELZ能级密度大大增加,但未发现氮在砷化镓中可形成p型层的迹象。如果不是由于实验条件不同的原因,又若确实存在p 层,则很可能是难熔金属或难熔金属与氮共同作用的结果。 相似文献
20.
利用电流电压(IV)、电致发光(EL)和深能级瞬态傅里叶谱(DLTFS)技术研究ⅢⅤ族氮化物基异质结深电子态.观察到大电流(直流)冲击引起电流电压和电致发光特性的弛豫.DLTFS研究表明,电流冲击之前,样品存在一个位于导带下11eV处深能级(E1),它具有27×1013cm-3浓度和5×10-14cm2俘获截面.经电流冲击(77K,200mA和40min)后,E1浓度为421×1013cm-3,约增加了2倍.实验结果表明E1浓度的增加与样品IV、EL特性弛豫是一致的 相似文献