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应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)和二次液相外延(LPE)生长的InGaAs/GaAs应变层量子季阱激光器深中心行为.在MBE激光器的n-AlxGa1-xAs组分缓变层和限制层里,除众所周知的DX中心外,还观察到有较大俘获截面的深(空穴、电子)陷阱及其相互转化.这些陷阱可能分布在x从0到0.40和x—0.40的n-AlxGa1-xAs层里x值不连续的界面附近.而在LPE激光器的n-AlxGa1-xAs组分缓变层和限制层里,DX中心浓度明显减少,且深(空穴、电子)陷阱消失 相似文献