可控孔隙结构三维多孔β-磷酸三钙支架的制备与表征

采用快速原型技术构造了3种不同形貌的高分子多孔模板,然后通过浆料灌注和凝胶注模原位凝固技术制备出以β-磷酸三钙为主要成分的三维多孔支架,实现了对骨组织工程支架孔结构的控制。采用微计算机断层扫描技术,在不破坏样品的情况下,精确地对支架的孔隙结构进行了观察和表征,并对支架的物相组成、显微形貌以及抗压强度进行了分析和测试。采用高分子模板制备的规则孔结构支架,大孔隙相互连通构成三维连通结构,并且具有大孔-微孔多级孔结构,抗压强度可达2MPa以上,大孔孔隙率为50%以上。结果表明,通过快速原型技术制备的连通多孔高分子模板,结合原位凝固成型技术,可以制备出孔径和结构可控、孔隙完全连通的β-磷酸三钙支架。     

创办东风总公司“老年城”的构想

从新世纪开始以来,我国60岁以上老年人口已超过总人口的10%,人口年龄结构开始进入老龄化阶段。今后一个时期,我国老年人口还将以较快速度增长,预计到2015年,我国60岁以上人口将超过2亿,约占总人口的14‰上海社会老龄化速度居全国之首,早在2000年5月,上海60岁以上的老年人口已达238万人,占全市总人口的180%,标志着已进入老龄社会。     

Si基MOCVD生长AlN深陷阱中心研究

通过PL谱和Raman谱对MOCVD生长Si基AlN的深陷阱中心进行了研究,发现三个深能级Et1,Et2,Et3,分别在Ev上2.61,3.10,2.11eV.Et1是由氧杂质和氮空位(或Al间隙原子)能级峰位靠近重合共同引起的,Et2、Et3都是由于衬底Si原子扩散到AlN引起的.在Si浓度较低时,Si主要以取代Al原子的方式存在,产生深陷阱中心Et2.Si浓度高于某个临界浓度时,部分Si原子以取代N原子位置的方式存在,形成深陷阱中心Et3.实验还表明,即使经高温长时间退火,AlN中Et1和Et2两个深陷阱中心也是稳定的.     

正泰集团的三支“利箭”

1998年对正泰集团来说是一个充满希望和喜悦的年份。在东南亚金融危机和国内买方市场形成的不利影响下,该集团主动出击,正视困难,发展势头不减,其中尤为突出的是他们挑战市场的三支“利箭”:低压电器、成套电气和仪器仪表,引人注目。低压电器———新产品走进大市场交流接触器、继路器、继电器等低压电器是正泰集团主导产品,把低压电器这块产业做精、做细,乃至不断提高他们的市场占有率,是正泰决策层不变的战略。然而低压电器品种少、质量低、安全性能差是长期困扰中国人民生产和生活的一个问题。据专家们估计,我国低压电器与国外相比,至少…     

InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象

用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.     

220kV主变旁代运行时对主变保护和失灵保护的影响分析及控制措施

早期的220kV变电站设计中,220kV母线和110kV母线双母带旁路运行的接线方式是普遍存在的。在主变旁代运行时,由于开关CT退出运行,一方面与之相关的主变保护的保护范围会缩小,需要考虑保护相互配合及出现死区的问题,另一方面由于主变失灵的特殊性,还需要考虑主变旁代运行时对失灵保护的影响,以免造成主变保护范围缩小或者失灵保护误动,威胁电网的安全稳定运行。现通过探讨220kV主变保护在旁代运行时对主变保护及失灵保护的影响,提出了若干问题并加以分析,给出了相应的对策,以期为220kV变电站主变旁代运行时提供参考。     

对某水电站工程建设施工探讨

本文归纳总结了水利水电工程水工设计方案对比的重要性及原则,并对方案设计、工程投资、环境影响等方案对比因素进行了论述。     

添加氧化锆对氧化铝陶瓷的性能的影响

研究了ZrO2对Al2O3力学性能和耐磨性能的影响。将α-Al2O3与采用沉淀法合成的Zr(OH)4混合,凝胶混合物在600℃下煅烧2h。m(Al2O3)∶m(ZrO2)=85∶15的复合材料在1400℃至1650℃之间保温2h常压烧结。利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分别对试样的相组成和显微结构进行分析。结果表明,在1550℃温度下烧成的该复合材料获得了最高的密度、最好的耐磨性能和最佳的力学性能,其抗弯强度和断裂韧性分别达到708MPa和5.8MPa·m1/2。研究结果表明,在氧化铝中添加ZrO2有助于改善氧化铝陶瓷的力学性能和耐磨性能。     

生物活性功能涂层的结构特征与性能

采用净能量控制的等离子喷涂技术,在钛合金基体上制备出HA-ZO2生物活性功能涂层,利用纳米硬度计(nanoindentation)、扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)等对生物活性功能涂层的结构特征进行分析.结果表明(1)生物活性功能涂层表面分布着不同尺寸范围的孔洞,具有典型的多孔结构特征,整个涂层沿垂直基体方向从底层致密结构向表面层多孔结构过渡,涂层表面成分为生物活性的羟基磷灰石;(2)金属基体与陶瓷界面区域的弹性模量、硬度呈梯度变化,涂层的这种结构特征有利于改善生物活性涂层的综合性能,提高涂层与基体的结合强度,其结合强度达到48.6MPa.     

n-ZnO/p-GaN异质结构发光二极管的制备与特性

报道了n-ZnO/p-GaN异质结构发光二极管的制备及其发光特性.采用金属有机气相外延技术在Mg掺杂p型GaN衬底上外延n型ZnO薄膜以形成p-n结.实验发现在一定配比的HF酸和NH4Cl溶液中,腐蚀深度和腐蚀时间呈线性关系,并且二氧化硅和ZnO的腐蚀速率得到很好的控制,这对器件制备的可靠性非常重要.电流-电压(I-V)特性测试显示该器件结构具有明显的整流特性.室温下,在正反向偏压状态下都可用肉眼观察到电致发光现象.同时,通过与光致发光谱进行比较,对电致发光谱中发光峰的起源和发光机制进行了探讨.