露天采场排放尾矿后下部矿体开采安全性研究

由于新华山铜矿没有尾矿排放地点,因此在正式生产前决定将首采部位上部露天采场作为排尾地点。本文对排尾后下部矿体开采的安全性展开了研究,主要采用了有限元程序对变形和渗流进行了模拟研究。结果表明:采取一定的措施后,排尾后下部矿体可以回采。     

AQC余热锅炉钢架有限元分析

根据某工程两台由于地基下沉而倾斜的AQC余热锅炉钢架特点,利用ANSYS软件建立钢架有限元模型,对钢架进行静力分析和模态分析,分析了两台倾斜钢架在不同载荷工况下的应力分布及变形情况,并与未倾斜钢架分析结果进行对比.该方法和结果为这两台余热锅炉的安全运行提供依据,也为类似工程提供参考.     

中波双色光伏型HgCdTe红外探测器模拟研究

基于二维数值模型,对光伏型中波(MW1/MW2)HgCdTe双色红外探测器作了模拟计算,器件采用n-p-p-p-n结构、同时工作模式.计算了双色器件光谱响应及量子效率,重点分析了两个波段间的信号串音问题,以及高组分势垒层的作用.模拟结果显示,MW1(中波1,波长较短)对MW2(中波2,波长较长)的串音是辐射透过MW1区在MW2区中吸收引起的,串音与光吸收比近似成正比,而载流子扩散效应可以忽略不计.高组分阻挡层对载流子扩散引起的串音有显著的抑制作用,如果没有势垒层,载流子扩散引起的串音十分明显,甚至成为串音的主导因素.对于60×60μm2探测单元MW1和MW2的结电容大约为1.75pF/pixel.     

激光束诱导电流在HgCdTe双色探测器工艺检测中的应用

报道了激光束诱导电流（LBIC）在碲镉汞（HgCdTe）红外双色探测器工艺检测中的应用.通过LBIC测试,发现p型HgCdTe材料由B＋离子注入损伤形成的n区面积大于其注入面积,并获得n区横向的精确分布.同时,运用LBIC,获得了p型HgCdTe材料因不同能量的等离子体干法刻蚀诱导的刻蚀台面侧壁工艺损伤形成的n区横向分布,并得到了n区横向宽度与等离子体能量的关系.     

HgCdTe探测列阵干法技术的刻蚀形貌研究

首次报道了HgCdTe微台面焦平面探测列阵成形工艺的干法刻蚀技术有关刻蚀形貌的一些研究结果.从HgCdTe外延材料的特点出发,详细分析了其干法刻蚀适用的RIE(reactive ion etching)设备和刻蚀原理.采用高等离子体密度、低腔体工作压力、高均匀性和低刻蚀能量的ICP(inductively coupled plasma)增强型RIE技术,研究了不同的工艺气体配比、腔体工作压力、ICP源功率和RF源功率对HgCdTe材料刻蚀形貌的影响,并初步得到了一种稳定的、刻蚀表面清洁、光滑、图形轮廓良好、均匀性较好和刻蚀速率较高的干法刻蚀工艺.     

碲镉汞pn结中少数载流子寿命的测量

采用改进的光致开路电压衰退方法测量了不同组分Hg1-xCd,Te光伏探测器中光生少数载流子寿命。激发光源为脉冲YAG激光泵浦的光学参量产生器／放大器形成的可调谐红外脉冲激光器。为了减小结电容和串联电阻的影响,引入稳态背景光照明。用存储示波器记录pn结两端开路状态下的电压变化。从指数衰退的曲线经拟合得到开路电压的衰退时间常数,认为其反映了碲镉汞pn结中光生载流子的寿命。实验结果表明：四种组分的探测器在液氮温度下其少数载流子寿命值范围在18—407ns之间。     

HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究

文章报道了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果。首先采用常规光刻胶作为HgCdTe材料的ICP干法刻蚀掩模。扫描电镜结果发现，由于刻蚀的选择比低，所以掩模图形退缩严重，刻蚀端面的平整度差，台面侧壁垂直度低。因此采用磁控溅射生长的SiO2掩模进行了相同的HgCdTe干法刻蚀。结果发现，SiO2掩模具有更高的选择比和更好的刻蚀端面。但是深入的测试表明，介质掩模的生长对HgCdTe表面造成了电学损伤。最后通过优化生长条件，获得了无损伤的磁控溅射生长SiO2掩模技术。     

某铁矿排水排泥系统优化设计

某铁矿由于排水排泥系统所存在的问题,导致矿山无法安全生产,研究确定了排水、排泥系统的优化方案。结果表明,新方案在保证矿山井下安全生产的同时取得了显著的经济和社会效益。     

基于模糊综合评价的矿山总图方案优选

利用模糊综合评价法,并根据矿山总图设计自身的特点,建立矿山总图设计评价指标体系。借助模糊数学理论,引入分层的方法,将定性与定量相结合,从多个因素出发对复杂的矿山总图设计方案进行综合评价。最后运用模型对一矿山总图设计实例进行评价优选,得出结论,进而验证评价模型的可行性和有效性。     

码头的泡沫灭火系统设计

介绍了泡沫炮应用于码头泡沫灭火系统的设计实例，就设计中遇到的问题进行了分析总结，并对《石油化工企业设计防火规范》的完善提出了一些建议。