一种基于频谱细化分析的虚拟低音VB Phase Vocoder算法改进

介绍了产生虚拟低音的VB Phase Vocoder算法,阐述了其频谱确定方法在处理密集频谱时的不足。针对此情况引入了基于复解析带通滤波器的复调制细化频谱分析,通过对低频段的细化处理,提高了频谱确定单元的处理精度。实验证明该做法能有效改善虚拟低音的音色,其低音响度也与真实音频更为接近。     

纳米VO2/PEDT复合膜的制备及阻温特性的研究

将纳米VO2粉体与聚3,4-乙撑二氧噻吩复合,制备出一种新型的负电阻温度系数特性的聚合物基复合材料。通过计算复合膜简化模型的等效电阻网络,结果表明串联电阻结构有利于复合膜表现出高电阻相二氧化钒的电阻温度特性。同时,由于掺杂过的VO2粉体相和聚3,4-乙撑二氧噻吩导电聚合物相的共同作用,这种复合膜的电阻随温度变化量可达到一个数量级以上。最后,给出了复合膜的扫描电子显微镜图像结构。     

镓和锗

镓发现于1875年,但直至30年前其应用仍极为有限。这些年来,电子工业迅速发展,从使用气态装置转向使用固体电路元器件,在该领域内为镓的应用开辟了广阔的前景。目前,几乎全部原生镓是作为处理铝土     

热敷法制备丝状阴极及其在场发射中的应用

采用热敷法将碳纳米管(CNT)浆料直接热敷在Ni丝上制备成丝状阴极,并在圆柱形灯管中采用二极结构测试其场发射性能.扫描电镜(SEM)测试表明,丝状阴极的表面有一层均匀的CNT材料;场发射结果表明,CNT-Ni丝状阴极与传统的场发射阴极相比具有更优良的场发射性能,开启电场为0.15 V/μm,当电压为2280V时发射电流达到4 mA.在腔体中测试其发光亮度,最高值达到了14000 cd/m2.     

电场作用下PVDF薄膜的结构相变与剩余极化特性研究

采用流延工艺制备了半晶态的PVDF薄膜,通过X射线衍射分析（XRD）对不同电场强度下电极化的薄膜进行了表征。电极化的相变过程为α相→δ相→β相。薄膜的铁电性能分析表明,薄膜的剩余极化值Pr随电场强度变化的趋势符合Boltzmann分布函数,拟合的Boltzmann方程表明：引起Pr变化最大的极化电场强度范围是105～125MV／m,最大的剩余极化值Pr达到6μC／cm^2。     

不同强酸氧化对碳纳米管场发射特性的影响

研究了强HNO3和HNO3-H2SO4氧化对碳纳米管(carbon nanotubes,CNTs)场发射特性的影响,采用TEM、Raman、XPS和J-E进行了表征。实验结果表明,HNO3和HNO3-H2SO4可去除碳纳米管中的催化剂颗粒、无定形碳及碳纳米微粒等杂质;由于H2SO4具有协同氧化和脱水作用,使得混酸氧化后的碳纳米管具有更高的无序程度和缺陷密度,且表面存在C—OH,CO,OCOH等氧化基团。HNO3和HNO3-H2SO4氧化碳纳米管的开启电场分别为1.7和1.1V/μm,当电场增大至3.0V/μm的电场下对应的发射电流密度分别为1.8和4.2mA/cm2。     

PVDF薄膜的极化及其电性能研究

利用傅里叶红外光谱(FTIR)、示差扫描量热分析(DSC)、电滞回线和漏电流的分析,研究热极化和电晕极化对PVDF薄膜电性能的影响。结果表明,热极化和电晕极化都可以提高PVDF薄膜的铁电性能,但是不同的极化温度、极化电场强度和极化时间使得PVDF薄膜具有不同的漏电流性能。在强电场作用下,热极化的温度更高,时间更长,偶极电荷的沿电场取向更完全,α晶型向β晶型的转变更彻底,因此剩余极化值、结晶度和β晶型的含量均高于电晕极化后的薄膜。热极化中注入的空间电荷主要被PVDF的深阱俘获;而电晕极化过程中大量的空间电荷被聚合物材料的浅阱俘获。浅阱俘获的空间电荷稳定性要弱于深阱中的电荷,因此电晕极化的PVDF薄膜的漏电流需要更长的稳定时间。     

基于AlN压电层的薄膜体声波谐振器

以AlN薄膜为压电层,采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型结构薄膜体声波谐振器.材料测试结果表明,在优化溅射工艺下沉积的AlN薄膜具有(002)择优取向及良好的柱状晶结构.扫描电镜表征证实所制得的空腔背部平滑且各向异性较好.用网络分析仪测试可知,最终所制得的谐振器具有较好的频率特性:谐振频率为2.537GHz,机电耦合系数为3.75%,串、并联品质因数分别为101.8和79.7.     

基于分布式布拉格反射器的量子点彩膜

通过研究量子点彩膜的转换效率、结构对出光强度和色域的影响,提出了基于分布式布拉格反射器的量子点彩膜新结构。首先通过光学仿真软件导入红/绿量子点参数并构建量子点彩膜光色转换模型,设置分布式布拉格反射器和传统滤光片的膜层属性;再以蓝光背光源激发量子点彩膜,研究膜层在不同膜厚和量子点比重的情况下蓝光利用率;最后,比较了传统彩色滤光片和分布式布拉格反射器两种结构对量子点彩膜光学性能的影响。设计结果表明:新结构比传统彩色滤光片结构红、绿子像素光强分别提升了2.19和2.26倍,在CIE1931-NTSC标准下可实现色域为128%。     

Application of ZnO nanopillars and nanoflowers to field-emission luminescent tubes

Zinc oxide (ZnO) nanopillars on a ZnO seed layer and ZnO nanoflowers were synthesized by electrochemical deposition on linear wires. The morphologies and crystal orientation of the ZnO nanostructures were investigated by a scanning electron microscopy and an X-ray diffraction pattern, respectively. Detailed study on the field-emission properties of ZnO nanostructures indicates that nanopillars with a high aspect ratio show good performance with a low turn-on field of 0.16 V/μm and a high field enhancement factor of 2.86CcCc10⁴. A luminescent tube with ZnO nanopillars on a linear wire cathode and a transparent anode could reach a luminance of about 1.5CcCc10⁴ cd/m² under an applied voltage of 4 kV.