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41.
将ZnO-H3BO3(ZB)玻璃作为烧结助剂添加到BaO-TiO2-ZnO系(BTZ)陶瓷中,以实现BTZ陶瓷的低温烧结。研究了ZB玻璃的加入及球磨时间对BTZ陶瓷的烧结性能和介电性能的影响。结果表明:ZB玻璃的加入,明显降低了BTZ陶瓷的烧结温度。添加质量分数6%的ZB玻璃、球磨10 h时,BTZ陶瓷能够在950℃下致密烧结,获得良好的介电性能(1 MHz):εr=35.55,tanδ=2.2×10–4,–10×10–6/℃<α<+10×10–6/℃(–55~+125℃)。 相似文献
42.
(Zr0.8Sn0.2)TiO4陶瓷预烧和烧结工艺研究 总被引:6,自引:2,他引:4
研究了预烧和烧结工艺对(Zr0.8Sn0.2)TiO4系统陶瓷材料介电性能的影响,发现预烧温度对介电常数ε影响不大,但预烧温度过高或过低会使介电损耗tanδ增大;在一定范围内提高烧结温度能使ε增加,但烧结温度过高或过低会使tanδ增大。XRD分析表明,在1100°C预烧,1150°C烧结的该系统主晶相是(Zr0.8Sn0.2)TiO4。该系统具有优良的介电性能(1MHz):ε≈38,tanδ≤10-4,体电阻率ρv≥1013·cm,温度系数αc=0±30×10-6/°C。 相似文献
43.
MgO—TiO2-CaO系统介电性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
首先研究了不同组成的MgO—TiO2-CaO(MTC)系统的介电性能。偏钛酸镁(MgTiO3)具有正温度系数。钛酸钙具有较大的负温度系数,用它来调整钛酸镁系统的温度系数以使其趋近于零。同时向系统中加入玻璃,玻璃在烧结中形成液相,加速MTC系统的烧结并改善其介电性能。获得了一种性能良好的零温度系数陶瓷材料。 相似文献
44.
45.
46.
Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(简称BMT)陶瓷是A(B′1/3B″2/3)O3(A=Ba,Sr;B′=Zn,Mg;B″=Nb,Ta)型复合钙钛矿化合物中的一种,A位由Sr离子取代Ba离子,形成(Ba1-xSrx)(Mg1/3Ta2/3)O3(简称BSMT)固溶体型化合物,也具有复合钙钛矿结构。Sr含量x≥0.6时发生相转变,形成一种新的低温相,这是由于氧八面体畸变造成的。这种低温相结构与BMT六方晶系结构相比具有较低的对称性。低温相的形成.可显著降低BSMT陶瓷的烧结温度.在150℃即可烧结致密(BMT为160℃)。BSMT的微观结构和介电性能(如介电常数ε和介电常数温度系数aε)的变化也与此相转变有关。 相似文献
47.
48.
针对MPCMAB SAR中空时不等效现象引起成对回波假目标的问题,从理论上分析了其产生的原因,并提出了消除成对回波虚假目标的补偿方法,最后通过仿真试验证明了该补偿方法的有效性. 相似文献
49.
本文介绍了汽车制动用“真空助力器总成”的性能校验台8098单片微机测控系统的硬件组成、软件结构等问题。 相似文献
50.
钛酸钙对BZN-CaTiO3系统介电性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了利用电子陶瓷工艺制得的主晶相为Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(BZN)和CaTiO3的新型陶瓷,BZN具有立方钙钛矿结构。通过烧结温度的改变得到不同介电性能的陶瓷材料,发现CaTiO3的添加量对系统介电性能有显著影响。在1 395℃烧结的BZN-CaTiO3陶瓷,当CaTiO3的添加量为60%(质量分数)时介电性能最佳,其εr为99.97,tgδ为0.54×10-4,αC为–13.05×10-6℃–1(25~85℃,1MHz下测量)。 相似文献