基于激光诱导击穿光谱的煤样典型特性研究北大核心CSCD

为了准确检测煤样的各种元素含量、灰分和发热量等工业指标,提出利用激光诱导击穿光谱技术进行煤样的光谱强度信息采集。激光诱导击穿光谱技术作为一种新型的元素分析技术,通过高能脉冲激光聚集在样品表面,分析等离子体释放出的元素谱线信息,得出样品元素含量和组成。而光谱信息采样的延迟时间是光谱检测中一个非常重要的参数,为了研究延迟时间对煤样激光诱导击穿光谱信号强弱的影响,提出了通过连续背景强度变化和相对标准偏差计算来判定测量煤样的最佳延迟时间。本研究选取山东济南众标科技有限公司的三种标准煤样作为研究对象,实验测试使用Nd∶YAG脉冲激光器,波长为1064nm。对于煤质的检测,采用AvaSpec Dual型光纤光谱仪,光谱探测波长范围为两通道195~467nm和615~973nm。延迟时间为247~252μs对三种标准煤样ZBM100、ZBM101、ZBM104的光谱信息进行特征分析,通过光谱信号强度和连续背景强度随延迟时间变化的关系,判断出247~252μs范围内的最佳延迟时间。随着延迟时间的增加,连续背景强度快速衰减,在250μs时,连续背景强度和光谱信号强度分别衰减到延迟时间为247μs时的30和50。其次通过在不同延迟时间下相对标准偏差的计算,判断出标准煤样样本中Al、Si、Fe三种元素最佳延迟时间为247μs、248μs、249μs所对应的标准偏差达到最小值,得到因选用标准煤样对象不同其相对标准偏差对应元素的最佳延迟时间也会有所差异。研究结果表明,三种标准煤样ZBM100、ZBM101、ZBM104的光谱强度在247~252μs的最佳采样延迟时间为250μs。此实验研究结果,为激光诱导击穿光谱技术探测和分析煤质检测的最佳延迟时间提供了依据。     

有源层溅射温度对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管电学特性的影响

The effect of active layer deposition temperature on the electrical performance of amorphous InGaZnO （a-IGZO） thin film transistors （TFTs） is investigated. With increasing annealing temperature, TFT performance is firstly improved and then degraded generally. Here TFTs with best performance defined as ＂optimized-annealed＂ are selected to study the effect of active layer deposition temperature. The field effect mobility reaches maximum at deposition temperature of 150℃ while the room-temperature fabricated device shows the best subthreshold swing and off-current. From Hall measurement results, the carrier concentration is much higher for intentional heated a-IGZO films, which may account for the high off-current in the corresponding TFT devices. XPS characterization results also reveal that deposition temperature affects the atomic ratio and Ols spectra apparently. Importantly, the variation of field effect mobility of a-IGZO TFTs with deposition temperature does not coincide with the tendencies in Hall mobility of a-IGZO thin films, Based on the further analysis of the experimental results on a-IGZO thin films and the corresponding TFT devices, the trap states at front channel interface rather than IGZO bulk layer properties may be mainly responsible for the variations of field effect mobility and subthreshold swing with IGZO deposition temperature.     

飞秒激光切割复杂形状石英器件的试验研究

为了从石英单晶薄片上切割分离出复杂形状的器件,进行了石英单晶薄片的飞秒激光基础试验。在50、100、200 kHz高重复频率下,试验研究了烧蚀孔径与激光参数的关系,从而分析计算得到在对应重复频率下纯石英的刻蚀阈值分别为3.73、3.45、3.2 J/cm2。然后,研究了飞秒激光的脉冲能量、扫描速度等加工参数对微槽加工质量的影响。结果表明,激光脉冲能量会显著改变加工微槽的表面形貌,扫描速度控制在3.5 mm/s附近时加工效果最优。最后,利用优化的工艺参数,在厚度0.45 mm的石英晶片上切出了谐振音叉类复杂形状器件,总体上达到了预期的质量要求。     

新型兆声清洗去除集成电路衬底硅片表面污染物的分析研究

集成电路衬底硅片表面存在污染物会严重影响器件可靠性,非离子表面活性剂能有效控制颗粒在硅单晶片表面的吸附状态,使之保持易清洗的物理吸附．在清洗液中加入特选的非离子表面活性剂,大大提高了兆声清洗去除颗粒的效率和效果。实验表明当活性剂在清洗液的配比为1％,颗粒去除率可达95%以上。     

ImageSAN软件在制播一体化网络中的实际应用

从我台现行的全数字制播一体化硬盘播出网络系统存在的问题出发,将ImageSAN软件的优势合并到现在的E-Net网络中,从而形成存储区域网络＋因特网协议（SAN＋IP）的双网结构,以此来改善由带宽引起的服务器瓶颈问题,达到真正的高效、快速、流畅的网络结构。     

异质存储系统中的高速缓存机制研究

存储子系统是嵌入式系统的重要组成部分.由于传统存储系统的设计已经无法满足容量日益增长的需求,固态存储器的应用越来越广泛.针对固态存储系统的存取速率慢的问题,目前常用的优化技术主要有缓存和并行读写技术.然而,在大多数应用和研究中,如何将这两类技术进行融合是目前遇到的一个重大挑战.对此,本文提出一种融合了缓存技术和并行读写...     

屏蔽电缆转移阻抗时域测量方法研究

提出了屏蔽电缆转移阻抗时域测量的一种新方法。建立的时域测量系统由高压脉冲源、三同轴装置、阻抗匹配网络、数字存储示波器以及同轴衰减器组成,能够通过时域测量获得电缆表面转移阻抗曲线,同时可直接评估电缆芯线的电磁脉冲响应。与频域测量获得的转移阻抗比较表明,时域测量是准确的;建立的参数化模型能够准确估计屏蔽电缆的电磁脉冲响应,多组验证数据表明,模型使用效果良好。     

数据挖掘算法研究

数据挖掘技术是一个不断发现知识的过程。阐述了目前三种流行的数据挖掘算法的理论模型及算法思想,并从算法时间复杂度、依赖条件和误差估计等方面进行了比较分析,说明了不同算法的优势和不足。指出了不同算法的应用前景,提出了一种将不同算法结合以减少误差率,提高算法效率的思路。     

半导体量子点在白光LED中涂覆厚度的确定

在蓝光LED上涂覆黄光量子点是合成白光LED的重要方法之一,确定量子点的涂覆厚度是合成白光的一个关键步骤。引入厚度系数来模拟厚度,证明了一定厚度范围内,厚度系数与厚度的线性关系。根据光谱的线性叠加以及能量守恒定律,建立数学模型,编程计算,结合实验,确定量子点厚度。按照模拟计算得到的厚度涂覆LED芯片,即可获得白光LED。本方法可以为实际生产提供指导,提高生产效率。     

Ⅲ族氮化物光电阴极原位程序升温脱附

建立了理论热脱附和原位程序升温脱附方法研究III族氮化物光电阴极部件的热除气过程。基于Malev吸附-扩散除气理论搭建了光电阴极的平板模型,利用Fick第一和第二定理计算得到了除气过程中样品吸附气体浓度、瞬时除气速率以及总的气体脱附量随时间变化的表达式。为便于直观研究,通过截取四阶近似给出不同扩散系数量级下的以上参量随时间的变化曲线。在III族氮化物光电阴极TPD动态法实验中,研究并分析了光电阴极部件在不同恒温除气阶段的残余气体谱图,由此得出进入真空中的脱附气体种类。采用最小二乘法拟合得到:恒温1 000 K的条件下,N2的扩散系数为510-5 cm2/s。通过理论分析结合TPD实验,III族氮化物光电阴极部件热清洗的有效去除污染加热温度得到了有效的评估和验证。