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151.
152.
针对语言环境下主体给出容忍区间的有差异双边匹配决策问题,提出一种决策分析方法.首先,分别针对效益型准则和成本型准则定义匹配度函数,并利用匹配度函数计算各准则下双方主体的评价值对应的匹配度.其次,利用线性加权集结方法将各准则下的匹配度集结为总匹配度;进一步建立多目标双边匹配模型,并通过将其转化为单目标优化模型进行求解,得... 相似文献
153.
A bending creep setup was introduced and its feasibility to evaluate creep behavior of materials was experimentally verified on pure Sn.Thereby,the creep of eutectic Sn-9Zn was studied.It was identified that high and low stress regimes exist in the creep of Sn-9Zn,and in both stress regimes,the data obtained well fit the modified equation of Norton power law.Parameters n and Q in the modified Norton equation obtained are very closed to those reported by other researchers by means of conventional tensile creep tests.The mechanisms governing the creep deformation of Sn-9Zn in both stress regimes were also discussed. 相似文献
154.
金刚石线锯切割晶体硅模式研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过单颗金刚石刻划晶体硅实验和金刚石线锯切割晶体硅片表面形貌观察,分析研究了金刚石线锯切割晶体硅的模式。结果表明:在较大正压力下刻划时,金刚石主要以脆性模式切割晶体硅,划痕呈破碎崩坑状,在单颗金刚石刻划实验条件下可看到脆性解理条纹;而在较小的压力下,金刚石主要以塑性模式切割晶体硅,划痕相对平直光滑;金刚石线锯切割晶体硅片时,硅片表面呈现大量由脆性断裂留下的不规则凹坑和较长的光滑划痕,显示出以脆性模式与塑性模式混合切割模式。分析其原因可能是由于切割过程中线锯正下方对晶体硅的压力较大,以脆性模式进行多颗粒反复刻划;而与此同时,线锯侧面金刚石颗粒以小得多侧向压力对切割暴露出的硅表面进行蹭磨刻划,因此产生塑性模式刻划。 相似文献
155.
针对概率犹豫模糊信息下准则具有期望水平的双边匹配决策问题,考虑双边主体后悔规避的心理行为特征,提出一种基于后悔理论的双边匹配决策方法.首先,定义概率犹豫模糊元的新兰氏距离和兰氏记分函数.然后,基于后悔理论提出一种准则具有期望水平的概率犹豫模糊双边匹配决策方法.该方法利用期望效用函数和概率犹豫模糊元兰氏记分函数构建双边主体的准则效用值矩阵;利用后悔-欣喜函数构建双边主体对于准则期望水平的后悔-欣喜值矩阵;依据后悔理论构建双边主体对于准则期望水平的感知价值矩阵.进一步,先利用离差最大化思想和概率犹豫模糊元新兰氏距离构建优化模型求解准则权重,再利用线性加权法构建双边主体的综合感知价值矩阵,利用极差变换法构建双边主体的满意度矩阵.在此基础上,基于满意度最大化,构建考虑双边匹配方案稳定性的多目标优化模型,并通过求解模型得到双边匹配结果.最后,通过算例分析表明了所提出匹配决策方法的有效性和实用性. 相似文献
156.
157.
为降低光在多晶Si表面的反射,一种以湿法腐蚀为基础,添加超声波震荡的新方法,首次被用来腐蚀多晶Si太阳能电池片.利用扫描电子显微镜观察发现,此法所制备的多晶Si片表面形成了较多窄而深的沟壑状结构.其反射谱测试结果表明,此方法所获得的凹凸表面的减反射效果良好,加权反射率达到3.5%;同时减反射效果对入射光波长选择性不明显.最后,在实验的基础上对腐蚀机理进行了深入的探讨,认为超声波的空泡特性有利于腐蚀的纵向深入,抑制了腐蚀的横向发展,是形成此沟壑状形貌的主要原因. 相似文献
158.
159.
研究退火消除直拉单晶硅中热施主的效果以及在后续热过程中热施主的再形成规律。实验结果显示,采用650℃保温40min的退火可有效消除直拉单晶硅锭肩下部形成的热施主,并使其少子寿命恢复到实际值。消除了热施主的硅锭肩下部硅片在后续的900℃/40min加热后以小于11℃/min的速率冷却,硅片的热施主会再次生成,热施主的再生成量随冷却速率增加而减少,当冷却速率达100℃/min时可避免热施主的再次生成。实验结果还显示,采用3℃/min速率慢冷至550℃再以100℃/min的速率快冷至室温的两步冷却也可避免该硅片热施主的再次生成。实验还发现,消除了热施主的硅锭肩下部硅片经900℃/40min加热后的少子寿命随冷却速率的增加而降低;经上述两步冷却与3℃/min速率一步慢冷得到的少子寿命基本相等。 相似文献
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1INTRODUCTION Al Fe V Sisystemalloyshavethebestcombi nationsmechanicalpropertiesatroomtemperatureandelevated temperature,whichmakethisalloyquitesuitableforapplicationsattemperaturesupto350℃.Generallyheat resistantFVS1212alloyandFVS0812alloyarepreparedbyplanar foundingandpowdermetallurgy,whicharewidelyappliedtothepartsofaerospacewithlightweightandhighstrengthatelevated temperature,whoseroom temperatureandelevated temperaturemechanicpropertiesareshowninTable1.Thedatashowthatthestrengtho… 相似文献