FeTiO3-Al-C系统的反应热力学及Al2O3-TiC/Fe 复合材料的制备

充分利用天然矿物钛铁矿（FeTiO3）中的铁和钛,采用反应烧结技术,成功制备了Al2O3-TiC/Fe陶瓷复合材料.在真空热压炉中实现了合成与烧结一体化,为陶瓷复合材料的低成本制备进行了有益的探索研究.对钛铁矿-Al-C系统的热力学过程进行了详细的理论分析.研究表明：系统主要发生铝热还原反应,中间产物为多种钛的氧化物,系统反应后热力学上最为稳定的物质为Al2O3,TiC和Fe;系统反应最高温度低于Al2O3的熔化温度.通过实验研究,分析了产物的物相、结构和性能.反应烧结的最终产物主要为TiC,Al2O3和Fe.此外,还有少量Fe-Al相,大部分为Al2O3.TiC晶体颗粒尺寸约为3～5 μm,分布较为均匀,Fe分布于Al2O3,TiC晶粒之间.Y2O3和Cr2O3添加剂可以提高复合材料的抗弯强度.     

喷射沉积耐热铝合金管材挤压过程的数值模拟

采用DEFORM有限元软件研究了非致密大规格喷射沉积耐热铝合金管材挤压制备的外径为417 mm、内径为340mm管材的变形过程,并模拟了挤压过程中应力场、应变场、致密度以及挤压力的变化情况.模拟结果表明:挤压初期为压实阶段,挤压力增加缓慢;随着挤压过程的不断进行,从挤压尾部到挤压头部,管坯的致密度呈阶梯式增加,等效应变、应力和应变速率的变化规律与致密度相类似;在挤压变形区应变、应力和应变速率变化剧烈;挤压后的管材为致密材料,最大挤压力为6.45×104 kN,与实际挤压过程中挤压力和致密度相比较,计算机模拟结果与实验结果基本相符.     

Formation of Epitaxial Heavy-doped Silicon Films by PECVD Method

Plasma-enhanced CVD(PECVD) epitaxy at 200℃ was used to deposit heavy doped n-type silicon films. Post-annealing by rapid thermal processing was applied to improve the properties of the epitaxial layer. By analyzing the Raman spectra and the imaginary part of the dielectric constant spectra of the samples, it was found that high-quality heavy-doped epitaxial n-type silicon layer can be obtained by optimizing the parameters of the PECVD depositing process. Reducing the electrodes distance of the PECVD had a great effect on the crystallzation of the epitaxialed n-type silicon films. Sillicon films with high-crystallization were obtained with the electrodes distance of 18 mm. Post-annealing process can improve the crystallization and reduce the resistance of the epitaxial films. In our research, it was found that the sheet resistance(R_□) of the post-annealed films with thickness of about 50 nm has a simple relationship with RPH3/SiH_4(ratio of the flow rate of PH_3 and SiH_4) of the PECVD processing: R_□=-184-125 lg(R_(PH3/SiH4)). In the end, high-quality epitaxial n-type silicon film was obtained with R_□ of 15 Ω/□ and thickness of ~50 nm.     

回弹法测定混凝土强度能力验证研究

介绍了北京市67个检测机构回弹法测定混凝土强度能力验证的测试情况。能力验证过程中,对检测机构的检测结果采用稳健(Robust)统计技术处理,减少了极端结果对平均值和标准偏差的影响。同时对统计分析的设计过程、能力验证统计结果及各机构的检测能力进行了分析。     

第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会优秀论文选登(十) PECVD法非晶硅薄膜对太阳能级n型直拉单晶硅片钝化效果的研究

研究了优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i-a-Si:H薄膜工艺,得到较好的钝化效果。分析了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积和硅片钝化效果的影响。通过优化参数,钝化后在太阳能级n型Cz硅片(40×40mm)平均少子寿命值在800μs以上,局部在1500μs以上,得到了钝化后平均表面复合速率S<9.4cm/s的优良钝化效果;若硅片τbulk为2ms,则S<5.6cm/s。     

硅片线锯砂浆中硅粉与碳化硅粉的泡沫浮选分离回收

以对碳化硅表面有选择性的脂肪酸作为捕收剂,采用泡沫浮选分离方法来分离回收硅片线锯砂浆中的和碳化硅粉。研究了捕收剂浓度、起泡剂浓度、浮选溶液的温度及pH值对分离效果的影响。当浮选溶液中捕收浓度为0.315mol/L,起泡剂浓度为0.18mol/L,温度为70℃,pH值为4.5时,分离效果最佳:浮起产物中碳化粉质量分数为99.3%,沉淀产物中硅粉质量分数为95.9%。     

热处理和冷却速率对直拉单晶硅少子寿命的影响

研究了加热温度与冷却速率对热处理直拉单晶硅少子寿命和间隙铁含量的影响。结果表明,直拉单晶硅在300～1050℃加热40 min,以50℃/s的速率快冷至室温会提高硅片的间隙铁含量,降低硅片的少子寿命;加热温度越高,快冷后硅片的间隙铁含量越高,少子寿命越低;直拉单晶硅片在900～1050℃加热,当以50℃/s的速率快冷至室温,90%以上的铁以沉淀形式存在,其余的铁以间隙态存在。直拉单晶硅片分别经800、900和1000℃加热40 min后在0.017～50℃/s的速率范围冷却,硅片间隙铁含量随冷却速率增加而增加,少子寿命随冷却速率增加而降低,加热温度越高,间隙铁含量上升的幅度越大,而少子寿命下降的幅度越大。     

纳米钨-铜复合材料制备工艺的研究

研究了几种制备纳米钨-铜复合材料的工艺,介绍了它们的工艺流程,详细讨论了每种工艺的优缺点,旨在为改进工艺、开拓应用提供一些思路.     

氨水浓度对38CrMoAl钢液相等离子体电解渗氮层显微组织及性能的影响

在不同氨水浓度的电解液中，采用液相等离子体渗透技术在38CrMoAl钢表面制备了渗氮层。采用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)等对渗氮层的显微组织、相组成进行了观察和分析，并采用Parstat2273电化学工作站测试了渗氮层的耐蚀性能，并对其显微硬度和耐磨性进行了测试，研究了氨水浓度对38CrMoAl钢液相等离子体渗氮显微组织与性能的影响。结果表明：随着氨水浓度的增大，渗氮层中的白亮层厚度呈增加趋势，分布着针状的氮化物和细小碳化物的扩散层厚度和渗氮层最大显微硬度值呈先增加后降低的趋势；当氨水浓度为60%时，渗氮层厚度达160μm,其中扩散层为112μm,渗氮层硬度最高为1023 HV0.1,约是基体硬度的3.5倍；渗氮层主要以Fe₂N、Fe₃N相等为主；渗氮层的耐磨性能和耐腐蚀优于基体。     

全球价值链下中国纺织服装业的升级模式研究

基于全球价值链对中国目前纺织服装业的OEM模式的弊端出发,分析了中国纺织服装业升级的4种模式:OEM-ODM-OBM转型模式、反向OEM模式、虚拟化模式和柯桥模式;说明了各种模式的核心问题只有一个,即通过从全球产业价值链的中游向上游和下游转移,掌握价值链的核心环节,从微笑曲线的底端不断向两端附加价值高的环节攀升,以创造和经营自主品牌为目标,提高产业在国际市场的地位.