常温下镍-铁合金电沉积的研究

镍-铁合金镀层替代纯镍镀层可节约大量的镍材,且在工艺上还有其他一些优点,因此,自从镍-铁合金电镀研究成功后便引起了广泛的兴趣.然而,实践表明,镀液中的Fe~(2+)容易被阳极氧化或者被镀液中溶解氧氧化为离子很三价态,而Fe~(2+)在pH=2.5附近很快形成Fe(OH)_3,导致镀液和镀层恶化,因此,工艺配方上采取了许多解决办法,目前大多     

井管反正接头止水盘

我队在盐湖勘探中，为了解地下水对盐湖的补给量，设计了多组湖边抽水孔并留作长期观测。一般水样取自50米以上的含水层，水位在10～20米，水量0.3～0.8升/秒，为解决抽水下沉没管，自制了反正接头止水盘，完成抽水取样试验后，反回反正接头，取出沉没管，成功率达71％，可为国家节省大量管材，同时也加快了勘探速度，取得较好的效果，现将使用情况分述如下。     

布上化学镀镍研究

本文采用带入化学镀镍液的PdCl_2容许量作为衡量镀液稳定性的标准和用于筛选最佳镀液组成和工艺条件。实验表明,用于布上化学镀镍液的稳定性不仅依赖于带入钯的量,而且更主要是依赖于镀液对钯的容许量,而镀液中含有氯化铵和稳定剂都能增加钯的容许量。此外,如在进入镀液之前,镀件先经催速处理,就可使镀液的稳定性提高10倍。最后,布上化学镀镍层的质量取决于沉积反应的诱发速度,而不是沉积速度。在不影响镀液稳定性的前提下,提高工作温度和采用催速处理都能提高诱发速度。     

镍钨合金电沉积伏安特性和初期行为的研究

镍钨合金镀层由于其高的硬度、耐磨及耐蚀性而被作为代铬镀层用于金属表面处理。为进一步探讨镍钨合金的电沉积机理,采用循环环伏安法和电位阶跃法研究了玻碳电极上镍钨电沉积的循环伏安特性和初期行为。电沉积过程中,钨酸根被还原成中间价态的氧化物。     

带电缆防烧装置高能气体压裂串

高能气体压裂普遍存在着严重烧蚀电缆的问题;电缆上窜会造成电缆打结、掉弹、卡弹等事故的发生。介绍的带电缆防烧装置的高能气体压裂串由电缆接头、防烧装置、点火结构、夹层结构和压裂弹构成。压裂串采用防烧杆组件,很好地解决了压裂弹燃烧时产生的高温、高压气体对电缆的严重烧蚀问题;电雷管或者电点火头的导线采用圆形芯棒的端面与弹簧压紧连接,保证了连接的安全可靠;在夹层段采用芯管传火结构,克服了多层多次下井压裂的缺点;避免井下落物发生,减少输送电缆损耗;压裂弹利用点燃主装药的高温燃气通过联通结构,维持峰值压力的持续时间,实现了二次增效。点火结构可靠、安全,点火成功率可达100%。带电缆防烧装置高能气体压裂串先后在呼和诺仁油田、苏德尔特油田、贝16断块等3个区块油田完成了共计12口井45井次的现场试验,取得了良好的效果。     

铝及其合金阳极氧化液中CI~-离子浓度的快速测定

根据Cl~-离子在铂电极上的电化学氧化特性,用DZ-1B型电镀添加剂测定仪测定铝及其合金阳极氧化液中Cl~-离子的浓度。方法操作简便、快速,适用于表面处理车间的电解液分析。     

镀镍液中Cu~(2+)浓度的快速测定

根据镀镍液中Cu~(2+)在铂电极上电化学还原特性,提出Cu~(2+)浓度的快速测定方法。实验结果表明,镀镍液中添加剂和Fe~(3+)不干扰Cu~(2+)的浓度测定。本方法能适用于电镀生产的现场监控。     

单颜色铬沉积层的表面结构分析

利用扫描电子显微镜(SEM)、X 光电子能谱(XPS)及 X 射线衍射等表面技术对金黄色、浅黄色、深蓝色、古铜色和彩虹色的铬电沉积层的表面形态及其组成进行初步分析,得到:这几种铬电沉积层表面都复盖有无定形物质所组成的薄膜,铬是以不同价态的化合物存在于膜层中。膜的颜色取决于镀液组成和实验条件,同时也与膜的成份、厚度以及膜层中颗粒大小对自然光的反射有关。     

常温下镍-铁合金电沉积的研究

镍-铁合金镀层替代纯镍镀层可节约大量的镍材,且在工艺上还有其他一些优点,因此,自从镍-铁合金电镀研究成功后便引起了广泛的兴趣。然而,实践表明,镀液中的Fe~(2+)容易被阳极氧化或者被镀液中溶解氧氧化为离子很三价态,而Fe~(2+)在pH=2.5附近很快形成Fe(OH)_3,导致镀液和镀层恶化,因此,工艺配方上采取了许多解决办法,目前大多数采用的主要措施是往镀液中加入稳定剂或络合剂,以此降低自由Fe~(3+)的含量。但是实际上许多镀液使用的稳定剂或络合剂作用不     

电沉积法制备Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体膜电极

一、引言太阳光辐射到地面上的能量相当大(一年约6×10~(17)千瓦小时),是一种取之不尽、无公害的能源,因此世界各国对太阳能利用的研究特别重视。制备单晶半导体材料成本高、设备复杂,因此在一定程度上限制了太阳能电池的推广应用。为了降低大阳能电池的成本,许多研究者正致力于太阳电池结构的研究和寻找新型的半导体材料及廉价的制备方法。光电化学电池(PEC电池)对半导体晶体结构完美的要求远不如固体太