激光目标反射特性测量技术研究

目标表面对激光的反射特性直接影响探测器对攻击目标的感知.通过对激光目标反射特性的测量技术的深入研究分析,提出了2种简便、实用、可靠性高的目标反射特性测试方法,并据此对多种地面目标和空中目标进行了实际测试,最后验证了测试结果的可靠性.     

三菱电机投资2000亿日元于φ300mm生产线

日本三菱电机公司在高知工厂内新建30 0ｍｍ晶片 ,适用于 0 15 - 0 .13μｍ规格的半导体制作生产线 ,约投资 2 0 0 0亿日元 ,计划从 2 0 0 3年开始批量生产闪速ＥＥＰＲＯＭ和ＤＲＡＭ和数字家电的系统ＬＳＩ等。生产规模 (30 0ｍｍ晶片 )月产为 2 5 - 3万枚。 2 0 0 1年下半年约投资 10 0亿日元 ,松下电子工业也参加投资。三菱电机投资2000亿日元于φ300mm生产线@一凡     

一种配电架空线负荷温度监测传感器

本文描述了一种配电架空线负荷温度监测传感器设计方案。提出的设计方案具有：一次高压与二次仪表通过使用无线通信安全隔离、负荷监测互感器变比自切换模式、使用在线感应取电技术与太阳能供电技术完全取代蓄电池等,并对架空线判断超温报警方式进行了一定的分析。     

新元器件快讯(九)——发光二极管

发光二极管主要用作工作状态指示及用LED组成的数码管作符号及数字显示。LED有各种发光颜色,它可以做成装饰灯、电子广告牌、交通信号灯、汽车刹车灯等。自白色(光)LED被开发出来后,它已成为小屏幕彩色LCD背光照明的最佳选择,并开发出用LED做的手电筒、应急灯及照明灯等产品。随着半导体工艺技术的发展,制造LED的技术有较大的进展。先后开发出蓝色及白色LED,并且在发光强度及功率上有较大的发展。早期的小功率LED,在IF=20mA电流时,其发光强度为几mcd(mcd为毫坎德拉)到几十mcd;后来开发出高亮度的LED,它的发光强度为几百mcd,目前…     

无因次水侵量计算新方法

天然水驱油气藏的开发过程中, 无论储量计算还是动态预测, 都离不开无因次水侵量的计算。通常无因次水侵量的计算采用查表的方法, 既不实用, 精度又低。基于数理统计的原理, 评价了目前广泛应用的计算径向水驱无限大及有限系统天然水域van Everdingen-Hurst 无因次水侵量的经验公式方法, 进而提出了计算有限封闭天然水域无因次水侵量的新方法。     

直写打印硝化棉基内嵌多方孔发射药及其性能

针对传统工艺无法制备复杂结构发射药的问题,为探索提高发射药燃面渐增性新途径,采用3D直写打印技术,设计并打印了具有较高燃面渐增性的硝化棉基内嵌多方孔发射药。对3D打印的硝化棉基内嵌多方孔发射药进行了定容燃烧和内弹道性能表征。结果表明,以硝化棉、含能增塑剂和溶剂配制的浆料为打印物料,打印的硝化棉基内嵌多方孔发射药符合设计的燃面渐增性燃烧预期;受打印针头直径、溶棉比、醇酮比、溶剂挥发速度等因素的影响,直写打印的发射药设计尺寸和实际尺寸有一定偏差;12.7 mm机枪弹道初步试验表明,内嵌多方孔NC-120发射药和制式D-4/7混合装药16 g,装药比例1∶1时,膛压为314.2 MPa,射击初速为854.1 m·s^-1,实现了直写打印内嵌多方孔发射药在膛内正常、稳定燃烧,达到了与制式发射药相似的水平,但充分利用直写打印内嵌多方孔发射药需要进一步优化设计药形、弧厚、内外层弧厚匹配等参数。     

机会信号的组合导航定位在电视移动直播中的应用

本文提出了一种机会信号组合导航的框架来辅助电视直播中的移动定位.其在全球导航卫星系统使用范围外,利用机会信号辅助惯性导航,构建了一个信号融合的模型来提升在复杂环境下定位的精准度.     

基于ESO-UKF的动力电池内部温度在线估计

准确的内部温度估计对动力电池的安全使用至关重要,为了在线获取准确的电池内部温度,本文提出一种基于温度估计模型的ESO-UKF电池内部温度估计方法。其中温度估计模型由Bernardi生热模型与热路传热模型组成,生热模型中端电压由神经网络获取,传热模型参数由递推最小二乘法辨识得到;该算法利用温度估计模型的离散状态空间描述,提出ESO-UKF进行电池内部温度的在线估计,将影响估计精度的传感器偏差视为扩展状态与原状态一起估计,实现了对不确定状态的估计;测试验证表明该算法的估计误差小于1℃,能够实现多工况下内部温度的在线估计,估计精度高、适应性强。     

An ll-bit 22-MS/s 0.6 mW SAR ADC with parasitic capacitance compensation

Abstract： This paper presents an l 1-bit 22-MS/s 0.6-mW successive approximation register （SAR） analog-to- digital converter （ADC） using SMIC 65-nm low leakage （LL） CMOS technology with a 1.2 V supply voltage. To reduce the total capacitance and core area the split capacitor architecture is adopted. But in high resolution ADCs the parasitic capacitance in the LSB-side would decrease the linearity of the ADC and it is hard to calibrate. This paper proposes a parasitic capacitance compensation technique to cancel the effect with no calibration circuits. Moreover, dynamic circuits are used to minimize the switching power of the digital logic and also can reduce the latency time. The prototype chip realized an 11-bit SAR ADC fabricated in SMIC 65-nm CMOS technology with a core area of 300 × 200 μm2. It shows a sampling rate of 22 MS/s and low power dissipation of 0.6 mW at a 1.2 V supply voltage. At low input frequency the signal-to-noise-and-distortion ratio （SNDR） is 59.3 dB and the spurious-free dynamic range is 72.2 dB. The peak figure-of-merit is 36.4 fJ/conversion-step.