阳极氧化铝的原子层淀积封孔研究

制备了多孔阳极氧化铝,利用原子层淀积技术对其封孔,借助场发射扫描电镜(SEM)分析了样品的表面及剖面形貌,对样品进行染色处理,利用酸性点滴试验测试样品抗腐蚀性能。结果表明:阳极氧化处理形成大孔径约为16 nm的多孔膜,多孔膜在循环50次的原子层淀积下能实现表面封孔而内部有空结构;经封孔后的样品抗染色及抗腐蚀能力增强。     

功率VDMOS晶体管的抗总剂量辐照研究

对2种不同结构的功率VDMOS晶体管进行了总剂量辐照的试验研究,条形栅结构比元胞型结构具有抗总剂量辐照的结构优势,中国科学院微电子研究所利用条形栅结构制作出高抗总剂量辐照能力的功率VDMOS晶体管,抗总剂量能力可达1 400 krad(Si)以上.     

焊接变形的高精度测量方法及预测方法研究

基于有限元分析的固有变形逆解析方法是一种获取焊接接头固有变形的新方法。但是,采用该方法计算固有变形时,必须已知焊接前后焊接接头上少数点的三维坐标值。为了提高固有变形逆解析结果的精度,提出利用接触式三维坐标测量仪准确地获得焊件中面上三维坐标的新算法。该算法是通过在被焊件上加工小孔,在每一个小孔附近测量八个点的三维坐标,利用测量得到的坐标值确定小孔的中心位置。以2 mm和3 mm薄板表面堆焊焊接接头为例,以计算得到的小孔中心三维坐标为已知参数,基于逆解析方法求得了各成分固有变形,并采用固有应变法预测了2 mm和3 mm薄板焊接变形。通过比较分析发现,尽管焊件板厚只相差1 mm,但焊接变形的特征和变形量却有显著的差别,采用该测量方法及算法能获得焊接接头中面上较精确的三维坐标,基于逆解析方法获得的固有变形各成分有效准确。     

集束型多层纳米薄膜沉积设备的研制

运用模块化的设计构想,将等离子体增强原子层沉积工艺单元、热型原子层沉积工艺单元,直流磁控溅射单元和射频磁控溅射工艺单元进行高度优化集成,研制了集束型多层纳米薄膜沉积设备。设备创新采用真空旋转传输平台,替代了传统集成设备的机械手结构,实现了样品在高真空(5×10^-5 Pa)中传输,而且传输速度快(2~3 s),有效地减少污染,保证样品表面物性的稳定。设备可在全真空的环境下,实现多层纳米薄膜的制备,同时可以对薄膜生长实现原子层精度的控制。设备的磁控溅射工艺平台可以安装金属掩膜板,直接制备图形薄膜。另外设备具有非常灵活的扩展性,针对薄膜工艺需求的不同,可以集成其他的薄膜制备工艺单元。     

多晶黑硅的制备及其组织性能

利用等离子体浸没离子注入技术在多晶硅基底上制备了黑硅材料,利用扫描电镜、分光光度计和微波光电导衰减测试仪对黑硅的组织结构、光吸收率和少数载流子寿命进行了测试分析,发现黑硅呈现多孔组织,在可见光波段的平均吸收率大于94%,其平均少数载流子寿命为5.68μs.研究了注入工艺参数对黑硅的影响,发现工作气体SF₆和O₂流量比对黑硅的组织性能影响最大,当其为2.80时制备的黑硅组织性能最好.     

某机载行波管一体式管壳加工工艺研究

针对南京三乐集团有限公司某机载行波管一体式铜管壳的结构特点,为满足一体式铜管壳气密性良好、管壳壁厚均匀分布、外径与内孔同轴度以及直线度等形位公差的使用需求,通过开展旋压工艺在一体式铜管壳加工中的工艺研究,从材料热处理、拉伸以及旋压等工序研究对成品一体式铜管壳质量的影响,并在加工过程中根据一体式铜管壳的变形量做相应的工艺...     

以注氮SiO_2作为铜互连技术中的新型阻挡层

采用给 PECVD Si O2 中注入氮的方法 ,形成一薄层氮氧化硅 ,以此作为一种新型的扩散阻挡层 .不同热偏压条件下的 C- V测试结果和 XPS分析结果表明 ,该方法能起到对铜扩散的有效阻挡作用     

多车程多时间窗车辆路径问题研究

针对末端物流中配送车辆多趟次运输、客户对配送服务时间的多样化需求,研究多车程多时间窗车辆路径问题。构造该问题的最小化车辆数量和总运输成本的双目标混合整数规划模型,设计改进的自适应大邻域搜索算法对其求解;构建了基于路径、车程及客户点3个层级上的多种高效的破坏算子和修复算子来扩大解的搜索空间;使用自适应策略选择高效的搜索算子,以及引入模拟退火新解接受准则避免陷入局部最优解来提高搜索效率。通过多种规模算例实验结果分析,验证了改进的自适应大邻域搜索算法的优越性,并分析了考虑多车程的模型对总运输成本的影响。     

周全训练

冬天是个容易让身体囤积脂肪的季节,特别是今年这样的寒冬。因此要想在日后不为身上的层层赘肉烦恼,去健身房坚持锻炼就显得尤为重要了。除了事先请教健身教练制订合理的训练计划外,     

InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors with different μ-bridge structures

Several μ-bridge structures for InP-based heterojunction bipolar transistors （HBTs） are reported. The radio frequency measurement results of these InP HBTs are compared with each other. The comparison shows that μ-bridge structures reduce the parasites and double p-bridge structures have a better effect. Due to the utilization of the double/~-bridges, both the cutoff frequency fτ and also the maximum oscillation frequency fτ of the 2 × 12.5 μm2 InP/InGaAs HBT reach nearly 160 GHz. The results also show that the μ-bridge has a better effect in increasing the high frequency performance of a narrow emitter InP HBT.