基于SOPC的宽幅喷墨打印机控制系统

针对宽幅喷墨打印机大量图像数据的传输和处理、系统运动控制器的复杂算法实现及产品后续的升级开发等问题,采用Nios II嵌入式软核处理器为核心,通过添加外围相应的存储、通信及控制模块,设计基于可编程片上系统的宽幅喷墨打印机控制系统。实验结果表明,该系统集成度高、对大量图像数据的传输和处理速度快、工作可靠性好。     

焊接变形的高精度测量方法及预测方法研究

基于有限元分析的固有变形逆解析方法是一种获取焊接接头固有变形的新方法。但是,采用该方法计算固有变形时,必须已知焊接前后焊接接头上少数点的三维坐标值。为了提高固有变形逆解析结果的精度,提出利用接触式三维坐标测量仪准确地获得焊件中面上三维坐标的新算法。该算法是通过在被焊件上加工小孔,在每一个小孔附近测量八个点的三维坐标,利用测量得到的坐标值确定小孔的中心位置。以2 mm和3 mm薄板表面堆焊焊接接头为例,以计算得到的小孔中心三维坐标为已知参数,基于逆解析方法求得了各成分固有变形,并采用固有应变法预测了2 mm和3 mm薄板焊接变形。通过比较分析发现,尽管焊件板厚只相差1 mm,但焊接变形的特征和变形量却有显著的差别,采用该测量方法及算法能获得焊接接头中面上较精确的三维坐标,基于逆解析方法获得的固有变形各成分有效准确。     

一种基于改进的GVF-Snake模型的车辆跟踪算法

提出一种基于改进的GVF-Snake模型(基于梯度矢量流的活动轮廓模型)的车辆跟踪算法.该算法利用帧差法自动获取车辆的初始轮廓,通过改进的GVF-Snake模型,从车辆视频流中准确提取出车辆的轮廓.为提高计算速度,改进的GVF-Snake模型采用贪心算法逐点迭代,并根据控制点的距离,自适应地增删控制点,以适应车辆目标大小变化.在此基础上,应用预测算法对车辆进行快速准确的跟踪.实验结果验证该算法的有效性.     

ULSI铜互连线技术中的电镀工艺

通过对电镀液中加入适当的整平剂和采用三步电流法 ,成功地将工业镀铜技术应用于 UL SI铜互连线技术中 ,实现了对高宽比为 1μm∶ 0 .6 μm的刻孔的无空洞、无裂缝填充 .方阻测试表明 ,所镀铜膜的电阻率为2 .0 μΩ· cm,X射线衍射分析结果显示出的 Cu(111)的致密结构非常有利于互连线技术中高抗电迁移性要求     

InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors with different μ-bridge structures

Several μ-bridge structures for InP-based heterojunction bipolar transistors （HBTs） are reported. The radio frequency measurement results of these InP HBTs are compared with each other. The comparison shows that μ-bridge structures reduce the parasites and double p-bridge structures have a better effect. Due to the utilization of the double/~-bridges, both the cutoff frequency fτ and also the maximum oscillation frequency fτ of the 2 × 12.5 μm2 InP/InGaAs HBT reach nearly 160 GHz. The results also show that the μ-bridge has a better effect in increasing the high frequency performance of a narrow emitter InP HBT.     

功率MOSFET器件SEGR敏感区域的模拟研究

单粒子栅极穿通（SEGR）是功率MOSFET器件在空间应用时非常重要的失效模式。功率MOSFET的元胞区被普遍认为是对SEGR最敏感的区域。然而试验结果表明SEGR可能会发生在栅极的走线区域,而不是元胞区域。本文通过仿真软件对功率MOSFET内部的三种结构进行模拟评估,发现如果满足某些条件,元胞区域以外的区域可能成为SEGR的敏感区域。最后,对于不同区域本为给出了抑制SEGR的建议。     

偏栅Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT的二维模拟与特性分析

采用泊松方程-薛定谔方程-流体力学方程组自洽求解的方法,对偏栅AlGaN/GaN HEMT器件的电学特性进行了二维模拟。通过与传统正栅器件的模拟结果对比分析,可以看出,偏栅结构除了可以提高器件的击穿电压外,还可以提高直流输出电流和跨导,对输出特性和转移特性均有一定的提高。     

以注氮SiO_2作为铜互连技术中的新型阻挡层

采用给 PECVD Si O2 中注入氮的方法 ,形成一薄层氮氧化硅 ,以此作为一种新型的扩散阻挡层 .不同热偏压条件下的 C- V测试结果和 XPS分析结果表明 ,该方法能起到对铜扩散的有效阻挡作用     

1OOV高压pMOS器件研制

研制出适用于100V高压集成电路的厚栅氧高压pMOS器件.在器件设计过程中利用TCAD软件对器件结构及性能进行了模拟和优化,开发出与0.8μm n阱标准CMOS工艺兼容的高压工艺流程,并试制成功.实验结果表明,该器件关态击穿电压为-158V,栅压-100V时饱和驱动电流达17mA(W/L=100μm/2μm),可以在100V高压下安全工作.     

多车程多时间窗车辆路径问题研究

针对末端物流中配送车辆多趟次运输、客户对配送服务时间的多样化需求,研究多车程多时间窗车辆路径问题。构造该问题的最小化车辆数量和总运输成本的双目标混合整数规划模型,设计改进的自适应大邻域搜索算法对其求解;构建了基于路径、车程及客户点3个层级上的多种高效的破坏算子和修复算子来扩大解的搜索空间;使用自适应策略选择高效的搜索算子,以及引入模拟退火新解接受准则避免陷入局部最优解来提高搜索效率。通过多种规模算例实验结果分析,验证了改进的自适应大邻域搜索算法的优越性,并分析了考虑多车程的模型对总运输成本的影响。