高频硅PNP晶体管3CG120高温失效机理研究

为了保证在高温条件下,正确使用高频硅PNP晶体管3CG120,文中对3CG120在不同温度段的失效机理进行了研究。通过对硅PNP型晶体管3CG120进行170～340℃温度范围内序进应力加速寿命试验,发现在170～240℃,240～290℃,以及290～340℃分别具有不同的失效机理,并通过分析得到了保证加速寿命试验中与室温相同的失效机理温度应力范围。     

一套性能优异的Hi-Fi级家庭影院器材

<正> 当前,家庭影院已成为全世界家庭电子消费新潮流。“发烧”已从一种看不见的、抽象的听觉欣赏上升为一种直观的、具体的声像合一的视听享受。家庭影院以其优质的大屏幕画面和身临其境的杜比四声道环绕立体声音效征服了发烧友。 目前各种家庭影院器材琳琅满目,但按其用途大致归纳为纯AV和Hi-Fi两类“发烧”玩法。纯AV类玩法多采用3D系统,玩AV尚可,听Hi-Fi却实在不敢恭维。Hi-Fi型玩法的特点是器材搭配灵活,能充分兼顾Hi-Fi与AV,而且升级容易,是目前众多发烧友普遍采用的一种玩法。笔者对市场上多种器材进行分析试听比较后,精心搭配了一套家庭影院系统。经多位资深发烧友试听,一致认为这是一套性价比极高适合于工薪族发烧友的家庭影院器材。值得一提的是,尽管时下国内市场上家庭影院器材基本上是洋货的一统天下,但笔者仍在系统中选用了二款国产器材,这二种国产器材的性价比绝不逊于洋货。     

GIS高压组合电器在智能化变电站建设中的应用

我国智能化变电站建设已经逐步进入了一个快速发展阶段,GIS高压组合电器以其高可靠性、技术性能优良、节约土地,降低造价等优点,再结合现有智能化设备的优点,必将在智能化变电站建设中发挥重要的作用。     

ALD中射频阻抗匹配器的设计与研究

阐述原子层沉积系统（ALD）中射频阻抗匹配器的设计方案。利用ADS软件对阻抗匹配网络进行仿真,通过分析ALD真空腔室内等离子体产生前后的负载阻抗变化,结合仿真结果,提出等离子体产生过程中阻抗匹配网络的控制方法。经实验验证,该阻抗匹配器和控制方法可实现阻抗匹配。     

原子层沉积技术研究及其应用进展

原子层沉积(ALD)技术是制备复杂纳米结构材料以及材料表面改性的关键技术,该技术已得到了国内外学术界的大量研究。简单介绍了ALD技术、沉积过程、该技术的优点以及该技术可以沉积的薄膜材料,重点论述了ALD技术的应用进展,主要包括半导体方面(如IC互连技术、电容器、太阳电池晶体硅表面钝化)以及纳米结构材料方面(如催化剂与燃料电池、光催化、太阳电池、分离膜)。最后,指出了目前ALD在材料制备和生产工艺方面所面临的挑战,并对其未来发展进行了展望。     

Microwave annealing effects on ZnO films deposited by atomic layer deposition

Zinc oxide thin films deposited on glass substrate at 150°C by atomic layer deposition were annealed by the microwave method at temperatures below 500 °C.The microwave annealing effects on the structural and luminescent properties of Zn O films have been investigated by X-ray diffraction and photoluminescence.The results show that the MWA process can increase the crystal quality of Zn O thin films with a lower annealing temperature than RTA and relatively decrease the green luminescence of Zn O films.The observed changes have demonstrated that MWA is a viable technique for improving the crystalline quality of Zn O thin film on glass.     

等离子体浸没离子注入技术在FinFET掺杂中的应用

基于传统的束线离子注入在对FinFET器件进行保形注入时面临的巨大挑战,介绍一种新的适用于FinFET器件的掺杂技术,即等离子体浸没离子注入技术。总结了与束线离子注入技术相比,等离子体浸没离子注入技术在对FinFET进行掺杂时的优点。利用自行设计并搭建的等离子体浸没超低能离子注入机分别对平面单晶硅和鳍状结构进行离子注入,并对鳍状结构进行快速退火。利用二次离子质谱(SIMS)测量了平面单晶硅的注入结深,通过透射电子显微镜(TEM)测试了退火前后鳍状结构的晶格损伤及修复状况,结果显示,利用等离子体浸没离子注入技术可以对鳍状结构进行有效的掺杂,而且对注入后的样片进行快速退火后,晶格损伤得到良好的修复。     

光学瞄具宽光谱透射率检测及误差影响因素分析

透射率参数是评价光学瞄具成像亮度和清晰程度的重要参数,介绍了一种高精度的光学瞄具宽光谱透射率的检测系统。针对检测过程中影响检测精度的因素包括偏振的敏感性、光束偏移、系统的杂散光、探测器的非线性和空间均匀性,结合验证实验和光学模拟软件(tracepro)给出定量的分析以及仪器的合成不确定度。对于探测器非线性误差利用最小二乘法原理予以修正。标定实验表明,可见光波段的透射率测量误差小于0.35%,近红外波段透射率测量误差小于0.65%。