AVS视频和音频编码标准的应用

AVS标准是《信息技术：先进音视频编码》系列标准的简称，AVS标准包括系统、视频、音频、数字版权管理等四个主要技术标准和一致性测试等支撑标准，是我国具备自主知识产权的第二代信源编码标准。本文简要探讨AVS标准概况，下期刊登《AVS—S音视频监控标准介绍与展望》，期望读者继续关注。     

1OOV高压pMOS器件研制

研制出适用于100V高压集成电路的厚栅氧高压pMOS器件.在器件设计过程中利用TCAD软件对器件结构及性能进行了模拟和优化,开发出与0.8μm n阱标准CMOS工艺兼容的高压工艺流程,并试制成功.实验结果表明,该器件关态击穿电压为-158V,栅压-100V时饱和驱动电流达17mA(W/L=100μm/2μm),可以在100V高压下安全工作.     

一款新型杜比定向逻辑解码器

进入九十年代,发烧友已不满足单纯玩Hi—Fi,更多的人开始组建具有最新视听感受的家庭影院,在家中欣赏杜比四声道立体声影片那令人震撼的全方位音响效果。组建一套家庭影院音响只需在原Hi—Fi器材基础上增加一台杜比定向逻辑解码器和相应的中置、环绕音箱即可。目前进口解码器价格昂贵,国产品多为低档模拟环绕声产品,不具备杜比解码功能。怎样选择一台质优价廉的解码器是大家关心的问题,在此向大家介绍一款国内最新推出的CYMET(绅士)E1080杜     

一套4000元价位的家庭影院音响器材

<正> 家庭影院必须包括如下设备:(1)影源,家庭中一般以影碟机和录像机为主。(2)显示器,家庭中多采用大屏幕彩电。(3)四声道立体声还音设备。这在家庭中有两种方案:一种是采用解码器加四个独立功放的形式,这种配置价格较高,另一种采用带有解码器的多声道功放,通常称为AV功放,这种产品价格相对低一些。(4)扬声器放声系统,含有主音箱和环绕音箱各一对,中置音箱一只等。 家庭影院不仅用来在家中看一些电影片子,更重要的是要达到和在电影院中看电影一样的感觉,这种感觉包括图像和声音两个方面。图像画面应尽量大,在家庭中一般应配置25英寸以上彩色电视机,如有条件安装投影电视则更好。从声音来说,现在的立体声电影都采用杜比立体声,即一种     

脉冲激光沉积技术制备超导铌薄膜及其特性研究

采用脉冲激光沉积技术(PLD)在硅衬底上制备超导Nb薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨X射线光电子能谱(XPS)、综合物性测量系统(PPMS)等测试分析手段,分别考察了不同激光能量、靶基间距、衬底温度对Nb薄膜晶体结构、表面形貌和电学性能的影响。结果表明,Nb薄膜在(110)晶向择优生长,并且随着激光能量的增加,薄膜的结晶质量逐渐提高;合适的衬底温度和靶基间距有利于提高Nb薄膜的结晶性能;在激光能量280 mJ、靶基间距5cm、加热盘温度650℃时制备所得Nb薄膜在(110)晶面半峰宽(FWHM)为0.39°,超导转变温度(Tc)为8.6K,且Nb薄膜具有良好的结晶性能和超导特性。     

聚丙烯/聚四氟乙烯纤维复合材料力学性能及发泡行为研究

将聚四氟乙烯纤维和相容剂加入聚丙烯中,在二次开模条件下注塑成型制备出聚丙烯/聚四氟乙烯纤维微发泡复合材料,研究了聚四氟乙烯纤维用量对复合材料力学性能、耐热性及发泡行为的影响。结果表明:当聚四氟乙烯纤维用量为2%时,复合材料的拉伸强度提高了13%,弯曲模量提高了16%;聚丙烯微发泡复合材料具有完美的泡孔结构,其泡孔平均直径为71μm,泡孔密度为1.26×10~6个/cm~3。     

一种抗辐照功率MOSFET器件

报道了一种抗辐射功率MOSFET,通过与国外同类产品的锎源以及钴辐照试验对比,其抗总剂量水平和抗单粒子能力均已达到国际领先水平,并深入研究了单粒子烧毁、单粒子栅穿以及总剂量辐照的机理,提出了大功率MOSFET抗总剂量及单粒子辐射的加固方法。     

从废弃镍氢电池负极板中回收稀土金属

通过废弃镍氢电池负极板在稀硫酸中的浸出实验,考察了稀硫酸浓度、稀硫酸体积与废弃镍氢电池负极板质量比(液固比)、浸出时间、搅拌转速等因素对稀土金属(RE)浸出率的影响.通过正交实验确定的最佳浸出条件和浸出率.基于RE的硫酸盐和无水硫酸钠生成RE复盐沉淀的原理,向稀硫酸浸出废弃镍氢电池负极板后得到的硫酸盐溶液中加入无水硫酸钠,得到RE复盐沉淀,通过正交实验确定的最佳沉淀条件与RE回收率.用x射线衍射仪对RE复盐进行了表征.     

碳纤维微盘电极上Ni(OH)2的电化学性能

研究了以碳纤维微盘电极为基底、用电化学沉积法制备的Ni(OH)2的电化学性质,测定了在碳纤维微盘电极以及Pt微盘电极上形成的Ni(OH)2的部分电化学参数。结果表明:碳纤维材料具有稳定Ni(Ⅳ)存在的作用,使Ni(Ⅲ)较易转变为Ni(Ⅳ),并能减小析氧反应对Ni(OH)2电极充电性能的影响;在碳纤维基底材料上沉积的Ni(OH)2的质子扩散系数和交换电流密度均大于以Pt为基底材料沉积形成的Ni(OH)2的。Ni(OH)2的电化学性质不仅与其自身有关,还与基底材料的特性有着密切的关系。     

较薄坡莫合金薄膜的磁性能和结构

基于辉光放电原理在不同的溅射气压下制备的NiFe薄膜,发现较低溅射气压下比较高溅射气压下制备的NiFe薄膜的磁性能要好得多。较低溅射气压下制备的NiFe(12nm)薄膜,各向异性磁电阻（AMR）值达到1．2％,而其矫顽力却只有127．4A／m。结构分析表明：较低溅射气压下制备的NiFe薄膜结构缺陷较少,内应力小;而较高溅射气压下制备的NiFe薄膜结构缺陷较多,内应力大。