化学复合镀Ni-P/PTFE工艺研究

探讨了粒子悬浮量、镀液温度、搅拌速度、表面活性剂含量及pH值等工艺条件对Ni-P/PTFE复合镀层中PTFE粒子的含量影响。研究表明，在一定工艺条件下，当活性剂(FCE)含量达到1g/L时，可以获得粒子含量为48vol％的Ni-P/PTFE复合镀层。     

铝合金等离子体基离子注入形成AlN/TiN层结构研究

用X射线光电子能谱和小掠射角X射线衍射研究了铝合金LY12等离子体基离子注入形成的AlN/TiN改性层的结构。结果表明 ,N和Ti能注入铝合金表面 ,N在注入层呈类高斯分布 ,而Ti沿注入方向呈梯度递减。后注入的Ti和N对先注入的N的含量和分布有重要影响。同时注入Ti和N ,能在试样表面形成一层稳定的Ti,N层。所形成的AlN/TiN改性层主要由TiO2 ,TiN ,TiAl3 ,Al2 O3 ,AlN相组成     

真空阴极弧离子镀类金刚石碳膜

采用真空阴极弧离子镀的方法,以乙炔和氢气分别作工作介质,以氩气为稀释气体,研究了类金刚石碳（ＤＬＣ）膜的制备工艺及其结构和硬度。喇曼光谱分析表明,所得膜为典型的ＤＬＣ膜,表现为一个波数在１３００￣１７００ｃｍ＾－１的宽峰,工艺不同,喇曼光谱曲线的形状也略有变化。ＳＥＭ分别表明所得ＤＬＣ膜结构致密光滑。纳米探头硬度表明,ＤＬＣ膜表面硬度均高于１０ＧＰａ。     

铝合金等离子体基离子注入形成AlN/TiN层及其耐磨性能

用X射线光电子能谱 (XPS)和小掠射角X射线衍射 (GAXRD)研究了铝合金LY12等离子体基离子注入形成AlN/TiN改性层的成分分布及相结构 .在此基础上测量了改性层的纳米硬度 ,并进行了摩擦磨损试验 .结果表明 ,氮和钛都能有效地注入到铝合金里 ,后注入的元素对先注元素的含量和分布有重要影响 .钛、氮同时注入在试样表面形成一层稳定的钛、氮化合层 .和未改性试样相比 ,所形成的AlN/TiN改性层纳米硬度及承载能力都提高 5倍以上 .在低滑动载荷下 ,摩擦系数减小 70 %以上 ,耐磨性提高近 10倍 ,耐磨寿命提高了近 6倍 ,粘着磨损程度显著减轻 .随着载荷的增加 ,相应的耐磨性能有所降低 .适当的改性层结构及其中分布的TiO2 、TiN、TiAl3、Al2 O3、AlN等相是性能改善的主要原因     

气体渗碳控制的数学模型

本文概括介绍了近年来气体渗碳控制数字模型的研究发展状况,其中包括炉气碳势控制、碳物质传递以及过程控制最优化三方面的数学模型,并对各模型的特点进行了评述。     

ARE法沉积的立方氮化硼薄膜生长过程的研究

采用逆序法研究了通过活性反应离子镀技术沉积在单晶硅 (10 0 )上的c BN膜生长过程。在X射线光电子能谱分析仪上 ,用氩离子剥离c BN膜并进行膜的成分的深度分布及不同刻蚀深度处膜的价态分析 ,用富立叶变换红外透射谱分析不同刻蚀深度处的膜的相结构。结果表明 :在此生长条件下 ,c BN不能在基底上直接成核 ,而是先在基底上形成一层h BN ,然后c BN在其上生长。对这种生长顺序 ,引用c BN膜形成机制的压应力模型给予了解释     

等离子体基高温离子注入研究进展

综述了等离子体基高温离子注入的发展及应用情况,介绍了由于高温注入中辐照增强扩散和热扩散的共同作用,注入层成分、组织结构、力学性能和抗腐蚀性能随温度提高发生的变化.并对今后的发展趋势作了预测.     

等离子体基离子注入过程中试样温度的预测

建立了等离子体基离子注入过程中试样温度预测的理论模型,应用这个模型进行了一系列数学模拟.以纯铝为例测定了在不同的注入条件下试样的温度变化,得到的实验结果与数学模拟相符合.试验表明,低功率注入时,系统达到热平衡的时间较长,而且热平衡温度低;随功率的上升,试样升温加快;注入功率密度高时,试样容易在注入过程中达到平衡温度,而且其平衡温度受注入功率的影响较小;试样的尺寸也是影响试样温度平衡的一个主要因素.在此基础上提出了在等离子体基离子注入过程中控制试样温度的方法.     

稀土硼铝共渗在轧辊上的应用

采用膏剂法对3Cr2W8V钢制造的钢管压缝轧辊进行了稀土铝共渗的应用试验研究,考察了共渗层的组织形态及相组成,结果表明,经稀土硼铝共渗的轧辊寿命提高2倍以上。     

银基体上铜等离子体基离子注入层的成分分布

研究了银基体上铜等离子体基离子注入 (CuPBII)层成分深度分布与试验工艺参数的关系。选择影响注入离子能量的脉冲偏压和注入剂量的不平衡磁控靶放电电流和靶基距作为试验参数 ,用X射线光电子谱 (XPS)进行注入层成分深度分析。结果表明 ,对较高的脉冲偏压 (80kV)、中等的磁控靶电流 (75mA)和近的靶基距 (2 0 0mm) ,容易形成厚的银铜过渡层 (7.6μm) ,且铜离子注入、铜原子的反冲注入与铜的沉积很好地匹配。与气体等离子体基离子注入不同 ,铜的沉积速率成为影响银铜过渡层的又一决定因素。