提高n型BaTiO3热敏电阻PTC效应的途径

本文根据晶界耗尽层模型,分析了受主表面态浓度NS、施主浓度ND、表面态能级ES对n型BaTiO3陶瓷PTC效应的影响,提出“高且薄”的晶界势垒形状在理论上应具有最大的PTC效应,并给出了在减少耗尽宽度rb的同时提高势垒高度φb的理论依据。最后,讨论了在实际研制过程中得到最佳PTC效应所应遵循的配方选择原则与相应的工艺条件,并给出了实例。     

锂盐助烧0.68Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.32PbTiO3陶瓷的介电性能

采用铌铁矿预产物合成法制备了锂盐（Li2CO3,LiNO3,LiF）助烧0.68 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.32 PbTiO3 [PMN-PT] 弛豫铁电陶瓷。采用XRD分析陶瓷相组成,并对其介电性能进行了测试,结果表明：所有陶瓷样品均为纯钙钛矿相,无任何其它杂相出现;添加Li2CO3和LiNO3使PMN-PT陶瓷的介电损耗降低,而介电常数峰宽、介电弛豫特性以及居里点等变化不明显;但添加LiF使PMN-PT陶瓷的介电损耗增大,介电常数峰变宽,介电弛豫更明显,以及居里点下降。极化后锂盐助烧PMN-PT陶瓷的介电常数和损耗峰均表现为双峰,第一个峰为三方铁电相-四方铁电相的相变峰,约80 ℃左右;第二个峰为四方铁电相-顺电相的相变峰,对添加LiF的试样约为130 ℃,其余试样约为150 ℃。这主要是由于添加Li2CO3和LiNO3试样只发生Li＋在PMNT的B位置换产生氧空位,而添加LiF试样可以通过F－取代反应产生铅空位来补偿Li＋取代产生的氧空位。     

BaFe12O19/SiO2玻璃陶瓷的合成工艺及电磁特性研究

研究了柠檬酸溶胶-凝胶工艺制备BaFe12O19／SiO2玻璃陶瓷的条件。在SiO2的摩尔分数为50%和67％，铁和钡的摩尔比为5：1～7：1，绕结温度为1000～1100℃时，得到了杂质含量很少的BaFe12O19玻璃陶瓷。测定了玻璃陶瓷在100MHz～6GHz下的复介电常数和磁导率。结果表明：其复介电常数、磁导率实部随测试频率的增加而下降；磁导率虚部数值在0左右波动。     

含纳米CdS玻璃的溶胶－凝胶制备和性质

采用溶胶－凝胶制备工艺，得到了尺寸为３～６ｎｍ的分散在二氧化硅凝胶玻璃中的硫化镉（ＣｄＳ）半导体微晶，观测了其吸收光谱和荧光光谱，以及三阶非线性光学极化率。结果表明：随着ＣｄＳ微晶尺寸的减小，复合材料的吸收边和荧光峰表现出明显的蓝移现象，最大移动约０．３ｅＶ。通过简并四波混频装置测量的复合材料的三阶非线性极化率为１０￣（－１１）ｅｓｕ，考虑ＣｄＳ浓度影响后为１０￣（－９）～１０￣（－８）ｅｓｕ。     

溶胶-凝胶法制备纳米二氧化硅溶胶和多孔二氧化硅薄膜

稀Na2SiO3溶液经过阳离子交换树脂除去Na^ 离子后，经碱化浓缩制成质量分数约为25％－30％的二氧化硅溶胶，添加化学添加剂丙三醇后加入乙酸乙酯，搅拌水解使溶解的pH值适当降低，聚乙烯醇能使二氧化硅溶胶具有网状结构，易于成膜。薄膜在750－850℃下热处理后孔径分布在100－300nm之间。二氧化硅薄膜在热处理过程中的微结构衍化过程可通过调节二氧化硅溶胶的pH值，添加化学添加剂和热处理温度加以控制。讨论了纳米二氧化硅胶粒溶胶的形成和形成的二氧化硅溶胶先体的成膜化学机理，并对制备的多孔二氧化硅薄膜的微结构，形貌变化和相关的物理性能进行了表征。     

国内外水热法钛酸钡性能的对比研究

对国产的两种水热法钛酸钡和日本生产的两种水热法钛酸钡进行了对比研究.结果表明国产的两种水热法钛酸钡的介电性能比日本生产的两种水热法钛酸钡的介电性能要差,其原因主要是原始钛酸钡粉体的颗粒形貌不同日本生产的两种水热法钛酸钡颗粒棱角分明,而国产的两种水热法钛酸钡颗粒圆化非常严重,这直接导致了其烧结性能的不同.颗粒园化的原因可能是水热反应的温度过高,保温时间过长,或者碱性过强.     

铁酸钴纳米粉体的水热合成及其性能

采用水热法制各了CoFe2O4纳米粉体,利用X射线衍射、红外吸收光谱等方法对合成的样品进行了结构及性能表征.研究了水热合成条件对产物物相及显微结构的影响规律,并对水热制各的CoFe2O4纳米粉体进行后期热处理,探索了羟基对其饱和磁化强度、矫顽场强等磁学性能的影响.结果表明:采用优化的条件制备的CoFe2O4纳米粉体颗粒在70nm左右,其表面羟基的减少有利于其磁性能的提高.     

复合型钱式执行器的高位移性能研究􀀁

本文研究了复合型钹式执行器的位移放大作用,以及对它的整体等效压电常数的影响,这种执行器的位移值（Ｓ）、等效等静压压电常数（ｄｈ）和等效等静压灵敏度（ｄｈ × ｇｈ）与同尺寸单体压电陶片（ＰＺＴ－５Ａ）工作时的对应值,分别高出近４０倍、８０倍和４００倍,并与压电陶瓷片的厚有关联。     

MOCVD自动控制电路的设计及其应用

本文设计了ＭＯＣＶＤ自动控制电路,该电路既能手动控制又能采用计算机进行自动控制,将该电路应用于ＭＯＣＶＤ系统,成功制备了ＴｉＯ２纳米级超细粉,在５００℃－１０００℃范围内,超细粉的平均晶粒尺寸为７．４～１５．２ｎｍ。     

一种新的铁电薄膜快速热处理工艺的研究

使用一种新的快速热处理的方法制备出Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,该方法的主要设备为链式热处理炉,它主要分为三部分,即预热带、加热带和冷却带．溶胶的配制采用先通过减压蒸馏的方法得到干凝胶,再将干凝胶溶解在乙二醇甲醚中的方法得到．对干凝胶作了DSC-TG分析;对薄膜作了X-射线衍射分析,结果为纯的钙钛矿结构的晶相;在l0kHz时薄膜的相对介电常数为235,介质损耗小于0.02;C-V特性曲线以及P-E电滞回线显示薄膜具有良好的铁电性能．