制备工艺对氧化钒薄膜微观结构的影响

为了研究制备工艺对氧化钒薄膜微观结构的影响,采用X射线衍射和扫描电镜,对用sol-gel法制作的、不同热处理条件下的硅基氧化钒薄膜之结构及形貌进行了分析。结果表明,470℃下制作出的有种子层薄膜无裂纹、致密性好、晶粒尺寸分布均匀,在此温度下热处理4 h得到的有种子层氧化钒薄膜V2O5相最纯,衍射峰最强,而提高热处理温度会导致晶向杂乱,V2O5相的衍射峰强度降低,使得VO2相增多。     

高温,高频压电陶瓷材料研究进展

主要介绍了不同系列高温高频压电陶瓷材料的结构及性能特点,针对不同应用条件提出了相应的陶瓷材料系列,指出改性PbTiO_3压电陶瓷材料的研究是高温高频压电陶瓷研究工作的重要组成部分。     

人体分布式8 ×8元红外探测系统的应用研究

文章针对8×8元热释电红外探测阵列设计了一种圆柱式旋转斩波调制器,它可对空间内180°范围的目标辐射进行波形调制,同时借鉴于ROM的读取方式对探测阵列进行了选读电路和微电流滤波放大电路的设计,并通过软硬件模拟了电路功能,为后续研究奠定了基础。     

片式叠层压敏电阻器的发展和应用

本文论述了国外开发的几种片叠层压敏电阻的结构,特性及当前的发展方向,介绍了这类压敏电阻器在集成电路保护,汽车电路保护和ＣＭＯＳ器件保护等方面的应用。     

双施主掺杂BaTiO3半导体陶瓷材料的研究

以 Sb2 O3单施主和 Y2 O3 Nb2 O5 双施主作为半导化元素 ,对低阻 Ba Ti O3半导体陶瓷的 PTCR特性进行了研究 ,通过不同的掺杂方式及工艺得到了低电阻率 PTC陶瓷材料 ,室温电阻率ρ2 5 =4· 49Ω· cm ,温度系数 αT=6 .0 4× 10 - 2 °C- 1 ,升阻比 β=1.0× 10 3,对低阻 PTC材料进行了探讨。     

冰箱马达启动器用PTCR综合参数测试系统的研制

针对冰箱马达启动器用PTCR工作时独特的电流 -时间特性 ,选用 80 98准 16位单片机为核心 ,组成测试系统 ,对系统的软硬件进行了分析。该测试系统能准确检测冰箱马达启动器用PTCR的常温电阻、动作时间、恢复时间和耗散功率。     

钙铝硼硅玻璃/氧化铝复合材料性能研究

通过高温熔融法制备的CaO-Al2O3-B2O3-SiO2玻璃粉末与α-Al2O3粉末按照质量分数50:50混合,烧结制备了钙铝硼硅玻璃/氧化铝系低温共烧陶瓷材料,研究了烧结温度对复合材料的物相组成、微观结构、力学性能及介电性能的影响.结果表明,875℃烧结制备的复合材料性能最佳,抗弯强度为164 MPa,介电常数为7.8,介电损耗为0.001 3,热膨胀系数为5.7×10-6/℃,具有良好的综合性能,可用作低温共烧陶瓷基板材料.     

TiO_2高温电导及缺陷化学分析

对 Ti O2 高温电导机制和缺陷化学进行了详细的理论分析和推导 ,计算了未掺杂样品的电导激活能。电导激活能不仅与温度有关 ,而且与载流子的特性有关。在低温高氧分压下 ,电导激活能大 ,氧缺位浓度较小 ,缺陷以一价氧缺位为主 ;而在高温低氧分压下 ,电导激活能小 ,氧缺位浓度较大 ,缺陷以二价氧缺位为主     

TiO2高温电导及缺陷化学分析

对TiO2高温电导机制和缺陷化学进行了详细的理论分析和推导，计算了未掺杂样品的电导激活能。电导激活能不仅与温度有关，而且与载流子的特征有关。在低温高氧分压下，电导激活能大，氧缺位浓度较小，缺陷以一价氧缺位为主；而在高温低氧分压下，电导激活能小，氧缺位浓度较大，缺陷以二价氧缺位为主。     

改进sol-gel技术BST薄膜的制备及性能研究

为了制备高性能BST薄膜,采用改进的溶胶 凝胶(sol gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了不同结构、不同组成的BST薄膜;研究了BST薄膜的微观结构及其介电、铁电性能。XRD分析表明,当热处理温度为750℃时,得到完整钙钛矿结构的薄膜材料。SEM电镜显示,含种子层的Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ3种不同类型的BST薄膜的结晶状况有很大改善。得到的BST20薄膜的介电峰温区覆盖常温段,介电常数为405,介电损耗为0.011,剩余极化强度为Pr=2.3μC·cm-2,矫顽场为Ec=45kV/cm。