Mn~+离子注入GaAs的铁磁性质和结构

报道 Mn+ 离子注入 ( 0 0 1 ) Ga As后经快速退火形成的亚微米铁磁晶粒的性质和结构特性 .磁化强度测量结果显示室温下具有铁磁性 .用透射电子显微镜、X射线能谱和电子衍射分析表明除形成 Mn Ga晶粒外 ,还有含少量 Ga的 Mn As晶粒 .原子力显微镜和磁力显微镜的结果表明在 750— 90 0℃下退火形成的铁磁颗粒以单畴为主     

Mn／Sb多层膜的磁性和磁光特性

用超高真空蒸发技术在GaAs(100)和玻璃衬底上生长不同厚度Mn／Sb多层膜，并经短时间热退火(～1，20min)．磁化强度测量显示具有很强的室温铁磁特性．当多层膜厚度从700l增至1600A时，饱和强度增加了近一倍，极向和纵向克尔角也增加了，但不到一倍．这表明磁化强度和克尔角两者均依赖于多层摸的厚度，但不是简单的正比于厚度的关系．增加Mn／Sb多层膜的厚度能增强饱和磁化强度和极向和纵向克尔饱和角．X射线衍射谱图结果表明高质量单晶结构的Mn／Sb多层膜能用超高真空蒸发技术生长，对较厚的多层薄膜，热退火的时间可很短(约1min)．     

磁记录技术基础——第二章 磁记录过程

<正> 一、引言将声音、图象、数字等信号电压加在磁头绕组的两端,绕组中便产生与信号电压的幅度和频率对应的电流使磁头磁化,磁头缝隙的杂散磁通又使磁记录介质(磁     

恒温电容瞬态时间乘积谱

传统的深能级电容瞬态谱(DLTS)是典型的微弱信号技术,它具有极高的灵敏度,能测量比基体原子浓度小9～10个数量级的深能级杂质和缺陷.然而对于宽禁带半导体(如固体C60(C70),GaN等)深能级的测量,这种测量方法将面临高温测量的困难.本文提出的电容瞬态时间乘积谱(ICTTS),可以在室温附近测量很深的深能级,并达到和传统DLTS相近的灵敏度.文中用这一方法研究了Ti/C70固体/p-GaAs结构的深能级,结果发现C70固体膜中存在两个空穴陷阱,H1和H2,它们的能级分别为Ev+1.037eV和Ev+0.856eV,密度分别为8.6×1011/cm2和6.5×1010/cm2.     

一种测定极紫外分子转动温度的方法

在分子光谱学中,分子的振动和转动温度是极其重要的参数,它表征了分子各振转能级的布居状况．在可见和红外波段测定分子的振动和转动温度并不困难,但对于那些落在ＶＵＶ和ＸＵＶ波段的高激发态,测定分子的振动和转动温度就是一个难题．本文将报道我们利用极紫外波段分子的相干发射光谱来测量转动温度方面的工作,这对研究真空紫外可调谐激光光源和分子高激发态光谱有参考价值,也为开展真空紫外光谱学和化学动力学研究提供可能． 实验装置是一套自制的真空紫外激光光源,它是由ＹＡＧ泵浦的可调谐染料激光器和ＢＢＯ倍频晶体,脉冲喷阀…     

磁记录技术基础 第四章 磁头

<正> 磁头分为记录磁头、重放磁头和消磁磁头。它们的作用是:记录磁头将电信号记录在磁介质上(磁带、磁盘等),重放磁头把记录在磁介质上的磁信号转换成电信号,而消磁磁头则是将记录在磁介质上