KDP/KD*P晶体生长过程中柱面扩展的研究

目前在KDP/KD*P晶体的实际生长过程中,仍以传统降温法为主.在传统降温速度的基础上适当提高降温速度,可以加快KDP/KD*P晶体的生长速度,但与此同时有可能产生柱面扩展.为此,我们对不同生长环境下的KDP/KD*P晶体生长过程中柱面扩展进行了一系列研究.实验中所用KDP原料和去离子水均与生长大口径KDP晶体相同,其它各项条件也尽量模拟大口径KDP晶体生长过程中的实际情况.在晶体生长实验过程中通过研究不同条件下KDP/KD*P晶体的柱面扩展情况来研究柱面扩展对KDP/KD*P晶体光学质量影响的共同特点.通过分析和研究实验数据及晶体生长过程,我们认为在正常生长条件下引起柱面扩展的主要因素有两个溶液的过饱和度和籽晶柱面存在的缺陷.扩展部分的晶体的光学质量与本体部分差别较大,扩展部分对光的透过率在紫外部分下降很快,明显低于本体部分在这一波段的透过率.本体部分和扩展部分对光的透过率在其它波段差别不十分突出.     

KDP晶体柱面生长速率实时测量研究

KDP晶体生长速率高精度地实时测量有助于研究各种因素对晶体生长的影响. 本文用激光偏振干涉法实现了对KDP晶体柱面生长速率和死区的实时测量, 精度达到0.01μm/min. 籽晶 尺寸等实验条件影响测量的结果, 小尺寸(约2mm×2mm)的晶体更有利于死区的表征, 溶解阶段造成的晶体表面位错坑是出现干扰测量的“异常”现象的根源.     

Al3+掺杂对KDP晶体生长习性的影响

溶液中微量Al3+对KDP(磷酸二氢钾)晶体生长具有多方面的影响.本文通过传统降温法和"点籽晶"快速生长法生长了Al3+离子掺杂的KDP晶体,并通过激光偏振法实时测量了晶体柱面的生长速度和死区.实验表明,当Al3+掺杂浓度小于20×10-6 ppm时可提高溶液的稳定性,并抑制柱面的扩展;而当浓度高于20×10-6 ppm时会使传统法生长的晶体发生明显的"楔化",成帽区延长,快速法生长的晶体变得细长;高浓度(>50×10-6 ppm)时溶液稳定性遭到破坏,晶体出现开裂、包藏等宏观缺陷.KDP晶体的表面形貌也随掺杂发生改变.     

Handle-DNS名字服务系统的设计与实现

文章主要讨论了一种新的名字服务体系Handle—DNS的理论设计与具体实现。主要阐述了包括Handle—DNS基本理论、Handle—DNS系统架构、Handle—DNS实施方案、以及Handle—DNS系统实现等方面的内容，并最后简单分析了构建Handle—DNS系统的意义和研究前景。     

Formation of liquid inclusion induced light scatter in KDP (DKDP) crystals

We describe in this paper the formation of liquid inclusion induced light scatter in potassium dihydrogen phosphate (KDP) crystal and deuterated potassium dihydrogen phosphate (DKDP) crystals. The measurement has been done with an atomic force microscope (AFM). The mechanism of formation of liquid inclusion scatter has been proposed and the effect of super-saturation discussed.     

EDTA对KDP晶体光学性质影响

本文探讨了不同掺杂浓度下,EDTA对KDP晶体光学性质的影响。结果表明,高浓度EDTA的KDP晶体光散射有明显的影响,但对光学均匀性和光损伤阈值无明显影响。     

一种互联网资源标志与寻址技术:Handle System

互联网最基础的资源标志与寻址技术是域名和IP地址，随着互联网资源种类的增加，以及应用的发展，出现了对新一代互联网资源标志与寻址技术的需求。介绍了一种新的互联网资源标志与寻址技术，并将这种技术应用到域名系统中。     

用铜泥制取硫酸铜的简易方法

本文探讨了由铜泥制取硫酸铜的简易方法，提出了该方法基本原理和简易基本流程。     

氘含量对K(H1-xDx)2PO4晶体结构及完整性的影响

采 用 传 统 降 温 法 生 长 了 一 系 列 的K(H1-xDx)2PO4晶体。粉末X射线衍射(XRD)证明氘化后晶体的对称性并没有发生改变,晶胞参数a 随氘含量的增加而增大,参数c 则小幅度增大。对晶体的高分辨X射线衍射研究,结果表明KDP-DKDP混晶中,D取代部分的H原子对晶体的结晶完整性影响较小。     

阴离子掺杂对KDP晶体光散射的影响

选用硫酸钾、硝酸钾和氯化钾作为掺杂剂, 采用传统降温法和“点籽晶”快速法生长了磷酸二氢钾(KDP)晶体, 利用超显微法对KDP晶体中的散射颗粒进行了观察, 研究了SO₄^2- 、NO ₃^- 和Cl ^- 三种阴离子掺杂对晶体中光散射的影响. 结果表明, 掺杂后SO₄^2-造成晶体光散射的轻度增加; 而NO ₃ ^-和Cl ^- 离子掺杂后, 对于传统降温法所得晶体, 散射明显加重, 对于“点籽晶”快速法所得晶体的散射影响不大.