CMOS闩锁效应的研究及其几种预防措施

目前以CMOS工艺为基础的集成电路制造方式已经成为当今集成电路产业的主导技术,但早期的CMOS电路由于无法有效预防闩锁效应而并未为人们所接受。文章先对一个CMOS反相器以及它的工作原理进行了详细的介绍,进而在CMOS反相器的基础上对CMOS电路中闩锁效应的产生机理做了充分的分析,提取了用于分析闩锁效应的集总器件模型,并且获得了闩锁效应的产生条件。通过对闩锁效应内部原理的认识,我们知道对闩锁效应的抑制或者预防是完全可以做到的,这可以通过对版图设计规则和对CMOS工艺技术的改进而达到。文章最后根据闩锁效应的产生条件给出了几种预防闩锁效应的措施。     

数控增益电荷放大器的设计

在此篇中,主要基于数控增益的原理和梯形电阻的等效高阻来实现对低频响应的设计。其中具体说明了运用反馈网络来完成低频响应的设计的方法,并使用D/A转换器数实现数控增益功能。     

1.2V 6GHz 1.19mW 32/33前置分频器的设计

基于4/5双模SCL分频结构设计了一个高速、低压、低功耗的32/33双模前置分频器。该设计基于TSMC90nm1P9M CMOS工艺,利用Mentor Graphics Eldo工具仿真,结果表明该分频器最高工作频率达6GHz,在电源电压1.2V,输入6GHz情况下,功耗仅1.19mW。     

高精度3阶delta-sigma调制器的设计

本文设计了一个用在ADC(ADC)中的3阶8级量化的delta-sigma调制器(DSM)。该调制器的过采样率128,信号带宽32.8 kHz,分辨率16位。在设计噪声传输函数(NTF)时采用前馈方式实现极点和局部反馈实现零点,从而优化了输出信噪比,通过这些方法提高动态范围(DR),降低量化噪声。这个DSM的峰值信噪比可以达到145dB以上。最后本文给出了这个DSM的MATLAB仿真模型及仿真结果,在此模型基础上编写电路模块verilog程序及进行行为级建模。     

食品级CO_2常温精脱硫与脱烃新技术的开发和应用进展

介绍了华烁科技股份有限公司开发的食品级CO2气体常温精脱硫与脱烃新技术的开发和应用进展。常温精脱硫技术可将CO2气体中总硫(H2S、COS、SO2、CS2、硫醇等)脱除至≤0.1×10-6(V/V);脱烃新技术可将CO2气体中总烃脱除至50×10-6(V/V),苯0.02×10-6(V/V)。应用表明,该技术可保证食品级CO2三项关键指标达到国际质量标准和国家标准,脱烃催化剂累计使用寿命可达3~5年。     

JRD22型电动机综合保护器

介绍以电子式热继电器取代双金属片式热继电器的新型电动机综合保护器的性能特点以及安装接线方法。这种专利产品具有多项保护功能，在长期使用中可保持动作灵敏可靠。     

浅谈配电网络无功补偿

无功功率常影响到供电系统的效率,因此需要限制无功功率的大小。分析了无功补偿的原理,可知功率因数和并联电容器接线方式对其影响较大。提出了相应的无功补偿措施,以提高供电系统的有效利用率。     

对神华战略的再思考、再认识

神华集团5年前确立了"科学发展,再造神华,五年实现经济总量翻番,建设具有国际竞争力的世界一流煤炭综合能源企业"的发展战略。通过企业发展实践的回顾,认为过去5年神华集团战略选择具有科学性,战略实施具有实操性,战略发展具有开放性。     

SOI LDMOS晶体管耐压结构的研究

SOI技术已经成功的应用到功率集成电路中,而击穿电压是功率器件一个重要的参数.本文对SOI LDMOS的击穿电压进行了分析,介绍了目前国内外几种典型的提高击穿电压的结构,较为详细的分析了RESURF原理的应用.