音频信号电平的确立与声音质量的关系

对于广播站来说,电平的确立是非常关键的,尤其是在想要制作优质的声音节目的时候就必须保持电平与相对电平的密切联系的关系。在对声音节目进行录制的时候要保证录音时的电平值要保持平稳和录制声音平品种的选择,只有在这些方面保证其优良性,才可以制作住真正质量优良的声音节目。广播电视台中,电视声音节目的质量状况几乎完全建立在放音系统中放音电平值的选择的基础上,所以音频信号电平的确立对于电视广播来说是非常重要的。     

压力渗透对长效防腐涂层耐蚀性能的影响研究

设计了压力模拟试验装置,通过模拟不同压力渗透状态,评价涂层耐海水压力渗透的性能及涂层在压力状态下的失效机理。     

基于扩散机制制备功能梯度陶瓷

文献[4]等研究表明在活性气氛下裂解聚碳硅烷制备陶瓷，可以明显降低陶瓷中碳的含量，利用这一研究结果，结合物质扩散机制，提出了聚碳硅烷活性气氛下(NH3)制备梯度陶瓷的设想。模拟计算的结果表明，该方法的是可行的，工艺上可控的；通过工艺控制，可以制备两种不同电导率类型——沿厚度方向的电导率逐渐变化或者跃进式变化的功能陶瓷材料。     

壳聚糖微球的制备及其对防污剂Sea-Nine 211缓释性能的研究

采用乳化交联法中的复乳法(o/w/o型)制备负载Sea-Nine 211的壳聚糖(CS)微球,并用扫描电镜和红外光谱对其结构及形貌进行了表征。应用正交试验设计,考察了壳聚糖浓度、投料比、交联剂浓度对微球制备的影响。载有疏水性防污剂Sea-Nine 211的壳聚糖微球的包覆率和缓释性能都比较良好,缓释的防污剂对海洋硅藻三角褐指藻的生长有抑制作用。     

壳聚糖微球的制备及其对防污剂Sea-Nine 211缓释性能的研究

采用乳化交联法中的复乳法(o/w/o型)制备负载Sea-Nine 211的壳聚糖(CS)微球,并用扫描电镜和红外光谱对其结构及形貌进行了表征。应用正交试验设计,考察了壳聚糖浓度、投料比、交联剂浓度对微球制备的影响。载有疏水性防污剂Sea-Nine 211的壳聚糖微球的包覆率和缓释性能都比较良好,缓释的防污剂对海洋硅藻三角褐指藻的生长有抑制作用。     

电磁波吸收最优厚度影响因素分析

对先驱体陶瓷样品的吸收厚度进行了优化计算，结果表明，影响材料对电磁波吸收的最优厚度的本征因素是材料复合电常数实部值与复磁导率实部值的乘积（ε′μ′）及介电损耗与磁损耗的比值（tgδε/tgδμ),薄的最优吸收厚度值要求大的ε′μ′及tgδε／tgδμ大于或小于1。     

Nd∶GdVO4晶体生长及其LD端面泵浦调Q激光性能

通过液相合成方法提纯Nd∶GdVO4多晶料,降低生长过程中存在的原料非一致性挥发,以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体"后天性光散射",Czochralski方法成功生长系列不同钕掺杂浓度的Nd∶GdVO4单晶.采用不同透过率的Cr4+∶YAG晶体对Nd∶CdVO4晶体进行激光调Q实验.实验结果显示,Cr4+∶YAG Nd∶GdVO4激光器可以得到稳定高平均功率调制激光输出.实验得到的最小脉冲宽度只有6 ns,对应峰值能量为26.4 kW.对不同浓度掺杂对晶体调制激光性能也进行了比较,发现掺钕浓度越高,激光脉冲能量和峰值功率越大.对该晶体的GaAs调Q激光输出性能也进行了介绍,4.8 W泵浦光下,最大GaAs调制激光输出为0.63 W.     

溶解型防污涂料动态性能研究

利用海水动态模拟实验装置模拟船舶航行时船舶水下船体防污涂料的实际服役工况,对3类船舶溶解型防污涂层进行动态模拟实验,定期测量防污涂料铜离子释放率、表面粗糙度、涂层厚度等各项性能,研究各项性能的动态变化规律,并对3类溶解型防污涂料达到一年防污期效的涂层厚度进行了计算。研究结果表明,溶解型防污涂层铜离子释放率在实验初始有大幅下降,随后逐渐稳定,表面粗糙度随时间缓慢下降;模拟航速的上升会提高涂层防污剂的释放率,增加各种涂层表面粗糙度的变化程度,加快涂层厚度减薄。     

新型防污涂料动态性能模拟研究

利用海水动态模拟实验装置模拟船舶航行时船舶水下船体防污涂料的实际服役工况,对无锡自抛光和低表面能两类环保型防污涂料进行动态性能模拟实验,定期测量防污涂料铜离子释放率、表面接触角、表面粗糙度、涂层厚度等各项性能,研究各项性能的动态变化规律,并对两类防污涂料达到一年防污期效的涂层厚度进行了计算。     

Nd:GdVO4的光谱性质及上转换发光实验研究

测量了新型激光晶体Nd:GdVO4的室温吸收光谱和近红外区荧光谱,观察到该晶体在593 nm、754 nm和806 nm附近有3个较强的吸收带,在912.2 nm、1 063.4 nm、1 082.3 nm和1 340.6 nm有4个主要发射峰.实验研究了Nd:GdVO4晶体在不同激发波长下的上转换发光情况,得到该晶体在440 nm、540nm、600 nm和668 nm附近存在的4个上转换发射峰,分析了其产生的能级跃迁机制.