带并联凹腔的超燃燃烧室数值研究

采用离散相模型对带并联凹腔结构的煤油超燃燃烧室进行数值模拟,分析了正对并联凹腔和交错并联凹腔对支板直接喷入煤油的燃烧室燃烧性能的影响.结果表明,并联凹腔会使煤油进一步向展向扩展,混合效率得到明显提高;正对并联凹腔能极大提升煤油的穿透深度,拓宽煤油的亚声速燃烧范围,而对燃烧条件下总压损失系数影响不大;交错并联布置的凹腔可进一步增加煤油的混合效果,热力喉道的位置后移,亚声速燃烧范围扩大,燃烧效率提高.     

HSPA＋关键技术及性能评估

就TD—SCDMA系统而言,HSPA技术有两种增强型方式：一种为多载波捆绑技术,另一种为HSPA＋。其中HSPA＋包括分组业务持续连接（CPC）、增强CELL—FACH、层2增强、下行64QAM和MIMO等5种子技术。本文将对HSPA＋涉及的各项关键技术进行详细分析,并对引入各项技术后带来的性能增益进行评估。     

基于激光技术高炮模拟训练系统设计

运用二维浮动平台技术、传感器技术、激光技术等研制新一代高炮激光模拟实弹系统。实时采集火炮转动瞄准的方位角、射角和向量式瞄准具的相应工作参数。将瞄准具的工作参数转换为射弹飞行时间,计算出火炮发射时的高角,通过浮动式控制平台控制激光发射器消除高角和提前量角,等待射弹飞行时间以后发射激光,完成激光在空间和时间上对炮弹弹道的模拟。     

一种带Cache加速的HyperRAM控制器设计与验证

针对目前可穿戴设备上对存储设备性能要求高、体积小、功耗低等问题,在FPGA上实现了一款可拓展的高性能HyperRAM控制器,并引入Cache缓存加速设计,以提高对频繁访问数据的命中率和优化存储器访问模式,实现更高速的数据传输和优化的系统性能。运用UVM验证方法学和FPGA进行验证,结果表明,带有Cache缓存的HyperRAM控制器相较于普通HyperRAM,在读写连续地址时性能提高61%,并具有较好的可靠性与有效性,可为嵌入式系统提供高效、灵活的存储器解决方案。     

一种新型的激光抽运原子磁力仪

依据磁光旋转原理研制了一种拥有自主知识产权的新型的激光抽运高灵敏度原子磁力仪.该原子磁力仪利用磁场中铷原子与光场的相互作用,极化铷原子在待测磁场中进行拉莫尔进动,利用铷原子磁光共振频率与外磁场之间的关系,通过高灵敏度低噪声弱磁检测技术实现磁场的准确测量.测试结果表明,该磁力仪灵敏度为1 pT/Hz1/2;测试过程中磁场波动范围小于0.4 nT.     

欧美3G业务市场初见曙光

一、欧洲3G用户市场开始放量增长欧美3G业务市场的主力在欧洲。欧洲是全球手机平均普及率最高的一个地区，初期对3G的发展热情也比较高。然而，欧洲的大部分移动运营商却迟迟不肯推出3G服务，造成这种局面的主要原因是巨额许可证费和投资费用的支出使它们再也不敢轻易推出有可能为它们带来沉重经济负担的新业务。据统计，欧洲的电信公司光在3G频段拍卖中就花掉了1000亿美元。据统计，整个欧洲电信业在2000年年底的债务总额高达25lO亿欧元，德国、英国、法国、荷兰等国电信公司的资本负债率达到120％-2lO％。可见，发展3G的正面效果尚未出现，而负面效果已经使一些企业受到重创。另一方面，3G的市场前景仍需得到进一步确认。目前3G业务市场的需求仍显不足，大约只有6％的移动用户有3G需求，而通常要使这一比例达到33％时，运营商才能实现盈亏平衡。欧洲的3G业务从内容和种类来说，与日韩的业务比较并没有太大的差异，但从业务收入贡献来说，则有很大的差距。这主要与欧洲移动运营商所采取的3G业务定位有关。在西欧3G市场，运营商推出的3G业务包括视频电话、位置定位、移动电视、电子邮件、高速互联网接人以及图片传输等，因为欧洲3G业务的主要用户群设定在高档商务用户上。     

簇间可分的鲁棒模糊C均值聚类算法

与经典的K均值聚类算法相比,模糊C均值(FCM)聚类算法通过引入模糊因子,考虑不同聚类数据簇之间的相互关系,得到可分性更好的聚类结果。但是模糊因子的引入,使得任意一个样本点都存在模糊性,造成FCM极易受到噪声和离群点的影响,聚类结果泛化性能较差。因此,该文提出一种簇间可分的鲁棒FCM算法(RBI-FCM)。RBI-FCM利用K均值算法对模糊隶属度的稀疏特征,降低不同数据簇之间的相互作用,突出不同数据簇相邻区域的可分性;另外,RBI-FCM在极小化数据簇内部散布度的条件下,考虑不同数据簇之间的可分性,可提高聚类模型的泛化性能。该文设计了有效的模型求解迭代算法。实验结果表明,RBI-FCM算法提高了FCM的鲁棒性,有效降低FCM对数据簇分布差异性和抽样不均衡的敏感性,得到理想的聚类结果。

     

钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响

提出一种新的钝化技术--采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液(HF:HCI:H2O=1:4:20)对AIGaN/GaNHEMTs进行表面预处理后冉淀积Si3N4钝化,研究了新型钝化技术对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响并分析其机理.与用常规方法钝化的器件相比,经过表面顶处理再钝化,成功地抑制了 AIGaN/GaN HEMTs肖特基特性的恶化,有效地增强抑制电流崩塌效应的能力,将GaN基HEMTs的输出功率密度提高到5.2W/mm,并展现良好的电学可靠性.通过X射线光电子谱(XPS)检测预处理前后的AIGaN表面,观察到经过预处理后的AIGaN表面氧元素的含量大幅度下降.表面氧元素的含量下降,能有效地降低表面态密度和表面电荷陷阱密度,被认为是提高AIGaN/GaN HEMTs性能的主要原因.     

用电子束曝光方法在优化设计的绝缘体上硅脊状波导上实现布拉格光栅的制作和评价

报道了一种用电子束曝光的方法在绝缘体上硅的脊状光波导上制做布拉格光栅的技术.考虑到实际的光子学集成的应用,讨论了这个带有布拉格光栅的脊状光波导的优化设计,给出了该布拉格光栅的测试和理论模拟结果.通过薄化绝缘体上硅的波导层的厚度和光栅的深腐蚀加工,获得了高达30cm-1的光栅耦合系数.