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薄栅氮化物的击穿特性 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了含 N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性。结果表明 :MOS栅介质中引入一定的 N后 ,能提高介质的电荷击穿强度 ,电荷击穿强度受 N2 O退火温度的制约 ;N对薄栅介质的击穿电场强度影响甚微 ,击穿电场受栅偏压极性的制约。用一定模型解释了实验结果 相似文献
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本文讨论一个PCI总线主控制器IP核的设计与验证,描述了该IP核的控制通路和数据通路设计、电路的功能仿真、综合以及验证等过程。结果表明,该IP核在功能和时序上符合PCI技术规范2.2版本,达到了预定的目标。 相似文献
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提出了小型化微带双分支定向耦合器的设计方案,通过对双分支微带线进行结构等效,解决了传统微带双分支定向耦合器尺寸较大的问题。应用HFSS软件对结构进行了优化仿真设计,并制作和测量了一款工作在L波段用于海事卫星通信的微带耦合器样件。该耦合器样件比传统双分支定向耦合器面积缩小了51%,实测结果与仿真结果吻合较好,验证了方案的可行性。 相似文献