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为了研究电子辐照导致CCD参数退化的损伤机理,以及CCD内不同沟道宽长比的NMOSFET的辐射效应,将与CCD同时流片的两种不同沟道宽长比的深亚微米NMOSFET进行电子辐照实验。分析了电子辐照导致NMOSFET阈值电压和饱和电流退化的情况,以及器件的辐射损伤敏感性。实验结果表明,电子辐照导致两种NMOSFET器件的参数退化情况以及辐射损伤敏感性类似。导致器件参数退化的主要原因是界面陷阱电荷,同时氧化物陷阱电荷表现出了一定的竞争关系。实验结果为研究CCD电子辐照导致的辐射效应提供了基础数据支持。 相似文献
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天然和合成甜味剂的性能 总被引:3,自引:0,他引:3
天然和合成甜味剂的性能郭祀远,陈屏刚,蔡妙颜,李琳(华南理工大学轻工食品学院广州,510641)甜味是人类最重要的味觉之一,列“甜咸酸辣涩”五味之首。甜的物质普遍给人以享乐的愉快感受,这种连在初生婴儿都可以看到的反应被认为是天生的。现今几乎没有一个地... 相似文献
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螺旋藻培养方法的初步探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
螺旋藻(spirulina)是富含蛋白质、氨基酸和维生素等多种营养物质的新型食品,被称为‘21世纪的理想食品’。本文主要讨论螺旋藻的培养方法,尤其是光合异养条件下的培养规律,并对螺旋藻的工业化高细胞密度的培养进行了初步的探讨。 相似文献
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