基于熔渣离子分子共存理论的CaO-MgO-SiO2-FeO-Al2O3熔渣黏度预测模型

研究了含FeO的CaO-MgO-SiO₂-FeO-Al₂O₃五元渣系的黏度预测模型，引入黏度的补偿效应，通过对前人的熔渣共存理论黏度预测模型进行改进，建立含FeO熔渣的黏流活化能和各结构单元之间的关系，模型计算的黏流活化能和拟合得到的数值吻合较好。根据补偿效应，利用模型计算的黏度值与实测值的误差在允许范围内。分析表明，随着渣中混合碱度w(CaO)/w(SiO₂+Al₂O₃)和碱性氧化物(如MgO和FeO)含量的增加，熔渣黏度降低。另外，熔渣黏度随着温度的升高而降低，低温条件下，熔渣组分的变化对熔渣黏度的影响较大。基于本模型计算的参数值可用补偿效应代替前人模型中的Ai参数拟合值，使模型参数值整体减少。     

阳离子光固化高性能墨水直写浆料的研制

阳离子光固化材料通常具有低收缩、化学稳定性好、高力学性能等优点。为发展阳离子光固化型墨水直写打印技术（DIW），以双酚A二缩水甘油醚（DGEBA）为主体树脂，通过对触变剂、光引发剂和活性稀释剂的研究制备了一系列阳离子DIW打印浆料，并研究了该体系浆料的可打印性以及力学性能。结果表明，气相二氧化硅的添加可以有效调节浆料流变性能，使其满足DIW打印要求。当异丙基硫杂蒽酮（ITX）与二甲苯基碘鎓六氟磷酸盐（IOD（）摩尔比1:1）组成的光引发体系添加量为3%时，浆料固化速度最快。拉伸性能表征发现，打印样条的断裂伸长率随着OXT-BZ稀释剂的增加而增加，且拉伸强度保持在40 MPa以上，表现出优异的力学性能。通过对打印沟环器件的负载测试发现，该浆料对玻璃、铝合金等基材具有优异的附着性，可实现8 kg砝码的负载，展现了优异的力学性能。     

硅丙烯酸树脂/CeO2涂层的一步电合成制备及其防护性能研究

为提高低碳钢的防护性能，采用一步电合成法在低碳钢上制备了硅丙烯酸树脂/CeO₂涂层。采用塔菲尔极化曲线、电化学阻抗谱、接触角测量仪、SEM及EDS研究了主要电合成工艺参数(沉积电压、沉积温度、沉积时间等)及不同硅单体(乙烯基三甲氧基硅烷(A171)和乙烯基二甲基乙氧基硅烷(C₆H₁₄OSi))对涂层组成、结构以及性能(疏水性、耐蚀性等)的影响。结果表明，涂层最佳制备电压为-20 V,温度为50℃,时间为3 h,该条件下制得的涂层表面均匀平整，含有少量凹陷，疏水性最强，接触角达到110.5°;与基体相比腐蚀电流密度降低两个数量级，达到2.052×10^-7 A/cm²。选用A171作为硅单体制备的涂层具有更优异的防污耐蚀性能，其接触角比使用C₆H₁₄OSi作为硅单体所制备的涂层大30.3°,腐蚀电流密度也降低了约两个数量级。     

不同类型复杂地下储气库建库难点与攻关方向

地下储气库（以下简称储气库）在保障天然气安全供应方面发挥了不可替代的重要作用。为推进中国储气库业务高质量发展，有效应对天然气安全保供压力，总结了国外储气库建设与运行关键技术现状，梳理了国内储气库建设历程和形成的特色理论技术，分析了我国储气库领域面临的突出挑战，提出了未来储气库发展与攻关方向。研究结果表明：(1)国外储气库建库与运行技术成熟、装备配套、标准完善，建成了气藏型、油藏型、盐穴型、水层型等多类型储气库；(2)中国在库容设计、井筒质量控制、大排量注采设计、地面处理工艺与装备、风险识别监测以及盐穴造腔等方面形成了特色技术；(3)中国储气库在“扩容、达产”及提高库容利用效率、高含水油藏与低渗透气藏和复杂连通老腔等新类型储气库建库技术等系列领域面临挑战；(4)亟需破解5大科学问题，即超压背景下储气地质体密封性弱化动力学机制、高含水油藏建库储气空间扩展与注排控制理论、盐穴储气库强制对流溶蚀—扩散流固耦合机理、大尺寸井井壁失稳力学—化学耦合机理、长周期注采储气库完整性失效机理与灾害演化机理；(5)亟需解决6大技术问题，即提高库容动用率、新类型储气库建库、提高单井产能和老井处置、地面处理关键...     

影响段彩纱质量的因素及解决措施

为了保证段彩纱生产质量和风格，分析采用细纱工序牵伸方式生产段彩纱的影响因素，从隔距调整、细纱牵伸区调整、中间喇叭口位置固定、生产操作的规范性方面提出解决措施；详细阐述电子配色技术在段彩纱生产中的应用。指出：段彩纱风格的实现受纺纱器材专件以及纺纱工艺影响，尤其是锭差、工艺一致性和段彩规格设计的合理性；对三罗拉隔距、摇架隔距及细纱牵伸区进行调整，固定中间喇叭口位置，规范生产操作，能保证段彩纱风格的重现性及批量生产的稳定性；新型段彩纱是机器参数选择、段彩工艺设计及电子软件等多项技术的综合运用，用好电子配色技术，可实现段彩纱色彩与工艺的有机统一，使其面料呈现出千变万化的新颖性。     

镀镍过程中电化学噪声能量（英文）

采用电化学噪声、扫描电子显微镜和掠射角X射线衍射等技术，研究电沉积电流密度(J_k)和镀液温度对Ni沉积层结构和电化学噪声能量(E^D)的影响规律，并详细探讨沉积层结构与E^D之间的关系。结果表明：E^D主要反映电极表面状态的剧烈变化程度或局部阴极的反应速率，而不是反映整体阴极的反应速率；与J_k密切相关的Ni镀层初始成核/生长机制对E^D产生显著影响。晶粒在异质基底上的成核(新相的形成)/生长过程对E^D的影响远远大于薄膜晶粒的后续同质生长过程对E^D的影响，能够加速电极表面状态剧烈变化的因素都能导致E^D值的增加。