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用正电子湮没多普勒展宽能谱测量和分析了若干急冷淬火制备的薄带,表明软磁Fe基纳米晶合金中的缺陷(自由体积)远多(大)于其晶化前的非晶态;能够晶化成纳米晶的Fe基非晶制备态材料中的缺陷也多(大)于类似成分但又不能晶化成纳米晶的非晶态材料中的缺陷;Fe73.0Cu1.0Nb1.5Mo2.0Si13.5b9.0合金的急冷淬火制备态在热处理过程中,低温退火时缺陷减少,高于200℃的退火导致缺陷增加,纳米晶化后的进一步退火缺陷基本不增加;Fe73.0Cu1.0Nb1.5Mo2.0Si13.5B9.0合金纳米晶化后,在所选定的测量条件下没有发现正电子湮滑参数时间,温度的变化,说明该材料缺陷结构相当稳定。 相似文献
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用正电子湮没技术研究了七种铁基非晶态合金,结果表明铝含量高的合金的正电子湮没参数大于铝含量低的合金,意味着铝的存在会造成铁基非晶态合金微观结构的不均匀性,很可能是较多的类空位缺陷出现。 相似文献
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通过淬火态Cu-23at.%Zn-10at.%Al合金冷热循环后避免热弹马氏体稳定化及循环初期正电子湮没参数大幅度减少的对比实验,表明稳定化的主导原因是空位及其运动更为合适。 相似文献
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用正电子漂没Doppler展宽能谱仪测量了若干具朋可逆形状记忆效应的Ti-51.0at.%Ni合金试样。发现:凡可逆形状记忆效应好的试样都含有结构缺陷,这一点与文献报道的一致;但是;并不是所有包含结构缺陷的试样都能给出好的可逆形状记忆效应;要获得好的可逆形状记忆效应,试样中的结构缺陷在密度上必须适量,不多不少,数量太多或太少的试样都不能产生好的记忆性能。 相似文献
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本文分析了900℃、750℃和700℃淬火后Cu-23at.%Zn-10at.%Al合金试样的正电子湮没寿命谱,其中长寿命τ2始终维持在185ps左右的数值,表明该合金淬火后保留有大量的单空位,母相态下尽快消除这些空位有助于避免和改善铜基形状记忆合金的热弹马氏体稳定化现象。 相似文献
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本文研究了正电子湮没寿命谱仪探测器的输出影响因素。两个最重要的影响因素是光电倍增管和BaF2晶体之间的光学耦合以及光电倍增管上所加的高压,我所正电子湮没寿命谱仪探测器所使用的高压选择为2.45kV,2.57kV,两个探测器的输出电压是1.8V。 相似文献
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为了便于我所非正电子技术人员能了解、熟悉和使用正电子湮没方法,本文从入门和实用的角度介绍了最常用的测量空位浓度、位错密度的方法原理、仪器构造、实验过程、数据分析和结果。 相似文献
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针对TiNi形状记忆合金研究中所遇到的一些带有普遍性的实际技术问题,本文用正电子湮没方法系统地测量了不同成分和不同状态的试样,分析了合金中的缺陷及其对宏观性能变化的贡献,提供了传统技术所难以和不能提供的信息。 相似文献