利用VC++6.0实现温度采集模块的串行通信

介绍了应用VC 6．0 MSComm控件实现温度采集模块RS232／RS485串行通信的系统硬件构成及上位机软件设计，并通过激光直接金属成型的工程应用证明了本系统的可靠性和稳定性。     

金属压焊点下面ESD结构的可靠性研究

研究一种制作在集成电路压焊点金属下面的以二极管为基本单元的静电放电保护结构，这样减小了为制作静电保护电路而消耗的面积。这种结构用金球或铝楔入压焊的方法，用三层或四层金属CMOS工艺制成。压焊后目检没发现不正常现象，电测试也没发现ESD所造成的失效。这种结构通过了产品质量等级测试。     

浅析电厂氨法脱硫系统泵类选型

随着政府对二氧化硫、烟尘、氦氧化物排放标准要求的不断提高,各种脱硫工艺也应运而生,氯法脱硫本着技术成熟,运行可靠等优点便异军突起,氯法脱硫的主要工艺为对进入塔内的烟气喷淋,因此各种泵类成为该工艺的主要设备之一,而泵类的选型也成为工艺中及其重要的一环.     

波前可控的全硅太赫兹超构起偏器（英文）

直接从非偏振波中产生偏振波并同时操纵波前的超材料器件可用于先进的光学系统.然而,传统的波前可控偏振转换超表面(PCMs)依赖于具有特定偏振状态的入射波,而不是非偏振波.少数经特殊设计的超构起偏器虽然已经从非偏振波中获得了偏振波,但没有同步地实现波前操控.本文报道了基于全硅材料的波前可控的太赫兹超构起偏器,它比传统的超构起偏器和波前可控PCMs具有更高的集成特性.这种太赫兹超构起偏器将特定相位分布融入超构原子的波束干涉中,直接从非偏振太赫兹波产生偏振太赫兹波,并同步实现波前操控,有望为太赫兹波操控领域带来新的影响.     

电介质击穿对MOSFET器件漏电流的影响

栅电介质击穿是MOSFET器件工作中主要的失效模式之一。由击穿而引起的栅泄漏不仅是电损耗增加的问题,而且对漏电流造成很大的影响。采用最新工艺制成的超薄栅电介质,把由击穿产生的漏电流作为因击穿点的扩展而损伤的沟道电流的一部分。制作栅氧厚度为2.2nm和3.5nm、不同沟道宽度的器件,使用专门的装置给器件施加应力,用统计方法研究晶体管性能的退化。分析表明,使漏电流退化的损伤半径大约在1.4μm-1.8μm之间。     

固化后极板中残余铅、氧化铅、硫酸铅的测试

用乙酸、硝酸分别溶样,ICP光谱(原子吸收、极谱)测试极板中残余铅、氧化铅、硫酸铅的含量,比EDTA容量法更准确、简捷,特别适用于大中型蓄电池企业。