一种新型的光致荧光辐射剂量计的研究

光致荧光辐射剂量实时在线探测技术,主要利用掺杂两种稀土元素的碱土金属硫化物的光致荧光特性,将材料制成薄片,通过光致荧光剂量片存储辐射剂量,探头和光纤置于辐射场中,激发光源通过光纤传到探头,用灵敏的光探测装置读出荧光片中存储的辐射剂量,获得一种新型的在线辐射剂量测量技术.该技术测量范围宽、灵敏度高;存储的辐射剂量用内部光源照射清除,设备相对简单、体积小、功耗低.此测量仪器很适合空间在线实时辐射剂量探测,另外还可以用于集成电路辐射以及高辐射剂量等危险场合辐射剂量的测量,具有良好的应用前景.     

新型硅吸收剂量量热计的电校准

叙述了新型硅吸收剂量量热计的结构及电校准原理;给出了量热计在０－３５℃工作温区的 热校准因子,拟事出硅比热随温度变化关系式。并对实验误差进行了讨论。     

微波加热法合成CaS∶Ce,Sm及其发光特性

用微波加热法合成CaS∶Ce,Sm材料,由光谱可知,其光激励光谱和发射光谱分别位于红外和可见光区域,因而只要选择适当的光探测方法即可记录发射光。与高温固相法比较,微波加热法合成能够减少S的升华,提高反应速率,同时能够有效回避保护气氛并最大限度地去除对环境的污染;在生成CaS的同时完成稀土金属的掺杂,从而比较容易的得到了纯度较高的CaS∶Ce,Sm。     

氧化钇稳定二氧化锆(YSZ)微波烧结陶瓷的复阻抗谱分析

研究了8mol%Y2O3掺杂ZrO2(8YSZ)材料微波烧结陶瓷在300～850℃温度范围内的交流复阻抗谱,获得了该材料的温度-离子电导率曲线,并与常规烧结的陶瓷体进行了比较.结果发现8YSZ的微波烧结陶瓷的晶界势垒在550℃被击穿,常规烧结陶瓷的晶界势垒在500℃被击穿.击穿后晶界电阻消失,离子电导率的变化主要由晶粒电导率的变化决定.在击穿温度点以下,陶瓷体的离子电导率随温度的升高呈波浪式上升,即曲线呈上升～下降～上升趋势.     

CaS：Eu，Sm的制备及发光特性

采用碳还原法制备了电子俘获材料CaS：Eu，Sm，研究了灼烧温度及灼烧时间对样品发光性能的影响,XRD测试表明，样品具有CaS的面心立方结构，晶格常数为0．58nm．样品的激发谱峰值在279、466、497nm处，荧光光谱的峰值在649nm处，光激励发光峰为650nm，光激励发光的光谱响应范围为900-1400nm。     

Zn掺杂n型硅材料的补偿研究

为了获得不同补偿度的硅材料,采用高温气相扩散的方法,在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到各种电阻率(在25℃下)的补偿硅。实验表明,对具有不同初始电阻率的硅材料,扩散后电阻率随扩散温度和杂质投入量的不同都有较大变化,而且随杂质投入量的增加,电阻率都有一个急剧变化的转折点。     

γ射线在硅界面附近的剂量分布

研究了金、钨等多种材料与硅交界时＾６０Ｃｏγ射线在界面硅一侧产生的深度剂量分布。将该分布与均匀硅材料中的平衡剂量比较，发现在界面附近具有明显的剂量梯度分布。特别在金等高原子序数与硅交界的情况下，硅界面的剂量有显著增强现象，以康普顿散射，光电、俄歇效应和次级电子的输运机制为基础，用半径验电子输运方程对界面附近的剂量梯度分布进行了计算，得到了与实验符合较好的结果。