铸造多晶硅晶界的EBSD和EBIC研究

利用电子背散射衍射(electron back-scattered diffraction,EBSD)和电子束诱生电流(electron beam induced cur-rent,EBIC)技术对铸造多晶硅的晶界类型和晶界复合特性进行了研究。EBSD分析显示铸造多晶硅中的大部分晶界为大角度晶界(tθ>10°),且以特殊晶界Σ3和普通晶界为主,同时还存在少量小角度晶界(tθ>10°)。EBIC观察发现洁净晶界(包括大角度和小角度晶界)在300K下的复合能力很弱,晶界类型对其复合特性没有明显影响。洁净的小角度晶界本征上在100K下具有强复合特性,而大角度晶界则不具有;在引入金属沾污后,小角度晶界对金属杂质的吸杂能力最强。小角度晶界的复合特性可能与其界面特殊的位错结构有关。     

绝缘陶瓷材料电火花加工技术的研究进展

陶瓷材料特性鲜明，有着广阔的应用前景。辅助电极法电火花加工绝缘陶瓷是一种新兴的加工工艺，介绍了陶瓷材料电火花加工技术的基本原理及研究进展。     

碱浸提取碲的工艺研究

运用正交法,对碱浸提取碲的工艺进行了优化.考察了浸出温度、NaOH浓度、液固比、浸出时间对Te浸出率的影响.同时对最佳浸出工艺下主要杂质元素Si、Se、Cu的浸出进行了研究.结果表明:浸出温度、NaOH浓度、液固比、浸出时间对Te的浸出率无显著影响.碱浸提取碲的最佳浸出工艺为:浸出温度95℃,NaOH浓度3moL/L,液固比6∶1,浸出时间3h.此工艺条件下浸出液中Si、Se含量较高,进行后续碲的提取工艺前需除杂.     

太阳能电池用铸造多晶硅的碳浓度分布研究

用傅里叶红外光谱仪(FTIR)测定定向凝固太阳能电池用多晶硅的轴向碳浓度分布.结果表明:实验样品的轴向碳浓度分布符合分凝规律.用经典分凝公式模拟该铸造多晶硅的轴向碳浓度分布,得到该铸造多晶硅的有效分凝系数为0.45.取硅熔点温度为定向凝固过程温度,通过BPS公式计算得到,碳在定向凝固过程中的扩散速度在4.72×10-8～4.72×10-7 cm/s的范围.     

太阳电池用α-SiCx：H薄膜热处理性能研究

对不同温度下PECVD沉积的α-SiCx：H薄膜进行750℃、30s的快速热处理性能研究,并利用紫外一可见一近红外分光光谱仪、光学膜厚测试仪和微波光电子衰减仪对样品反射率、折射率和少子寿命进行表征。结果表明,快速热处理会使α-SiCx：H薄膜折射率升高,但对薄膜反射率的影响不大。较低温度（〈300℃）沉积的薄膜在快速热处理之后钝化效果提升,较高温度（≥300℃）沉积的薄膜在快速热处理之后钝化效果有所下降。     

从碲锌镉中回收碲工艺研究

采用水热氧化-酸浸-还原的方法对碲锌镉中的碲进行回收,通过控制其他条件不变,改变水热温度、硫酸浓度、液固比、亚硫酸钠的加入量来考察碲的回收率。结果表明,回收碲的最佳实验条件为:水热氧化温度为180℃,硫酸浓度为8mol/L,液固比为12∶1,重量比Na2SO3/Te=10。在该条件下,碲的回收率可高达77.15%。     

Bi2Se3-Sb2Se3纳米复合材料的水热制备与表征

采用水热法制备Bi2Se3-Sb2Se3纳米复合材料。以X射线衍射仪（XRD）,场发射扫描电镜（FESEM）,电子分析天平为表征手段,分别研究有机溶剂、pH值、水热时间对Bi2Se3-Sb2Se3纳米粉体结构、形貌、成分的影响。结果表明：水热24h,以丙三醇为有机溶剂,在pH=9时制备的Bi2Se3-Sb2Se3纳米复合材料结晶性好、大小均匀、分散性好。     

热处理对铜玷污单晶锗(111)光学性能的影响

采用傅里叶红外光谱测试技术,研究快速热处理(RTP)和常规热处理(CFP)对表面铜玷污单晶锗红外透过率的影响。结果表明:样品的红外透过率随热处理温度的上升呈增大趋势。样品经过短时间抛光后,红外透过率恢复至初始大小。分析表明Cu-Ge的互扩散及界面反应是造成透过率改变的主要原因。     

锗单晶材料的生长与应用

锗单晶材料由于独特的性能而被广泛应用于微电子技术、红外技术、核探测、太阳电池等多个领域.简要介绍了直拉生长的工艺及特点,无位错直拉锗单晶的生长与现状,以及锗单晶材料在不同领域的应用和发展.     

单晶硅太阳电池铝背场的快速热处理制备

分别采用常规和快速热处理在800℃制备了单晶硅太阳电池的铝背场,并利用扩展电阻、X射线衍射和扫描电镜研究了铝背场的载流子浓度分布、铝硅相的组成和表面形貌.载流子浓度分布显示,快速热处理40s就能在硅片表面形成约7μm的背场,达到常规热处理20min的效果.X射线衍射分析和扫描电镜观察发现,快速热处理与常规热处理都能够在硅片背面形成Al3.21Si0.47相,但是快速热处理后形成了致密的铝硅合金,而常规热处理处理后表面依然呈颗粒分布.这些实验结果表明,快速热处理不仅促进铝在硅中的扩散从而能够在很短的时间形成铝背场,而且还能够同时促进铝硅合金化,形成良好的背电极.