79-激光国际会议简介

由光学和量子电子学协会主持的79-激光国际会议于1979年12月17～21日在美国佛罗利达州澳伦多市召开。参加会议的有四百多人,其中百余名来自西欧、东欧、苏联、日本、新、澳、北美和南美等十五个国家。我国干福熹(中国科学院上海光学精密机械研究所)和吕保维(中国科学院电子学研究所)作为特邀代表参加,在会上分别作了“中国科学     

实验室模拟过渡金属离子掺杂的中国古代玻璃的着色现象

为了明确中国古代玻璃的着色机理,根据若干典型的古代玻璃系统(PbO-BaO-SiO_2,K_2O-SiO_2,K_2O-PbO-SiO_2和Na_2O-CaO-SiO_2)的平均化学成分,在实验室于空气气氛中制备了一批掺杂不同过渡金属离子的中国古代玻璃的模拟样品.通过对各样品在室温下的电子顺磁共振、紫外-可见吸收光谱分析,确认了各过渡金属离子在不同古代玻璃系统中的着色离子的价态,以及不同古代玻璃系统对过渡金属离子着色的影响.通过对过渡金属离子掺杂的各古代玻璃系统的吸收光谱进行了色度学的标定.实验表明古代玻璃的着色可以用色度学标定来识别其不同的着色离子和玻璃基质.     

Er3+掺杂TeO2-WO3-ZnO玻璃的发光性质

制备了不同组成和掺Er3 量的TeO2 WO3ZnO(TWZ)玻璃样品 ,测量了样品的吸收光谱和 970nmLD激发下的荧光光谱、荧光寿命。对制得的Er2 O3掺杂摩尔分数为 0 .6%的玻璃样品 ,由吸收光谱测得的 1.5 μm峰值吸收截面及计算的受激发射截面分别为 0 .74～0 .77pm2 和 0 .86～ 0 .90pm2 ,且玻璃的组成对其影响很小 ;Er3 在摩尔组成为 75TeO2 2 0WO35ZnO的TWZ玻璃中具有较大的荧光发射半高宽 (fullwidthathalfmaximum ,FWHM) ,且随掺Er3 量的增加 ,Er3 1.5 μm发射荧光强度和FWHM总体呈增加趋势 ,实验得到掺Er3 量为 3 .3 4× 10 2 0 /cm3时的FWHM为 80nm。研究同时发现Er3 在TWZ玻璃中具有很好的溶解性且其浓度猝灭效应较小     

功能复合光学薄膜的制备及光学性能研究

研究了溶胶－凝胶法和ｓｐｉｎ ｃｏａｔｉｎｇ工艺制备染料／ＯＲＭＯＳＩＬ、染料／聚合物薄膜的制备工艺、结构、光学性质及光存储性能及其相互关系。研究表明：Ｐｒ４ＶＯＰｃ（四丙基取代钒氧酞菁）－ＰＭＭＡ－四氧乙烷溶液和菁染料－ＰＶＡ（聚乙烯醇）－二丙酮醇溶液都为牛顿型液体。ＩＰ１２－Ｄ１０１－ＰＶＡ薄膜获得了５８ｄＢ的载噪比ＣＮＲ，记录过程中，载波信号强度Ｃ、ＣＮＲ和记录前后薄膜反射率变化ΔＲ的对数存     

光子学玻璃--特种玻璃的重要发展

指出了光子学玻璃在信息技术发展中的重要性和光子学玻璃在特种玻璃中的地位。介绍了光子学玻璃的几个主要方面：激光玻璃,光功能玻璃,非线性光学玻璃,光波导玻璃以及光子存储玻璃的发展状况。     

玻璃和玉石之路—兼论先秦硅酸盐质文物的中、外文化和技术交流(英文)

重点介绍了中国古代玻璃的产生与发展和参与中、外文化和技术的交流。列举了出土于新疆拜城克孜尔的中国境内最早的玻璃珠是属于吸收古代西方制造玻璃的方法和玻璃的成分配方在当地制造的,时间在西周末和春秋初(1000～800B.C.)。中国最早的镶嵌(蜻蜓眼)玻璃珠是出土于河南淅川徐家岭和湖北随县擂鼓墩墓地,年代属战国初期(～500 B.C.)。从最近的分析研究表明,属于从西方引进的,它促进了200年后中国古代自制的镶嵌玻璃的产生。讨论了中国古代玉石和颜料的来源与中外交往的关系。分析了古代绿松石、软玉和作颜料的金青石的中国和国外的产地和来源以及历史上使用的情况,认为中国的古代绿松石有可能来自波斯(古代伊朗),时间在西周以前(>1500B.C.);而青金石来自阿富汗,时间在春秋战国之际(800～200 B.C.)。指出中国中原在夏、商之间玉器的玉料突然以透闪石型软玉为主,认为玉料来自新疆和田。根据考古资料,提出在公元前1 500～500年间古代玻璃器以及玉石材料从西向东和从北到南的转移线路图,这也是以古代草原之路为基础,从西亚和中亚进入中国内地。讨论了原史时期欧亚间的游牧部落的来往和技术交流的作用。     

双轴晶β′相掺钕钼酸钆晶体相位匹配方向确定

我们对钼酸钆晶体的二阶非线性性能进行检测,测量出掺钕钼酸钆晶体在1.064 μm波段的I类相位匹配方向为θ＝66°,φ＝63°,与计算纯净钼酸钆晶体在1.064 μm波段的I类最佳相位匹配方向θ＝65.87°,φ＝45°有一定的偏离.测定了基波为1060 nm,1070 nm条件下的允许角分别为2.31 mrad*cm,1.83 mrad*cm;走离角分别为2.40 mrad,3.02 mrad.1064 nm倍频光的转换效率仅为1%.转换效率低的主要原因是钕离子在532 nm有较强的吸收.钕离子的不同浓度分布引起相位匹配方向不一致,导致转换效率降低.(OH20)     

Ge掺杂TeOx薄膜的光学和结构特性

以真空混合蒸镀和交替蒸镀法在K9玻璃基底上制备了TeOx∶Ge单层薄膜和Ge/TeOx双层薄膜.使用光谱仪、X射线衍射仪等对初始、250℃退火后及不同功率下连续Ar+激光(514.5 nm)辐射后薄膜的光学和结构特性进行了研究.实验结果表明:初始TeOx∶Ge单层薄膜和Ge/TeOx双层薄膜均为非晶态,退火后TeOx∶Ge单层薄膜反射率增加,薄膜中出现了多种结晶相;Ge/TeOx双层薄膜随着激光辐射功率的增加透过率增大,辐射后薄膜中未发现明显结晶相.处理后(退火和光辐射)两种薄膜的表面与处理前不同.Ge掺杂后TeOx薄膜的反射、吸收和结构特性均发生了明显变化.基于实验结果对变化机制进行了初步分析.该类薄膜有望作为短波长高密度光存储记录介质.(PH5)     

工艺参数对AgInSbTe薄膜性能的影响

采用射频磁控溅射工艺,在 Ｋｇ玻璃基片上用 Ａｇ－Ｉｎ－Ｓｂ－Ｔｅ合金靶制备了 Ａｇ_δＩｎ＿（１４）Ｓｂ＿（５５）Ｔｅ＿（２３） 相变薄膜,将沉积态薄膜在３００℃进行了热处理．测量了薄膜的光学性质和静态存储性能,研究了 溅射气压和功率对薄膜光学性质和静态存储性能的影响．结果表明,适当的溅射气压和溅射功率可使 Ａｇ_δＩｎ＿（１４）Ｓｂ＿（５５）Ｔｅ＿（２３）相变薄膜具有较大的反射率对比度,从而提高其存储性能．     

溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响

研究了溅射功率对Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的光学常数与波长关系的影响。结果表明,在波长小于５００ｎｍ的情况下,随溅射功率的增加非晶态薄膜的折射率ｎ先增加然后减小,消光系数ｋ则逐渐减小;在波长大于５００ｎｍ的情况下,随溅射功率的增加折射率ｎ逐渐减少,消光系数ｋ先减小后增加。对于晶态薄膜样品,在整个波长范围折射率ｎ随溅射功率的增加减小后增加,消光系数ｋ则逐渐减少。薄膜样品的光学常数,在长波长范围随波长变化较大,在短波长范围变化较小。讨论了溅射功率对Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的光学常数影响的机理。