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101.
本文首先介绍了起重设备的安装与拆卸,然后指出了起重设备安装与拆除存在的问题,最后分析了起重设备安装与拆除安全中的预防措施。  相似文献   
102.
电阻栅结构负阻异质结双极晶体管   总被引:2,自引:2,他引:0  
设计并研制成功了具有电阻栅结构的n-InGaP/p-GaAs/n-GaAs负阻异质结双极晶体管.研制出的器件I-V特性优于相关文献的报导;得到了恒定电压和恒定电流两种模式的负阻特性曲线;对两种模式负阻特性产生的物理机制进行了解释;最后对此器件的应用前景进行了预测.  相似文献   
103.
利用化学湿法选择技术和监控电极技术设计并研制了一种新型台面结构超薄基区AlGaAs/GaAs负阻异质结双极晶体管,该器件具有独特且显著的电压控制型负阻特性,其峰谷比可高于120.通过器件模拟分析,解释了该器件产生负阻的原因,即不断增加的集电极电压致使超薄基区穿通,器件由双极管工作状态向体势垒管工作状态转化造成的.另外,模拟结果表明器件可能具有较高频率特性(fT约为60~80GHz).  相似文献   
104.
共振隧穿二极管的开关时间特性   总被引:3,自引:2,他引:1  
用HP8510(C)网络分析仪测量了AlAs/InGaAs/AlAs共振隧穿二极管(RTD)的散射参数.通过曲线拟合提取了等效电路参数,估算了RTD的开关时间.通过速度指数估算的RTD上升时间最小可达21ps.  相似文献   
105.
通过AFM针尖诱导氧化加工Ti膜的实验得到了凸出的Ti膜氧化物高度与偏置电压成线性关系,并和针尖扫描速度成负对数关系,在前人的基础上深化了AFM针尖诱导氧化加工的机理和理论模型,分析得到了合适的加工条件即:偏压为8V,扫描速度为0.1μm/s.  相似文献   
106.
研究了皂基、有机硅和聚醚三种消泡剂以及配方结构对洗衣液泡沫的影响。结果表明,皂基消泡剂的消泡能力较差,但有良好的抑泡能力;有机硅消泡剂消泡能力极好,但无抑泡能力;聚醚消泡剂无显著的消泡、抑泡能力;以上三种消泡剂两两组合复配,消泡、抑泡效果均好于单独使用一种消泡剂,且在各种组合中效果最好。配方中,非离子或直链烷基苯磺酸钠的比例越高,消泡、抑泡效果越好。  相似文献   
107.
基于相控阵天线的RFID定位系统的理论分析*   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
提出了一种基于相控阵天线的AOA 与RSSI 相结合的混合定位方法。针对不同的天线单元数N、天线单元间距d、天线单元相位差琢,定量分析了相控阵天线的辐射特性参数;此外,定量分析了N 对功率和信噪比(SNR)的影响。分析表明当N 为15、d 取0.45λ时,在整个扫描范围内波束宽度小于30°;同时工作距离提高15倍,SNR 提高10log(15) dB。最终实测证明,基于相控阵天线的RFID 定位系统不仅增大了工作范围,也改善了系统抗干扰能力。  相似文献   
108.
在新型超高速光导开关的研究中,采用AFM阳极氧化加工方法,加工利用磁控溅射方法在GaAs衬底得到的厚约3nm的钛膜,形成纳米级氧化钛线.该Ti-TiOx-Ti形成MIM隧道结作为光导开关的基本结构,并且TiO x作为电子的能量势垒.为说明氧化线的宽度对隧穿现象的影响,确定加工超高速光导开关时不引起隧穿的最窄线宽及其实验条件,通过控制空气中的相对湿度,在加工速度、氧气浓度和偏置电压不变的条件下,加工出宽度分别为15.6,34.2和46.9nm的钛氧化线,测试了不同宽度氧化线隧道结的I-V特性.结果表明,在两电极的偏压为6V时不引起隧穿的前提下,可以在超高速光导开关两电极间加工最小宽度大约为10nm的氧化钛线.  相似文献   
109.
介绍了利用试油管柱直接进行酸化(酸压)或压裂等措施,并能即时排液的试油与措施一体化工艺技术,总结分析了现场应用效果,指出了其工艺技术的优越性,提出了推广应用建议.  相似文献   
110.
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