带有失配修正的10-bit 250-KSPS低功耗循环ADC设计

本为提出了一种10-bit 250k采样率（KSPS）的循环模数转换器（ADC）。通过适当的选取电容开关时序,ADC的失调误差被有效的消除。改进的冗余有符号数（RSD）法则能够容忍较大的比较器失调误差与开关电容失配误差。通过采用这种结构,ADC具有了电路结构简单、占用芯片面积低以及低功耗的优点。该循环ADC采用Chartered 0.35 um 2P4M工艺制造,在250k的采样率下,其信号对噪声和失真比（SNDR）为58.5dB,有效位数（ENOB）为9.4bit。该电路在3.3V的电源电压下,功耗为0.72mW,占有芯片面积0.42×0.68 mm2。     

铁电薄膜的制备方法

介绍了制备铁电薄膜的几种不同种类的方法.LSMCD技术是一种新型的制备铁电薄膜的技术.采用超声雾化产生微米级或亚微米级尺寸的气雾,再用载气将气雾引入沉积室内,沉积在基片上.重复此过程直至膜厚达到所需厚度.     

InSb磁敏旋转传感器

InSb磁敏电阻是InSb旋转传感器的核心部件.研究了它的物理磁阻效应和几何磁阻效应.格子型磁敏电阻具有较大的灵敏度和初始值.将磁敏电阻设计成桥式电路,电阻条宽0.24mm,间隔0.04mm,总尺寸为3mm×4mm.齿轮的分度圆周节Pr=0.62πmm,模数m=0.62mm.     

碳纳米管的场致发射及在平板显示领域中的应用

碳纳米管(CNTs)具有低的阈值电场和高的发射电流密度, 是一种性能优良的场发射阴极材料, 在平板显示领域具有潜在的应用价值. CNTs的场发射性能直接关系到CNTs场发射阴极在未来的实际应用. 本文从Fowler-Nordheims场发射理论出发, 阐述了CNTs的场发射机制; 详细论述了各种因素包括CNTs的定向性、层结构、几何特征、阵列密度、系统真空度以及CNTs与基底材料之间的键合等对CNTs场发射特性的影响; 介绍了CNTs场发射特性在平板显示领域中的实际应用.     

应用于MEMS的PZT铁电薄膜

薄膜制备工艺的发展使铁电薄膜很好的应用于MEMS, 使两者集成成为可能. 本文将详细论述铁电薄膜的优良性能, 及其与MEMS集成的关键工艺--图形化. 最后, 举例论述了PZT铁电薄膜在MEMS中的应用.     

环氧树脂在电子封装中的应用及发展方向

介绍了环氧树脂在电子封装中的应用;环氧树脂的特点(收缩率小,耐热性好,密封性及电绝缘性优良,适用性好等)以及国外对其的技术改造(低粘度化,提高耐热性,降低吸水率)。     

磁阻效应及磁敏位置传感器

本文讨论了磁阻效应原理，介绍了磁敏位置传感器的结构设计，将磁敏电阻的短路条采用人字型结构，将传感器设计成悬臂梁结构，实验表明，传感器的分辨率达０．０１°。     

金属膜电阻器膜层的热处理工艺

热处理工艺影响金属膜电阻器的阻值和性能。本文分析了热处理过程中的退火效应、凝聚效应、扩散效应和氧化效应。实验结果表明,660％是最佳热处理温度。     

全钽全密封液体钽电解电容器

叙述了全钽全密封液体钽电解电容器的结构和特点,较之银外壳液体钽电解电容器,它克服了漏液、瞬时开路、电参数恶化与银离子迁移等缺点,因而具有性能稳定、承受纹波电流能力强、可靠性高等优点,享有"永不失效"的电容器之称。     

纳米SiO2/环氧树脂的制备与表征

利用偶联剂处理后的纳米SiO2粒子改性环氧树脂制备纳米SiO2/环氧树脂复合材料.IR分析表明:纳米SiO2与环氧树脂形成了复合体;热失重、冲击强度、扫描电子显微镜和体积电阻率测试表明:纳米SiO2和普通SiO2对环氧树脂有明显的改性作用,当SiO2/环氧树脂为4/100时,复合体的热解温度、冲击强度和体积电阻率均达到最大值,纳米SiO2/环氧树脂的热解温度、冲击强度和体积电阻率分别为323℃,89.2kJ·m-2和3.56×1014Ω·cm-2;普通SiO2/环氧树脂的热解温度、冲击强度和体积电阻率分别为308℃,17.13kJ·m-2和2.80×1014Ω·cm-2.