采用UF法精制I+G产品

采用截留分子量 (MWCO) 1万的卷式超滤膜和截留分子量 (MWCO) 6 0 0 0的中空纤维超滤膜 ,去除I G粗品液中影响I G产品透光的色素、大分子蛋白及可溶性胶体蛋白 ,不需加碳、压滤等工序 ,产品透光合格率达 10 0 % ,产品透光的合格稳定性较现有生产工艺大大提高 ,该工艺不仅可以省去加碳压滤等工序 ,而且可以保证产品一次性达到合格产品     

教育信息系统中的安全构件

介绍教育信息系统中安全构件的特点和实施方法,使用其可以将原来在纸面上使用的实物印章转化成在计算机环境下使用的电子印章,且真实可靠、安全防伪,有效地解决教育系统中的电子文件的签字盖章问题。     

淤堵作用对高原水库坝基土体渗透性影响的试验研究

文章借鉴其它领域对淤堵作用的定义,归纳了水库坝基防渗方面淤堵作用的相关概念和定义,并自行设计研制了渗透淤堵仪,进行了一系列试验,在试验的基础上,分析了淤堵作用的存在和降低土体渗透性的作用过程,从而论证了淤堵作用对坝基防渗或减渗的意义。     

膜过程中超滤膜污染机制的研究及其防治技术进展

介绍了近年来国内外对膜污染产生机制及膜污染模型的研究进展状况,其中所括蛋白质污染,悬浮固体污染,胶体污染,有机物污染及生物污染等,膜改性及膜表面流动特性的改善是膜污染防治技术的主要手段,本文对这两方面的研究前沿作了评述。     

PZT铁电薄膜的反应离子刻蚀研究

介绍了一种刻蚀效果良好的PZT铁电薄膜反应离子刻蚀方法.利用深反应离子刻蚀设备研究了反应离子刻蚀中刻蚀气氛、刻蚀功率及刻蚀气体流量等因素对PZT薄膜刻蚀效果的影响.实验结果表明,刻蚀气体采用SF6、刻蚀功率为250 W、SF6/Ar总流量为25 cm3/min(其中SF6:Ar为20:5)时刻蚀效果最优.利用优化后的工艺条件制作出可用于铁电存储器的铁电电容并测试其电学特性,得到了较理想的电滞回线和漏电流.     

反熔丝的研究与应用

综述了ONO(氧化物-氮化物-氧化物)反熔丝、非晶硅(a-Si)反熔丝和栅氧化层反熔丝的制作工艺、性能参数及其优缺点,介绍了反熔丝器件包括反熔丝可编程只读存储器(PROM)和反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)在器件应用、存储容量、可用门数、工作电压和抗辐射性能等方面的研究进展,指出了反熔丝以及反熔丝器件的4个主要发展趋势,即工艺兼容、高密度、有机/柔性和新材料.     

一种同步整流DC-DC转换器PWM控制电路设计

设计了一种改进的PWM控制电路,将电流采样电路和PWM比较器归结为一个PWM电流比较器,减少了电路规模。将误差放大器输出与锯齿波斜坡补偿信号叠加,产生叠加输出电流,并通过PWM电流比较器输出一个占空比信号,以控制功率管的通断。电压信号转换为电流信号,从而使控制回路反应速度更快。将PWM控制电路应用于一款BUCK型DC-DC同步整流开关电源稳压器中。HSPICE仿真表明,稳压器输出纹波电压为±4mV,输出电压精度为±1%。     

浅谈机电信息一体化的发展与应用

机电信息一体化技术是一门面向应用的综合性学科技术,它是计算机技术、微电子技术、机械技术、控制技术以及信息技术等学科相互融合相互渗透的一个结果。本文分析了机电信息一体化技术的发展趋势,在此基础上探讨了机电信息一体化技术的应用情况。     

高耐压LDMOS用的高K薄膜湿法刻蚀研究

为了对横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件所采用的锆钛酸铅(PZT)高介电常数(高K)薄膜进行微图形化,对湿法刻蚀过程中腐蚀液、光刻、刻蚀等工艺进行了优化研究,发现由BOE+HCl+HNO3+H2O+缓冲剂组成的腐蚀液刻蚀效果较好。刻蚀结果表明,所刻蚀薄膜的厚度约为600nm,最小线条宽度约为3μm,侧蚀比减小到1.07∶1,符合功率器件制备的尺度要求,由此所制备的LDMOS器件耐压提高了近2倍。