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在用Monte Carlo方法模拟电子与物质相互作用过程时,常用Mott截面描述电子与原子的弹性碰撞,而用介电函数理论描述电子的非弹性散射。Penn利用光学能量损失函数Im{-1/ε(q=0,ω)}外推法获得了描述动量转移不为零的能量损失函数Im{-1/ε(q,ω)}。该介电函数主要描述由于体激发而引起的能量损失,但当入射电子能量降低,或电子掠入、出射时,电子在表面区域会引起较强的表面电子激发模式,在电子能量损失谱中对应特征的能量损失,如表面等离子体激元峰,故常用的光学能量损失函数不适于描述电子的表面激发行为。 相似文献
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晶体硅光伏组件在制造、测试及使用过程中,封装材料EVA经常发生变色,影响了组件外观及功率.本文通过各种化学分析,分别研究了EVA的几种变色模式,分析了其变色失效机理,提出了避免EVA变色的方法. 相似文献
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选取不同尺寸和形状的物理掩模,以硅表面直接生长的十八烷基硅烷小分子自组装单分子层作为抗蚀剂,硅(100)为衬底,亚稳态氦原子作为曝光源,利用湿法化学刻蚀方法在衬底上制备具有纳米尺寸分辨率的硅结构图形。基于扫描电子显微镜、原子力显微镜的表征结果表明:原子光刻技术可以把具有纳米尺度分辨率的正负图形通过化学湿法刻蚀技术很好地传递到硅片衬底上,特征边缘分辨率达到20nm左右,具有较高的可信度和可重复性。正负图形相互转化的临界曝光原子剂量约为5×1014atomscm-2,曝光时间约为20min。 相似文献