宽带同轴腔体滤波器的设计

首先分析了宽带滤波器的制作难点,利用同轴腔体的形式实现了一款宽带带通滤波器,并通过加载电容的原理实现了滤波器的小型化。最后通过仿真软件CST设计了中心频率4.24GHz,带宽为44.3%的宽带滤波。结果表明,滤波器实物在整个频带内电压驻波比、带外抑制良好,满足手持雷达装置使用要求。     

Co基磁性薄膜的快速循环纳米晶化

采用独特的快速循环纳米晶化技术(RRTA)对直流磁控溅射制备的非晶CoNbZr软磁膜进行纳米晶化。研究了不同的纳米晶化工艺条件下,薄膜的微观结构和软磁性能。结果表明,CoNbZr软磁薄膜晶粒细化到30 nm,RRTA晶化方法可有效地控制CoNbZr薄膜的软磁性能。     

NiFe/Ag/NiFe纳米结自旋晶体管研究

利用直流磁控溅射工艺和掩膜技术研制出新型NiFe/Ag/NiFe全金属自旋晶体管试样。该薄膜磁阻系数ΔR/R≥9%,全金属自旋晶体管试样集电极电流变化MC>587%(常温),且其性能随基极Ag层厚度减小而增强。全金属自旋晶体管具有电流放大、存贮及逻辑电路等功能,,有望替代现有的晶体管而应用于半导体大规模集成电路。     

自旋晶体管的最新研究进展

自旋晶体管是指利用电子自旋自由度构建的在结构上类似于传统半导体晶体管的三端自旋器件。对基于自旋劈裂的磁双极型自旋晶体管、基于热电子输运的自旋晶体管和基于Rashba效应的自旋晶体管的最新研究动态进行了评述,并对其发展前景做了展望。     

光子晶体在宽频天线中的应用

本文提出了一种应用于宽频螺旋天线的类蜂窝结构的光子晶体平面反射腔,相较于普通的吸收式反射腔,蜂窝光子晶格单元光子晶体反射腔体的反射效果虽不是很稳定,但是在一定频段里取得了较好的反射效果,可获得较大的增益,在某些频段可实现大于10dbi 的增益值。     

一种新型无芯PCB 平面电感器研究

本文主要介绍了在印制板上制作无芯电感的方法，分析了其结构和性能，并采用数值计算方法建立了平面电感计算模型，为设计电感提供了一条切实可行的途径。采用现代化的印制板技术，可以精确地控制电感器的绕线宽度、线间距，克服了机器绕线一致性差的缺点，并使电感从三维向两维发展，为器件的表面贴装打下了基础。     

衬底偏压和退火对ITO膜结构和成分的影响

ＩＴＯ膜的结构直接决定其光电性质，因而对其结构的研究就显得极其重要。本文报 道了不同衬底偏压和不同退火温度对ＩＴＯ膜结构的影响。结果表明，一定负偏压有助 于（２２２）晶面择优生长，一定退火温度有助于（６２２）晶面择优生长。退火与否，对膜中 Ｉｎ、Ｓｎ含量影响不大。     

MnO_2掺杂Ni-Zn铁氧体的微观结构及磁性能

为了改善Ni-Zn铁氧体材料的功率损耗特性,基于固相反应烧结法研究MnO2掺杂对Ni-Zn铁氧体综合性能的影响。研究发现,在0～2.0%（质量分数）掺杂范围内,MnO2不会影响铁氧体的单相结构。而Ni-Zn铁氧体的平均晶粒尺寸、烧结密度以及磁导率都随着MnO2掺杂量的增加而逐渐下降,同时,铁氧体的电阻率持续上升。饱和磁化强度（单位质量产生的磁矩）先随着0.4%MnO2的掺入略有上升,而后随着MnO2掺杂量的增加持续下降,这主要是受金属离子占位及超交换作用力变化的影响。当测试频率低于1MHz时,铁氧体的功耗（Pcv）随着MnO2掺杂量的增加持续上升,而当测试频率超过1MHz后,涡流损耗在总损耗中逐渐占主导地位,电阻率越高的样品越有利于获得低功耗,但这一规律对于2.0%MnO2掺杂的样品不适用。总体而言,当频率低于1MHz时,不掺杂MnO2的Ni-Zn铁氧样品能够获得更低的功耗;而当频率超过1MHz后,掺杂1.6%MnO2的Ni-Zn铁氧体能够获得最低的功耗。     

磁阻传感器的多相滤波模型

提出了一种新颖的倾斜多相滤波(SMPF)磁阻器件设计模型,采用这种SMPF模型设计的磁阻传感器,可以滤去n(n=2,3,4…[V])次谐波;倾斜相角Δθ=2π/3时,波形畸变最小;具有正弦输出的编码器被研制,实验发现当倾角φ=5°[p=0.8mm,l=3mm,Δθ=2π/3]时输出为正弦波,与SMPF理论值φ=4.904°相吻合,这一结果可以广泛于磁阻传感器领域。     

偏压对溅射ITO膜载流子浓度和迁移率的影响

研究了基体偏压对 ITO 膜载流子浓度和迁移率影响的机理,并就载流子浓度和迁移率随偏压变化的实验结果与理论结果作了比较,两者基本吻合。获得了n_e=3.2×10~(20)cm~(-3),U_H=50cm~2V~(-1)s~(-1)的 ITO 膜。