一种改进磁滞数学模型参数的计算方法

根据Jiles-Atherton铁磁磁滞理论修改Brachtendorf磁滞数学模型得到了一种新的改进磁滞数学模型.然后,给出了一种实用的模型参数计算方法.首先,搭建求参方程组;其次,利用数学软件MATLAB对方程组进行迭代运算直至确定出满足条件的参数.所得参数使得模型能很好地模拟磁滞特性的主要特征.     

石墨烯/锰锌铁氧体/硅薄膜特性及其太赫兹波的磁场调制作用

近年间,基于磁性薄膜的太赫兹调制器件有了初步进展。对磁控溅射锰锌铁氧体薄膜的制备工艺进行了详细研究。在此基础上,制备了石墨烯/锰锌铁氧体/硅(graphene/MnZn ferrite/Si)结构的太赫兹调制器件。其在太赫兹波段的透射可以通过源-栅电压来调制。当栅极电压V_sg为-25 V时,垂直膜面磁场从20 Oe增大到200 Oe,复折射率和复介电常数的实部随之增高。由于锰锌铁氧体薄膜的反常塞曼效应和各向异性磁电阻效应引起薄膜整体电导率和折射率的变化,实现了外加磁场对太赫兹波相位的调制。     

平面薄膜电感的研究与开发现状

为满足电子系统的表面贴装技术、微组装技术发展的需要，对器件片式化、小型化、微型化的要求越来越高。而电感作为电路的三大基础性元件之一，其片式化、薄膜化势在必行。本文就近几年国内外片式薄膜电感的发展研究状况做一综述。     

片式抗电磁干扰滤波器Ni-Zn铁氧体材料与工艺研究

通过添加适量CuO和Bi2O3，将Ni-Zn铁氧体材料的烧结温度降至870—920℃，达到Ni-Zn铁氧体材料与Ag电极共烧匹配的目的。试制了片式抗电磁干扰滤波器，并对其插入损耗特性进行了计算机模拟，表明所研制的抗电磁干扰滤波器不仅适合高密度表面封装技术的要求，也可满足宽频域抗电磁干扰需要。     

磁性微电子机械系统(MMEMS)中的关键问题

磁性微电子机械系统(MMEMS)是在传统的微电子机械系统(MEMS)基础上发展的,它在科学研究及应用领域中有着巨大的潜力.磁性材料和MEMS技术的兼容性问题此前已作为一个重要的问题论述过.本文就磁性MEMS技术中的线圈制作、软磁膜制备及硬磁膜制备等关键性问题加以概述.     

烧结温度对镍锌功率铁氧体磁性能的影响

为得到Zn含量不同时NiZn铁氧体材料的最佳烧结温度,用氧化物法制备了NiZn铁氧体材料,研究了烧结温度对材料起始磁导率、功耗、饱和磁感应强度和微结构的影响.结果表明,适宜的烧结温度对制备功耗低、饱和磁感应强度高和较优起始磁导率的NiZn铁氧体材料至关重要,而Zn含量不同时对应材料的最佳烧结温度也各不相同.     

复合添加对锂铁氧体烧结特性和电磁性能的影响

用传统的陶瓷工艺制备Li铁氧体材料.研究了复合添加Bi2O3等多种添加剂的作用.结果表明,添加适量超细球状Bi2O3粉可有效抑制Li的挥发,同时引入Zn2 、Ti4 、Mg2 、Mn2 等金属离子可将锂铁氧体的烧结温度降低至900℃以下,从而实现与银内电极的低温共烧.测试分析表明复合添加上述金属离子的锂铁氧体材料性能显著提高.起始磁导率μi =35～250,温度系数αμ(10kHz)5～7×10-6/℃,截止频率fc=12～86MHz,电阻率ρ>109Ω·m,居里温度TC>100℃.     

线性自旋阀读磁头的材料性能及结构参数优化（二）

优化材料性能参数和自旋阀巨磁电阻磁头的结构参数是磁器件实用化的关键。基于建立的物理计算模型,首先将自旋阀巨磁电阻磁头传感单元作为有源磁电阻放入前端放大电路,对输出电压,二次谐波及线性区间进行态模拟发现在宽ｇ１＋ｇ２≤０．７μｍ,线性偏电流１０－５０ｍＡ范围内,自旋阀磁头相对记录介质有线性信号输出。     

Co掺杂对CeO2显微结构及磁性能的影响

近年来宽禁带稀磁性氧化物半导体由于其高的居里温度在自旋电子学领域受到广泛的关注.用固相反应法制备Co掺杂的CeO2稀磁性氧化物半导体,研究了Co掺杂对其显微形貌及磁性能的影响.结果表明,1300℃烧结的样品结晶形态明显,晶粒较大,结构致密,密度最高;掺杂Co的CeO2样品都具有很好的室温铁磁性,且饱和磁化强度Ms随Co浓度的增加先增大后减小;1300℃烧结、掺3at%Co的Ce0.97Co0.03O2具有最强的室温铁磁性(0.23μB/Co).     

Cu取代Zn对NiCuZn铁氧体磁性能和介电性能的影响

用传统的陶瓷工艺合成Ni0.15Cu0.2+0.02xZn0.65-0.02xFe2O4(x=-2,0,2,4)铁氧体。发现Cu取代Zn对样品的微观结构、居里温度、磁性能和介电性能都有很大的影响。磁导率随x的增大先增大后减小,在x=2时取得最大值。但品质因数始终随x的增大而增大。与此同时,居里温度随x的增大而增高。随着x的增大,介电常数增大;而介电损耗先减小后增大,当x=2时取得最小值。实验结果表明,在x=2时,能制备出高性能的NiCuZn铁氧体材料。