全文获取类型
收费全文 | 107篇 |
免费 | 6篇 |
国内免费 | 3篇 |
专业分类
电工技术 | 8篇 |
综合类 | 8篇 |
化学工业 | 3篇 |
金属工艺 | 24篇 |
机械仪表 | 6篇 |
矿业工程 | 7篇 |
能源动力 | 1篇 |
轻工业 | 1篇 |
武器工业 | 1篇 |
无线电 | 16篇 |
一般工业技术 | 16篇 |
冶金工业 | 24篇 |
自动化技术 | 1篇 |
出版年
2023年 | 4篇 |
2022年 | 1篇 |
2021年 | 1篇 |
2019年 | 7篇 |
2017年 | 2篇 |
2015年 | 1篇 |
2013年 | 10篇 |
2012年 | 6篇 |
2011年 | 20篇 |
2010年 | 16篇 |
2009年 | 8篇 |
2008年 | 5篇 |
2007年 | 1篇 |
2006年 | 2篇 |
2005年 | 5篇 |
2004年 | 7篇 |
2003年 | 1篇 |
2002年 | 5篇 |
2001年 | 3篇 |
2000年 | 3篇 |
1999年 | 6篇 |
1998年 | 1篇 |
1997年 | 1篇 |
排序方式: 共有116条查询结果,搜索用时 375 毫秒
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
采用射频磁控溅射镀膜技术,分别以不同的衬底负偏压和射频溅射功率下在p型Si(100)基片上制备了SiO2/Cu薄膜。用原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行扫描分析,实验结果表明,衬底负偏压和射频溅射功率对SiO2/Cu薄膜的表面形貌都有显著的影响。衬底负偏压在0~15 V内,薄膜表面颗粒尺寸和均方根粗糙度都随着衬底负偏压的增大呈减小的趋势,而溅射功率在100~200 W内,薄膜表面颗粒尺寸和均方根粗糙度都随溅射功率的升高呈增大的趋势。成膜初期是层状生长模式,后期为岛状生长模式,整个成膜过程是典型的层岛生长模式。 相似文献
18.
19.
Al与Mo复合添加对NdFeB磁体矫顽力的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
本文采用晶间合金化工艺将合金元素Mo和Al直接引入烧结Nd-Fe-B磁体晶间区域,改变晶间区域的合金体系和显微组织,以达到提高磁体矫顽力的目的.实验结果表明Mo在低温时效过程中可抑制晶间富Nd相与主相之间的平衡转变,使晶界区域析出细小二次主相晶粒,使矫顽力提高. 相似文献
20.
运用SRIM2006软件对Nd2Fe14B靶溅射过程进行了模拟,并就入射离子的入射能量和角度进行了分析,得到溅射产额与入射离子能量、入射角度以及溅射靶材的一般规律:1)溅射产额随着入射离子能量的增加而增加,在低能量区域增加很快,到了高能量区域增加变缓;2)溅射产额随着入射离子入射角度的增大逐渐增大,且在70°~80°出现极大值,如当入射离子的入射角度为75°,入射离子能量为7 keV时,溅射产额可达4.398(原子.离子–1);3)溅射原子的摩尔比与靶材原子摩尔比存在一定偏差,导致薄膜成分与靶材成分不一致。 相似文献