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91.
H.264中提高编码性能的一个重要手段是帧内编码,它采用了多种预测模式,这些模式在对I、P和B帧编码时,都需要进行逐一计算。因此,可以通过优化快速算法来降低帧内编码的整体复杂度。通过对帧内预测编码的基于边缘直方图的经典快速算法进行仔细地分析和深入的研究,提出了一种改进的基于边缘直方图的快速算法,并在x264平台上加以实现。 相似文献
92.
碳化硅异质外延薄膜生长及表面缺陷研究 总被引:1,自引:0,他引:1
讨论了引入Ⅲ-V族氮化物为蓝宝石与碳化硅中间的缓冲层,用常压气相外延手段在蓝宝石/Ⅲ-V族氮化物复合衬底上异质外延碳化硅薄膜的过程,在C面(0001)蓝宝石上成功地生长出Sic薄膜,扫描电子显微镜显示薄膜表面连续,光滑,证明良好的氮化物缓冲层对碳化硅薄膜异质生长具有重要的意义,同时在表面发现直径为1-10μm的六角形缺陷,对缺陷面密度与工艺参数的关系进行了分析,并对缺陷产生的机理进行了探讨,认为反应产生物的腐蚀是产生六角形缺陷的来源。 相似文献
93.
94.
斜井层位标定技术及其应用 总被引:5,自引:2,他引:3
随着油田勘探开发的深入,对许多岩性,裂缝性,地层不整合,低渗透性及高陡构造等特殊圈闭类型的油气藏的勘探开发,已广泛采用斜井技术,斜井层位标定技术是储层研究和油藏描述中的关键技术之一,本文从斜井轨迹方程入手,论述了斜井的层位标定技术,介绍了空间层位标定和虚拟井层位标定的两种方法原理,并以斜井测井信息为纽带,建立起标志层和主力油层与地震剖面上反射同相轴的对应关系,通过实际应用具有较好的实用性。 相似文献
95.
聚乙二醇催化合成取代苯氧乙酸 总被引:4,自引:1,他引:4
以水为溶剂,聚乙二醇-800为催化剂,苯酚的衍生物与氯乙酸在碱性条件下加热回流制备取代苯氧乙酸。当反应物的浓度是3.5mol/L,苯酚衍生物与氯乙酸的摩尔比是1:1.1,反应时间是1h,合成了5种取代的苯氧乙酸,都获得了高产率,其中,4.氯苯氧乙酸产率95.2%,2,4-二氯苯氧乙酸产率91.4%。 相似文献
96.
2004年12月11日,浙江省经营管理研究会2004年年会暨十五周年庆典表彰大会在萧山举行。来自全省几十家知名企业、新闻媒体等代表近200多人参加了大会,海亮集团总裁冯亚丽女士被大会授予“第十届省经营管理大师”光荣称号。 相似文献
97.
随着信息技术的发展,计算机信息系统逐步成为整个国家机构运转的命脉和社会活动的支柱.计算机信息系统的任何破坏或故障,都将对用户以致整个社会产生巨大影响.研究计算机信息系统的安全性具有重大的、直接的现实意义.本论文重点研究了计算机信息系统应用的安全策略,信息系统开发的安全性原则、安全层次、安全服务和安全结构模型. 相似文献
98.
张永华 《机械工人(冷加工)》1958,(10)
工具车间在车制各种梢子、螺钉及各种带有圆势的机件时,都是用高速钢磨成的刀具。由于种类多数量少,型式不一,每个车工必须备有大量的刀具。因为这种刀具使用率很低,制造也很费事,所以很不经济。车工徐茂康同志,利用废的割刀片头子做刀具,并改了一把专用刀排。图中1是挡块;2是楔形压板,其中一个端面要磨成圆势作为卷屑槽,用高速钢制成;3是割刀片头子:4是刀体。车制小件的切削速度通常不会太高,所以用较薄的刀片是没有什么影响的,经车间试用后觉得有下列 相似文献
99.
100.
蓝宝石衬底异质外延碳化硅薄膜反应机理研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的异质外延工艺和反应机理进行了讨论,针对实验使用常压水平卧式反应室,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布以及反应气体浓度分布,指出“汽相结晶”过程对薄膜生长区Si/C比例有很大影响,从而影响了碳化硅薄膜的生长速率,在SiC薄膜的生长过程中,对Si/C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素。这很好地解释了薄膜生长过程中出现的异常现象。 相似文献