金属—陶瓷梯度材料的弹性和弹塑性设计

系统研究了金属－陶瓷梯度材料在不同组成分布情况下的制备热应力分布规律和特征，提出了优化梯度材料组成和控制梯度材料破坏的方法，考虑了弹性和弹塑性二种设计方法，讨论了二种设计方法的特点和不同，结果表明，对于由韧性金属和陶瓷合成的梯度材料，弹塑性设计比弹性设计更为合理。     

组分连续变化梯度材料中应力波的传播特性

建立了线弹性组分连续变化梯度材料的波动方程、特征方程及特征线上应力、应变与材料质点速度的相容关系。讨论了特征线的可能形态。研究了应力波在这类材料中传播时的传播特性。研究发现：应力渡在这类材料中传播时，波速仅是波所经过位置的函数；波速在大多数情况下是变化的；但波速的变化不会产生新的冲击波。     

纳米Fe_3O_4/Fe复合磁流变液的流变性

用化学共沉淀法合成了纳米Fe3O4粒子,平均二次粒径为51.2nm,比表面积为109.6m2/g。以合成的纳米Fe3O4粒子与羰基铁粉复合配制了纳米复合磁流变(MR)液,并测定了其流变性。结果显示:纳米复合MR液对温度比较稳定;复合MR液在接近零场的低磁场强度下表现为牛顿流体,随着磁场强度提高转变为非牛顿流体;反复加载或撤除磁场,具有"开/关"特性,响应迅速,施加磁场时的响应时间Δt约为50～100ms,撤退磁场时约为100～150ms。     

Fe/SiO2核壳复合粒子表面的XPS谱研究

采用XPS技术研究了Fe/SiO2核壳复合粒子的表面化学成分和电子结构。结果表明,表面化学成分仅由Si和O元素组成,表面Si存在4种电子结构,表面O存在5种电子结构。表面硅4种电子结构的Si2p电子结合能及归属为:102.91eV(51.18%)为Q4硅[Si(OSi)4],102.15eV(23.23%)为Q3硅[Si(OSi)3OH],103.98eV(18.70%)为Q2硅[Si(OSi)2(OH)2],101.35eV(6.89%)为Q1硅[Si(OSi)(OH)3];表面氧5种电子结构的O1s电子结合能及归属为:532.85eV(52.07%)为Q4硅基团中的氧,531.80eV(19.93%)为Q3硅基团中的氧,533.90eV(17.09%)为Q2硅基团中的氧,534.75eV(7.65%)为Q1硅基团中的氧,530.55eV(3.26%)为与金属铁核相互作用的氧。531.80和530.55eV的氧原子数(19.93% 3.26%=23.19%)与102.15eV的硅原子数(23.23%)非常相近,这不仅表明与金属铁核相互作用的表面氧为Q3硅基团中的氧,而且说明表面氧与金属铁核相互作用后O1s电子结合能会因为Fe给电子能力较大而降低。     

n型(AgSbTe2)x(PbTe)1-x热电材料的制备和性能

采用熔融缓冷法制备了组成为(AgSbTe2)x(PbTe)1-x(x=0.04—0.20)的热电材料,研究了AgSbTe2固溶量对材料微观结构和热电传输性能的影响。结果表明,当AgSbTe2固溶量增大时,样品易发生相结构偏析,样品由富Pb和富AgSb的两相组成。样品热导率随AgSbTe2固溶量增加而降低,电性能也有一定程度的降低。样品的无量纲热电优值(ZT)随AgSbTe2固溶量的减小而增加。     

金属─陶瓷梯度材料的热弹塑性分析

本文对金属-陶瓷梯度材料的稳态热弹塑性行为进行了研究.文中首先采用平均场和自洽弹塑性微观力学方法预测了金属-陶瓷梯度材料的非弹性性能,然后用非线性有限元法计算了材料制备过程中的热弹塑性应力.结果表明,梯度材料的热弹塑性行为对梯度材料的热应力缓和性能有显著影响.      

QMV新型锚具的研究与应用

QM群锚两片式钢绞线新型锚具(QMV系列锚具),能够锚固强度为2000MPa及以下级别的钢绞线。介绍新型锚具的研制、构造特点及试验与应用情况。     

SiO2纳米壳的厚度对羰基铁/SiO2核壳复合粒子的性能影响

以聚乙烯毗咯烷酮作表面改性剂，用溶胶-凝胶法，通过控制反应时间，在羰基铁粒子表面均匀快速地包覆不同厚度的SiO2纳米壳层，并研究了SiO2纳米壳层厚度对羰基铁／SiO2核壳复合粒子的抗热氧化性能、静磁性能、微波介电常数和吸波性能的影响．结果表明：增加SiO2纳米壳层的厚度，羰基铁／SiO2核壳复合粒子的抗热氧化能力提高，比饱和磁化强度出现最大值，矫顽力和剩余磁化强度出现最小值，微波介电常数单调降低；用其制备的吸波涂层材料在壳层厚度为15nm时，反射损耗≤-8dB的带宽达到最大值，超过10GHz，     

In掺杂β-Zn_4Sb_3热电材料的制备与电热输运

设计了一系列名义组成为Zn4Sb3-xInx(0~0.08,Δx=0.02)的In掺杂β-Zn4Sb3基块体材料,并用真空熔融-随炉冷却-放电等离子体烧结工艺成功制备出无裂纹的In掺杂单相β-Zn4Sb3基块体材料.300~700K内材料的电热输运特性表明,In杂质对Zn4Sb3化合物的Sb位掺杂可导致载流子浓度和电导率大幅度增大、高温下本征激发几乎消失和晶格热导率显著降低,x=0.04和0.08的Zn4Sb3-xInx的In掺杂β-Zn4Sb3化合物700K时晶格热导率均仅为0.21W/(m·K).与纯β-Zn4Sb3块体材料相比,所有In掺杂β-Zn4Sb3基块体材料的ZT值均显著增大,x=0.06的Zn4Sb3-xInx的In掺杂β-Zn4Sb3基块体材料700K时ZT值达到1.13,提高了69%.     

TiB2在球磨中的氧化行为

用行星球磨对TiB2原粉进行处理,并用X射线光电子能谱仪,X射线衍射仪,能量色散X射线荧光光谱仪等对TiB2在球磨过程中的氧化行为进行分析.结果表明:在室温下TiB2粉末存在表面氧化,而球磨加速TiB2粉末氧化,随着球磨时间的延长,TiB2粉末的氧化程度加大;酸洗及离心作用造成硼的流失,使B和Ti的摩尔比失调,最终形成TiO2和少量硼酸包覆TiB2结构;通过改变不同球磨工艺,发现湿磨加Ar保护工艺使TiB2被氧化程度明显降低.