PSN-PZN-PMS-PZT五元系压电陶瓷性能的研究

采用二次合成工艺得到了PSN—PZN—PMS—PZT五元系压电陶瓷。实验数据表明：组成在准同型相界处压电陶瓷的综合性能达最佳。在此基础上，分析组成在准同型相界处压电陶瓷的烧结温度与体密度、气孔率、晶粒大小及介电、压电性能的关系。结果表明，在合成温度为860℃时可得到钙钛矿结构。烧结温度1260℃保温3h条件下，得到一种综合性能优良的压电材料。主要参数为：ε33^T/ε0=1390，tanδ=0．32％，d33=303pC／N，kp=55．1％，Qm=1180。定量Sr^2＋、Ba^2＋的加入使相界向富锆方向移动，性能参数为，ε33^T/ε0=1162，tanδ=0．30％，d33=307pC／N，kp=56．8％，Qm=1230。     

机场噪声管理信息系统研究与开发

针对我国机场噪声影响评价工作中存在的问题,采用地理信息系统和面向对象编程技术,合理选取多个噪声评价指标,开发建立机场噪声管理信息系统。按照模块化设计思路和方法,将系统分为GIS图形操作、噪声分析以及数据存储三个模块,通过方便快捷的界面操作,实现机场噪声环境影响的评价与预测,噪声数据的存储与查询,减噪模拟以及信息管理等功能。     

钛酸丁四酯-二乙醇胺-水-乙醇系溶胶制备TiO2薄膜

研究了钛酸四丁酯－二乙醇胺－水－乙醇系溶胶特性，表明二乙醇胺有抑制Ｔｉ（ＯＢｕ）４水解，稳定溶胶粘度的作用有利于制备ＴｉＯ２薄膜。该系溶胶浸涂制备ＴｉＯ２薄膜时易出现裂纹，加入干燥控制剂二甲基甲酰胺要有效地消除裂，得到均匀致密的ＴｉＯ２薄膜，这种薄膜与玻璃基片有很强的结合力。     

合成气制低渗混合醇催化剂研究进展

低碳混合醇及甲基叔甲基叔丁基醚（MTBE）都可作为汽油添加剂。目前MTBE作为汽油添加剂在美国加州已被禁止使用,使得低碳混合醇作为汽油添加剂具有重大意义。此外,低碳醇也是重要的化工原料。由合成气直接合成低碳事醇是碳一化学重要的研究课题之一,也是近年国内外研究比较活跃的领域之一。目前国内外研究合成气制低碳混合醇的技术路线主要有四种。本文对合成气直接合成低碳混合醇四种工艺所采用的Zn-Cr、Cu-Co、MoS2、Cu-Zn等催化剂体系的研究状况进行了介绍。     

PLZT系统铁电——顺电相界附近组成介电性质的研究

一、前言自从第五届国际铁电会议以来电致伸缩材料的研究有了很大的发展。主要是由于利用了弛豫型铁电体的结果。国外较为成熟的材料是以铌镁酸铅为主的系统,其成功的配方如0.9PMN-0.1PT,0.45PMN-0.35PT-0.20BZN等。国内在利用PLZT系统方面取得了成绩。L.E.Cross等人在电致     

TiOx薄膜电阻稳定性及氧敏特性的研究

分别采用无机盐的水解－沉淀法和醇盐的溶胶－凝胶法两种工艺在Ａｌ２Ｏ３基片上制备ＴｉＯｘ（ｘ＝１－２．０）薄膜,研究了薄膜结构及氧敏特性。结果表明：水解－沉淀法的膜层粒子分布均匀,工艺易控制;溶胶－－凝胶法的膜层粒子更细微,相变温度较低,两种工艺制得的超微粒薄膜都具有很好的电阻－温度稳定性。膜层粒子愈起细化,分布愈均匀,氧敏特性愈高;薄膜厚度与气体检测灵敏度有密切关系,具有最佳膜层厚度值,两种工艺获     

WO_3-SiO_2复合薄膜的烧结温度–相组成–气敏特性关系

以钨酸和正硅酸乙酯(tetraethyl orthosilicate,TEOS)为原料,采用改进的溶胶–凝胶工艺,在Al2O3基底上制备WO3–SiO2复合薄膜,重点考查复合薄膜的烧结温度、物相组成及气敏性三者之间关系。用X射线粉末衍射仪和场发射扫描电子显微镜表征复合薄膜的微观结构,结果表明:在烧结温度为500℃与650℃时,复合薄膜为立方相和正交相混合相,复合薄膜的晶粒尺寸为25～30nm,分布均匀。650℃烧结时,对还原性挥发性有机化合物(volatileorganiccompounds,VOCs)气体中丙酮具有较好的敏感性。750℃烧结时,复合薄膜只有单一的正交相,晶粒尺寸在30nm左右,此时复合薄膜对氧化性气体NO2具有很好的敏感性与选择性,最低响应浓度(体积)为10–7,响应时间为2s,恢复时间约为10s。     

高分子型表面活性剂在氧化锆粉末制备过程中的作用(一)

本研究初步探索了高分子型表面活性剂的用量、添加过程和添加方式对氧化锆陶瓷粉末性能的影响。实验结果表明:在陶瓷粉末制备过程中,适当地利用高分子型表面活性剂代替醇脱水工艺,同样可以制取高活性、超细 ZrO_2、ZrO_2(Y_2O_3)粉末。适量的高分子型表面活性剂可以改善粉末制备过程中组分粒子的分散状态,对控制粉末的团聚状态,提高组分的均匀性有着积极的意义。而且在某种程度上,提高了粉末性能,缩短了制粉工艺周期,降低了成本。本文还就粉末性能的综合评价提出了一些看法。     

PMSZT压电陶瓷的制备工艺研究

研究了合成工艺、烧结工艺、烧银工艺及极化工艺对PMSZT压电陶瓷相组成、显微结构及电性能的影响。结果表明,PZT压电陶瓷在合成温度为900℃时,可得钙钛矿结构;烧结温度1 240℃时,体积密度最大,综合性能达最佳。烧银温度对陶瓷性能有一定影响。随着烧银温度的升高,介电常数、介电损耗、压电常数和机电耦和系数降低。最佳极化工艺为极化温度120℃,极化电压2 500 V/mm。     

烧结工艺对PSN-PZN-PMS-PZT瓷性能的影响

采用二次合成工艺得到了Pb(Sn1/3Nb2/3)0.03(Zn1/3Nb2/3)0.03(Mn1/3Sb2/3)0.04Zr0.435Ti0.465O3(PSN-PZN-PMS-PZT)五元系压电陶瓷。分析讨论了压电陶瓷的烧结温度与体密度、气孔率、晶粒大小及介电、压电性能的关系。并研究升温速度,保温时间对介电、压电性能的影响。结果表明,升温速度过快时材料致密性下降;烧结温度1 260℃保温3 h,得到一种综合性能优良的压电材料。其主要参数:r为1 390,d33为300 pC/N,kp为55.1%,Qm为1 180,tg为0.30?02。