全文获取类型
收费全文 | 54篇 |
免费 | 2篇 |
国内免费 | 19篇 |
专业分类
综合类 | 2篇 |
化学工业 | 4篇 |
金属工艺 | 7篇 |
无线电 | 36篇 |
一般工业技术 | 23篇 |
冶金工业 | 1篇 |
原子能技术 | 2篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 4篇 |
2021年 | 1篇 |
2020年 | 1篇 |
2019年 | 1篇 |
2018年 | 5篇 |
2016年 | 2篇 |
2015年 | 4篇 |
2014年 | 7篇 |
2011年 | 3篇 |
2010年 | 1篇 |
2009年 | 1篇 |
2008年 | 4篇 |
2007年 | 5篇 |
2006年 | 5篇 |
2005年 | 1篇 |
2004年 | 7篇 |
2003年 | 2篇 |
2002年 | 7篇 |
2001年 | 3篇 |
1994年 | 3篇 |
1993年 | 3篇 |
1992年 | 2篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 1篇 |
排序方式: 共有75条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
22.
23.
24.
报道用金属有机汽相外延技术(MOVPE)生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格结构材料及其光电器件应用,用横断面透射电子显微术(XTEM)表征外延层结构.在自电光效应光学双稳态器件(SEED)中,超晶格层-层之间界面清晰,厚度均匀,周期性完整.对某些用超晶格作缓冲层的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构,观察到超晶格对生长面的平滑作用及间断生长造成的界面等. 相似文献
25.
利用金属有机化学气相沉积的方法在GaAs衬底上生长了GaInAsP外延层及GaAsP/(Al)GaInP激光器外延层。生长的GaInAsP外延层与GaAs晶格匹配,并且带隙处于Ga0.5In0.5P与GaAs中间。在GaInP/GaAs异质结界面插入此结构的GaInAsP过渡层,可以有效的降低异质结的带阶,尤其是价带带阶。相比于突变GaInP/GaAs异质结的808 nm GaAsP/(Al)GaInP半导体激光器,含有GaInAsP过渡层的半导体激光器具有更低的工作电压。因此,在350 mW输出功率下,半导体激光器的功率转换效率由52%提高至60%。并且在大电流注入下,含有GaInAsP过渡层的半导体激光器由于产生的焦耳热减少,具有更高的输出功率。 相似文献
26.
回顾了SiC单晶的发展历史,总结了目前的发展状况,同时介绍了SiC单晶生长所需要的温场和生长工艺,最后介绍了SiC单晶的加工技术.通过模拟计算与具体实验相结合的方法,调整坩埚在系统中的位置及优化坩埚设计可以得到理想温场.近平微凸的温场有利于晶体小面的扩展,进而有利于减少缺陷提高晶体的质量.由于SiC硬度非常高,对单晶后续的加工造成很多困难,包括切割和磨抛.研究发现利用金刚石线锯切割大尺寸SiC晶体,可以得到低翘曲度、低表面粗糙度的晶片;采用化学机械抛光法,可以有效地去除SiC表面的划痕和研磨引入的加工变质层,加工后的SiC晶片粗糙度可小于1nm. 相似文献
27.
28.
29.
通过分析激光器的结构,优化设计了非对称宽波导激光器结构及外延生长条件。利用低压金属有机化合物气相淀积技术(LP-MOCVD)生长了高质量的InGaAsP/GaInP无铝应变量子阱外延材料,制作成808 nm高功率半导体激光器mini阵列,将其应用到1 064 nm全固态激光器中。20℃下,制作的808 nm,0.5 cm半导体激光器mini阵列,连续驱动电流50 A时输出功率达到50 W,最高光电转换效率达到53%。将该808 nm激光器mini阵列应用到全固态1 064 nm激光模组中,50 W,1 064 nm激光输出时,工作电流只有15 A。经过多于500 h老化以后,1 064 nm全固态激光器的功率衰减小于2%。 相似文献
30.