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提出了一种In0.4Ga0.6N/GaN同型异质结构IMPATT二极管。传统GaN基IMPATT器件中存在P型GaN制造工艺不成熟的问题,本研究方案可成为GaN基IMPATT器件的替代设计方案。详细研究了In0.4Ga0.6N/GaN异质结和PN结两种不同结构IMPATT二极管的直流、交流输出特性。结果表明,In0.4Ga0.6N/GaN IMPATT二极管在不使用P型GaN的情况下,可达到优于传统PN结IMPATT二极管的性能。 相似文献
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模板法制备超级电容器中孔炭电极材料 总被引:9,自引:0,他引:9
以硅溶胶为模板剂、以葡萄糖为炭源,采用模板法制备了超级电容器中孔炭电极材料(SMC).采用液氮吸附等温线对其孔结构进行了表征,考察了其在有机非水Et4NBF4/PC电解液中的电容特性和倍率性能,采用交流阻抗法测试了其频率响应特性,并与商品化微孔活性炭进行了比较.结果表明:模板法制得的中孔炭的最可几孔径分布集中在6.3和19.0 nm,呈双峰分布,与商品化微孔活性炭相比,由于SMC孔径更大而具有更优异的频率响应特性和倍率性能. 相似文献
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针对p型GaN IMPATT制造工艺仍未成熟,提出了一种In0.4Ga0.6N/GaN n-n型异质结构来取代常规p-n结构,使GaN IMPATT二极管工作在IMPATT模式下。研究了这种n-n型In0.4Ga0.6N/GaN碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管的噪声特性,与同等条件下的传统GaN基p-n结IMPATT二极管作比较。结果表明,在不同偏置电流密度和不同InGaN层厚度下,该器件的噪声特性均好于传统p-n结构。结合器件交流输出特性可以得知,In0.4Ga0.6N/GaN同型异质结IMPATT器件不仅在功率效率上优于GaN p-n结构,其噪声性能表现亦优于传统GaN p-n结构,特别是在高频段的噪声特性优势更加明显。该研究可以为GaN基IMPATT器件的设计提供更多的思路和参考。 相似文献
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