企业视频应用热点：远程呈现、多屏合一、云服务

对网络环境的动终端的飞速发展要呈现出以下五方改善和传输带宽的增加．特别是IPv6网络的建设,3G技术的推出及近几年移．都为视频多媒体业务发展带来了前所未有的契机。目前视频多媒体业务主面趋势。     

利用Astro对ePro系统进行布局布线

本文详细介绍了利用Synopsys公司的布局布线工具Astro对ePro系统进行版图设计的流程和注意事项。     

The Bipolar Field-Effect Transistor: ⅩⅢ. Physical Realizations of the Transistor and Circuits (One-Two-MOS-Gates on Thin-Thick Pure-Impure Base)

This paper reports the physical realization of the Bipolar Field-Effect Transistor (BiFET) and its one-transistor basic building block circuits. Examples are given for the one and two MOS gates on thin and thick, pure and impure base, with electron and hole contacts, and the corresponding theoretical current-voltage characteristics previously computed by us, without generation-recombination-trapping-tunneling of electrons and holes. These ex-amples include the one-MOS-gate on semi-infinite thick impure base transistor (the bulk transistor) and the impure-thin-base Silicon-on-Insulator (SOI) transistor and the two-MOS-gates on thin base transistors (the FinFET and the Thin Film Transistor TFT). Figures are given with the cross-section views containing the electron and hole concen-tration and current density distributions and trajectories and the corresponding DC current-voltage characteristics.     

一种基于VB的流媒体播放系统研究

音/视频技术是流媒体存储和传输的关键.结合当前流行的流媒体技术和VB程序设计,介绍了流媒体的播放和MPEG标准.针对不同的流媒体播放要求,研究了一个基于VB的流媒体播放系统.     

当前水污染防治工作任务艰巨

当前水污染防治工作任务艰巨王扬祖国家环境保护局副局长《给水排水》编审委员会主任委员１９９６年在《国务院关于环境保护若干问题的决定》中，提出了全国“九五”期间环境保护目标，即“到２０００年，全国所有工业污染源排放污染物要达到国家或地方规定的标准；各...     

基于学习通和BOPPPS模型的混合式教学实践

针对课堂教学中存在的问题,尝试基于学习通和BOPPPS模型的《数据库原理与应用》课堂混合式教学设计实践。首先阐述了学习通+BOPPPS模型的教学模式,然后以“函数在查询中的应用”为例,围绕课前(导言、学习目标、前测)、课中(参与式学习、后测)、课后(总结),探讨了学习通+BOPPPS模型在课堂教学设计中的具体应用,提高学生的学习能动性,提高教学质量。     

用偏振敏感技术对光纤带光缆进行应力研究

本文介绍有关高密度光纤带光缆应力特性的实验结果，实验用两种技术进行的：偏振模色散法和偏振光时域反射法，它们之间的相关性和从理论上得出的数据表明：在这样的光缆中，双折射部分是决定性的。     

双极场引晶体管:VI.CMOS电压倒相电路(双MOS栅纯基)

本文报告了硅互补金属氧化层硅（CMOS）电压倒相电路的直流稳态电压和电流转移特性和功率耗散. 这电路用一只实际的﹑纳米尺度的双极场引晶体管(BiFET)实现. 通过数字求解五个偏微分方程,可获得这些电学特性. 方程是基于这种器件结构：在薄纯硅基层的两表面上各有一个MOS栅,在这薄基的两端都有电子和空穴接触. 内部条件和CMOS边界条件用于三种势（静电势和电子及空穴电化学势）. 用一台装有Windows XP-PRO下的64位FORTRAN语言的双核个人计算机,快速地计算出一系列曲线.     

场引晶体管双极理论:Ⅹ.基本物理和理论(所有器件结构)

本文描述半导体场引晶体管器件物理和理论所用的根本原则,它适用电场中有两种载流子的器件.讨论边界条件对器件电流电压特性的重要性.作为例子,计算两种边界条件下的转移直流电压特性:电势边界给出很高、流进内禀晶体管、飘移限制抛物型电流,电化学势边界仿真电子和空穴接触,给出很低、越过势垒注入、扩散限制电流,具有理想、每量级60mV、指数型亚阈值区倾斜.双MOS栅薄纯基硅场引晶体管为典型结构.     

场引晶体管理论:XI.双极电化电流（薄及厚、纯及不纯基体,单及双MOS栅极）

场引晶体管本质双极,包括电子和空穴表面和体积沟道和电流,一或多个外加横向控制电场．自1952年Shockley发明,55年来它被认为单极场引晶体管,因电子电流理论用多余内部和边界条件,不可避免忽略空穴电流．多余条件,诸如电中性和常空穴电化电势,导致仅用电子电流算内部和终端电学特性的错误解．当忽略的空穴电流与电子电流可比,可在亚阈值区和强反型区,错误解有巨大误差．本文描述普适理论,含有电子和空穴沟道和电流．用z轴宽度方向均匀的直角平行六面体（x,y,z）晶体管,薄或厚、纯或杂基体,一或二块MOS栅极,描述两维效应及电势、电子空穴电化电势的正确内部和边界条件．没用多余条件,导出四种常用MOS晶体管,直流电流电压特性完备解析方程：半无限厚不纯基上一块栅极（传统的Bulk MOSFET）,与体硅以氧化物绝缘的不纯硅薄层上一块栅极（SOI）,在沉积到绝缘玻璃的不纯硅薄层上一块栅极（SOI TFT）,和薄纯基上两块栅极（FinFETs）．